動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-12-23 11:32

  射頻功率放大器RF PA的功能/分類/性能指標

  

  功率放大器可以說是很多射頻工程師繞不過的坎。功能、分類、性能指標、電路組成、效率提升技術、發(fā)展趨勢……關于射頻功率放大器RFPA的兩個關鍵指標：功率和線性。在RF功率放大器中，功效(PAE)定義為輸出信號功率與輸入信號功率之差與直流電源功耗的比值，即:PAE=(PRFOUT–PRFIN)/PDC=(PRFOUT–PRFIN)/(VDC*IDC)射頻功率放大器

  RF 功率放大器 射頻

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• 發(fā)布了文章 2024-12-20 16:03

  半導體濕法和干法刻蝕

  

  什么是刻蝕？刻蝕是指通過物理或化學方法對材料進行選擇性的去除，從而實現(xiàn)設計的結(jié)構圖形的一種技術。蝕刻是半導體制造及微納加工工藝中相當重要的步驟，自1948年發(fā)明晶體管到現(xiàn)在，在微電子學和半導體領域中，蝕刻技術的發(fā)展伴隨著整個集成電路技術和化合物半導體技術的進步。在器件制造過程中需要各種類型的蝕刻工藝，涉及到幾乎所有相關材料，如介質(zhì)薄膜、硅、金屬、有機物、II

  刻蝕 半導體 濕法

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• 發(fā)布了文章 2024-12-20 11:49

  射頻芯片工作原理與電路分析

  

  手機終端中，最重要的核心就是射頻芯片和基帶芯片。射頻芯片負責射頻收發(fā)、頻率合成、功率放大；基帶芯片負責信號處理和協(xié)議處理。那么射頻芯片和基帶芯片是什么關系？射頻芯片和基帶芯片的關系先講一下歷史，射頻（RadioFrenquency）和基帶（BaseBand）皆來自英文直譯。其中射頻最早的應用就是Radio——無線廣播（FM/AM），迄今為止這仍是射頻技術乃至

  基帶芯片 射頻芯片 解調(diào)器

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• 發(fā)布了文章 2024-12-20 11:20

  抑制射頻干擾濾波器: 移動通信網(wǎng)絡中的干擾抑制利器

  

  射頻干擾是指在移動通信網(wǎng)絡中，由于各種電子設備和無線信號之間頻譜的重疊而產(chǎn)生的干擾現(xiàn)象。射頻干擾會嚴重影響通信設備之間的信號傳輸質(zhì)量，對移動通信網(wǎng)絡的穩(wěn)定性和可靠性造成很大的威脅。為了解決這個問題，抑制射頻干擾濾波器被廣泛應用于移動通信網(wǎng)絡中，成為了干擾抑制的利器。抑制射頻干擾濾波器是一種電子設備，其作用是通過濾掉或減弱射頻干擾信號，使其不影響正常通信信號的

  射頻 濾波器 移動通信

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• 發(fā)布了文章 2024-12-19 14:29

  6GHZ，5G的未來！

  

  6GHz頻譜的分配，確定了！近日，由國際電聯(lián)（ITU）組織的WRC-23（世界無線電大會）在迪拜落幕。會議旨在協(xié)調(diào)全球范圍內(nèi)的頻譜使用。6GHz的歸屬，是萬眾矚目的焦點。會議決定：將6.425-7.125GHz（共700M帶寬）頻段用于移動業(yè)務，也就是5G移動通信。什么是6GHz？6GHz，是指頻率范圍在5925MHz到7125MHz這段頻譜，帶寬達1.2G

  5G 6G 移動通信

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• 發(fā)布了文章 2024-12-19 10:56

  半導體晶圓測試中的關鍵之“手”，看陶瓷基板作用何處？

  

  近年來，隨著半導體制程技術的不斷提升，工藝節(jié)點不斷縮小，單個芯片上有超過十億個晶體管。先進制程的發(fā)展伴隨著半導體工業(yè)對于良品率(Yield)和成本的追求。晶圓分揀過程在半導體制造行業(yè)中，可將集成電路（IC）生產(chǎn)過程分為設計驗證(ProductDesign)、前端制造(FrontEnd)、后端封測(BackEnd)以及后續(xù)的板級裝配(BoardAssembly

  半導體 晶圓 測試 陶瓷基板

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• 發(fā)布了文章 2024-12-17 17:21

  探索面向WI-FI 6GHZ領域的自動頻率協(xié)調(diào)（AFC）技術

  

  Wi-Fi6E/7三頻技術將提供額外的1200MHz帶寬，為實現(xiàn)千兆位速度的網(wǎng)關打開大門。然而，這額外的帶寬還需要一些額外的共存技術才能在某些環(huán)境中運行。在6GHz頻段，許可運營的固網(wǎng)、公共運營商，以及本地電視傳輸、廣播輔助和有線電視轉(zhuǎn)播服務也在同一帶寬內(nèi)，因此需要采取一些更高級別的頻譜共存措施。在下文中，我們將探討這種情況會造成的影響，以及美國聯(lián)邦通信委員

  AFC WIFI 無線

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• 發(fā)布了文章 2024-12-17 11:48

  芯片制造工藝：晶體生長、成形

  

  1.晶體生長基本流程下圖為從原材料到拋光晶圓的基本工藝流程：2.單晶硅的生長從液態(tài)的熔融硅中生長單晶硅的及基本技術稱為直拉法（Czochralski）。半導體工業(yè)中超過90%的單晶硅都是采用這種方法制備的。在晶體生長過程中，多晶硅被放置到坩堝中，熔爐加熱到超過硅的熔點，將一個適當晶向的籽晶放置在籽晶夾具中，懸于坩堝之上。將籽晶插入熔融液中，雖然籽晶將會部分熔

  晶體 芯片 芯片制造

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• 發(fā)布了文章 2024-12-16 17:28

  為什么晶圓是圓的？芯片是方的？

  

  晶圓為什么是圓的而不是方的？按理說，方型的Die放在圓形的Wafer里總會不可避免有空間浪費，為什么不做成方型的更節(jié)省空間。因為制作工藝決定了它是圓形的。提純過后的高純度多晶硅是在一個子晶(seed)上旋轉(zhuǎn)生長出來的。多晶硅被融化后放入一個坩堝(QuartzCrucible)中，再將子晶放入坩堝中勻速轉(zhuǎn)動并且向上提拉，則熔融的硅會沿著子晶向形成一個圓柱體的硅

  制作工藝 晶圓 芯片

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• 發(fā)布了文章 2024-12-16 16:22

  什么是芯片的HAST測試？

  

  HAST是什么？在了解芯片的HAST測試之前，我們先要知道HAST是什么？HAST是HighlyAcceleratedStressTest的簡稱，中文名為高加速應力試驗（高加速溫濕度應力測試）。是一種用于評估產(chǎn)品在高溫、高濕以及高壓條件下的可靠性和壽命的測試方法。該測試通過在受控的壓力容器內(nèi)設定特定的溫濕度條件，模擬產(chǎn)品在極端環(huán)境下的性能表現(xiàn)。HAST試驗能

  測試 芯片 集成電路

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