動態(tài)

• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-06-16 17:11

  CGHV35060MP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CGHV35060MP 典型輸出功率：75W 功率增益：14.5分貝 排水效率：67%

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-06-16 16:56

  CGHV35400F-AMP氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

  

  產(chǎn)品型號：CGHV35400F-AMP 操作頻率：2.9 – 3.5 GHz 典型輸出功率：500 W 功率增益：11分貝

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-06-16 16:54

  CGHV35400F1氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CGHV35400F1 操作頻率：2.9 – 3.5 GHz 典型輸出功率：500 W 功率增益：11分貝

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-06-16 16:52

  CGHV35400F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CGHV35400F 操作頻率：2.9 – 3.5 GHz 典型輸出功率：500 W 功率增益：11分貝

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-06-16 16:39

  CGHV35150F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

  

  產(chǎn)品型號：CGHV35150F-AMP 額定功率 ：150 W @ TCASE = 85°C 工作頻率：2.9 – 3.5 GHz 瞬態(tài)占比： 100 μsec – 300 μsec @ 20%

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-06-16 16:37

  CGHV35150F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CGHV35150F 額定功率：150 W 工作頻率 ：2.9 – 3.5 GHz 瞬態(tài)占比： 100 μsec – 300 μsec @ 20%

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-06-16 16:35

  CGHV35150P高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CGHV35150P 額定功率：150 W @ TCASE = 85°C 工作頻率：2.9 – 3.5 GHz 瞬態(tài)占比： 100 μsec – 300 μsec @ 20%

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-06-16 16:13

  CGHV31500F1-AMP氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

  

  產(chǎn)品型號：CGHV31500F1-AMP 操作頻率：2.7 – 3.1 GHz 典型輸出功率：650 W 功率增益：12分貝

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-06-16 16:11

  CGHV31500F1氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CGHV31500F1 操作頻率：2.7 – 3.1 GHz 典型輸出功率：650 W 功率增益：12分貝

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-06-16 16:09

  CGHV31500F-AMP氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

  

  產(chǎn)品型號：CGHV31500F-AMP 操作頻率：2.7 – 3.1 GHz 典型輸出功率：650 W 功率增益：12分貝

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