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MDD辰達半導體

匠人作 用良芯 高品質 選MDD

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  • 發布了文章 2024-08-22 10:33

    靜電二極管的導電特性

    靜電二極管是一種專門設計用于防止ESD損害的半導體器件,通過其導電特性在保護電子元件方面發揮重要作用。1.靜電二極管的基本原理ESD二極管是一種專門用于保護電路免受靜電放電損害的半導體器件。它在電路中通常處于高阻狀態,當外界施加的電壓超過其擊穿電壓時,ESD二極管迅速導通,將過量電荷引導至地,從而保護被保護器件免受損壞。ESD二極管的主要特性包括快速響應時間
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  • 發布了文章 2024-08-21 14:36

    強大又全能!這款NMOS頻頻亮相!

    MOS管,全稱為MOSFET,即金屬氧化物半導體場效應晶體管,是一種具有絕緣柵的FET(FieldEffectTransistor),通過電壓來決定器件的電導率。它的工作原理主要涉及兩個關鍵步驟:建立導電溝道和控制漏極電流。1、特點說明如MDD90N03D是采用N溝道制作的MOS管,產品具有很強的電性參數的性能,其能承受的最大漏源電壓30V,柵源電壓±20V
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  • 發布了文章 2024-08-15 10:53

    整流二極管的工作原理

    整流二極管是一種常見的電子元件,廣泛應用于電源電路中,其主要功能是將交流電(AC)轉換為直流電(DC)。整流二極管的基本工作原理整流二極管是一種具有單向導電性的半導體器件。它由一個PN結構成,其中P區充滿了空穴,N區充滿了電子。在正常情況下,電流只能從二極管的正極(P區)流向負極(N區),而反向電流非常小,幾乎可以忽略不計。這種單向導電性使整流二極管在整流電
  • 發布了文章 2024-08-14 11:01

    開關二極管工作原理

    開關二極管作為一種廣泛應用于電子電路中的半導體器件,具有在不同狀態下快速切換的能力。其主要功能是實現電路的導通與關斷,是數字電路、通信電路和信號處理電路中不可或缺的元件。一、開關二極管的基本結構與特性開關二極管的基本結構與普通二極管相似,都是由一個P-N結構成。二極管的P區富含空穴,而N區則富含電子,P-N結兩側的載流子通過擴散和漂移形成電場,當加正向電壓時
  • 發布了文章 2024-08-12 09:51

    高效率二極管如何識別判斷

    高效率二極管在在電源管理和電能轉換領域,主要特點是具有低正向壓降和快速的開關速度,從而提高電路的整體效率。一、高效率二極管的基本特性高效率二極管與普通二極管相比,其主要特點在于正向壓降較低和恢復時間較短。低正向壓降意味著二極管在導通狀態下會有較小的功率損耗,這對于電源轉換電路尤為重要。此外,快速的恢復時間有助于減少開關損耗,適用于高頻應用。常見的高效率二極管
  • 發布了文章 2024-08-08 10:41

    穩壓二極管整流器件主要參數及影響因素

    穩壓二極管是一種廣泛應用于電子電路中的器件,具有穩定電壓的作用。它的主要參數和影響因素直接決定了其在實際應用中的性能和適用范圍。1.穩壓電壓(Vz)穩壓電壓是指穩壓二極管在規定電流范圍內保持的電壓值。這個參數是穩壓二極管的核心指標,通常由制造商在產品規格書中提供。穩壓電壓受二極管內在材料和制造工藝的影響。硅材料制造的穩壓二極管常見的穩壓電壓范圍在2.4V到2
  • 發布了文章 2024-08-07 10:17

    開關二極管整流器件主要參數及影響因素

    開關二極管在開關電源、逆變器和其他高頻應用中。作為整流器件,開關二極管的性能直接影響電路的效率、可靠性和電磁兼容性。主要參數1.正向電壓降(ForwardVoltageDrop,VF)正向電壓降是指二極管在正向導通時的電壓降。它是衡量二極管導通損耗的關鍵參數之一。較低的正向電壓降可以減少導通損耗,提高系統效率。然而,正向電壓降與開關速度往往是互相制約的,在設
  • 發布了文章 2024-08-05 17:13

    整流橋參數對封裝的影響

    整流橋是將交流電轉換為直流電的關鍵元件之一。其主要參數包括電流、電壓、功率損耗、結溫、熱阻等,這些參數對整流橋的封裝選擇有直接影響。1.電流和電壓電流和電壓是整流橋的基本參數,決定了其應用范圍。高電流和高電壓的應用要求整流橋具備更強的散熱能力和更高的耐壓能力。因此,選擇封裝時,需要考慮以下幾點:電流容量:封裝的引腳和內部連接必須能夠承受預期的電流。大電流應用
  • 發布了文章 2024-08-01 11:19

    快恢復二極管參數對封裝選擇的影響

    快恢復二極管因其能夠在高頻和高效能應用中提供優異的性能而廣泛應用于開關電源、逆變器、驅動電路等領域。選擇適當的封裝對于充分發揮快恢復二極管的性能至關重要。1.反向恢復時間(trr)反向恢復時間是指二極管從導通狀態轉為反向截止狀態所需的時間。對于快恢復二極管,反向恢復時間是衡量其性能的關鍵參數之一。較短的反向恢復時間可以減少開關損耗和電磁干擾,提高電路的效率和
  • 發布了文章 2024-07-31 10:46

    肖特基二極管參數對封裝選擇有什么影響

    肖特基二極管是一種廣泛應用于電源管理、電壓整流和開關電路中的電子器件。由于其低正向壓降和快速開關速度,肖特基二極管在許多高頻和高效電源轉換應用中發揮著關鍵作用。然而,選擇合適的封裝對于優化肖特基二極管的性能至關重要。關鍵參數在選擇適當的封裝之前,需要了解一些關鍵參數:正向壓降(ForwardVoltageDrop,Vf):肖特基二極管的正向壓降通常較低,這使

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公司介紹:      深圳辰達半導體是一家專注于半導體分立器件研發設計、封裝測試及銷售的國家高新技術企業。      公司深耕半導體領域16載,始終堅持以產品技術為驅動,以客戶需求為核心,打造涵蓋MOSFET、二極管、三極管、整流橋、SiC等全系列、高可靠、高性能的產品服務矩陣,產品廣泛應用于新能源汽車、工業控制、消費電子、通信、家電、醫療、照明、安防、儀器儀表等多個領域,服務于全球40多個國家與地區。      公司秉持與時俱進的發展理念,基于目前先進的功率器件設計及封裝測試能力,持續關注前沿技術及應用領域發展趨勢,全面推動產品升級迭代,提高功率器件產業化及服務閉環的能力,為客戶提供可持續、全方位、差異化的一站式產品解決方案。      展望未來,公司將依托行業洞察的能力,通過品牌與技術雙輪驅動,快速實現“打造半導體分立器件國際創領品牌”的發展愿景,助力中國半導體產業升級。

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