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9.3.2 正向阻斷模式和觸發(fā)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-03-27 01:09
9.3.2正向阻斷模式和觸發(fā)9.3晶閘管第9章雙極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國科微GK7202V300Pt碳化硅 419瀏覽量 -
10.1.10 憶阻器(Memristor)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-03-27 01:07
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9.3.1 正向?qū)J?isin;《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-03-26 01:13
9.3.1正向?qū)J剑?3晶閘管第9章雙極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國科微GK7202V300PtPHi碳化硅 433瀏覽量 -
10.1.9 阻變隨機存儲器(RRAM)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-03-26 01:11
ResistiveSwitchingRandomAccessMemory(RRAM)審稿人:北京大學(xué)蔡一茂https://www.pku.edu.cn審稿人:北京大學(xué)張興10.1非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCU存儲器 514瀏覽量 -
9.3 晶閘管∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-03-25 01:06
9.3晶閘管第9章雙極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國科微GK7202V300PtPHi3518EV300HiSiC 459瀏覽量 -
10.1.8 相變存儲器(PCRAM)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-03-25 01:04
Phase-changeRandomAccessMemory審稿人:北京大學(xué)蔡一茂方亦陳https://www.pku.edu.cn審稿人:北京大學(xué)張興10.1非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、存儲器 422瀏覽量 -
10.1.7 自旋轉(zhuǎn)移力矩磁隨機存儲器(STT-MRAM)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-03-24 18:31
Spin-transferTorqueMagnetoresistiveRandomAccessMemory(STT-MRAM)審稿人:北京大學(xué)蔡一茂陳青鈺https://www.pku.edu.cn審稿人:北京大學(xué)張興10.1非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FP存儲器 638瀏覽量 -
9.2.4 器件參數(shù)的溫度特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-03-24 18:29
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9.2.3 開關(guān)特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-03-24 16:57
9.2.3開關(guān)特性9.2絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)第9章雙極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國科微GK720開關(guān) 535瀏覽量 -
10.1.6 磁阻式隨機存儲器∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-03-24 16:55
MagnetoresistiveRandomAccessMemory(MRAM)審稿人:北京大學(xué)蔡一茂王宗巍https://www.pku.edu.cn審稿人:北京大學(xué)張興10.1非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MC存儲器 368瀏覽量