使用外部SDRAM的一些STM32應(yīng)用客戶報(bào)告他們的產(chǎn)品正在進(jìn)行EMC測(cè)試，并且存在由于SDRAM信號(hào)導(dǎo)致的過(guò)度輻射干擾的問(wèn)題。在終端產(chǎn)品中，如果外殼不能用于屏蔽輻射干擾，這些問(wèn)題通常需要通過(guò)修改SDRAM信號(hào)的PCB設(shè)計(jì)來(lái)解決。

這里概述了如何在SDRAM PCB應(yīng)用設(shè)計(jì)中改善輻射干擾問(wèn)題，供參考。

PCB設(shè)計(jì)中的SDRAM輻射干擾對(duì)策

因?yàn)镾DRAM工作頻率較高且具有陡峭的上升沿和下降沿，有必要在PCB設(shè)計(jì)中處理高速信號(hào)傳輸線中的信號(hào)走線。請(qǐng)注意以下基本原則：

1。保持SDRAM信號(hào)的完整性

SDRAM信號(hào)的失真將進(jìn)一步擴(kuò)大信號(hào)的輻射頻譜，導(dǎo)致更嚴(yán)重的輻射問(wèn)題，所以必須注意SDRAM信號(hào)完整性設(shè)計(jì)。

建議使用4層或更多層來(lái)控制SDRAM信號(hào)的特征阻抗50歐姆，最大限度地減少SDRAM總線上的過(guò)孔使用，保持阻抗連續(xù)性，并減少阻抗不連續(xù)引起的信號(hào)反射。 ;

SDRAM信號(hào)走線間距應(yīng)遵循3W原則，兩條走線的中心間距應(yīng)至少保持線寬的3倍，這可以減少信號(hào)之間干擾引起的信號(hào)失真;

盡可能靠近靠近MCU的SDRAM，縮短MCU到SDRAM的長(zhǎng)度信號(hào)跡線（通常不應(yīng)超過(guò)120 mm）;

2。保持最短的SDRAM信號(hào)返回路徑

對(duì)于多層PCB，高速信號(hào)的返回路徑是其跡線的投影在參考平面上。在PCB設(shè)計(jì)中，應(yīng)注意保持參考平面的完整連續(xù)性。如果由于信號(hào)切換或功率層分裂等而切斷信號(hào)返回路徑，則需要增加層改變電容/層改變通孔和電源平面交叉。電容器等確保SDRAM信號(hào)具有最短的返回路徑。

3。將SDRAM信號(hào)（尤其是時(shí)鐘信號(hào)）放在PCB的內(nèi)層。

在SDRAM信號(hào)中，時(shí)鐘信號(hào)具有最強(qiáng)的輻射水平，可以通過(guò)將其放置在PCB的內(nèi)層并屏蔽外層銅箔來(lái)減少。

對(duì)于STM32 FMC接口同時(shí)采用SDRAM和FLASH設(shè)計(jì)， SDRAM和FLASH共享一些MCU引腳，其復(fù)雜的布線拓?fù)溥M(jìn)一步增強(qiáng)了SDRAM信號(hào)的輻射干擾。建議路由SDRAM和FLASH。它們盡可能多地放置在PCB的內(nèi)層，這些信號(hào)在PCB外層的地平面處被屏蔽。

4。保持SDRAM走線區(qū)域盡可能遠(yuǎn)離其他信號(hào)/電纜

更長(zhǎng)的其他走線或電纜可用作天線傳輸耦合SDRAM輻射信號(hào)，因此它們應(yīng)放置在遠(yuǎn)離SDRAM信號(hào)的PCB中，并在必要時(shí)放置在這些走線或電纜連接上。磁珠或濾波器衰減SDRAM輻射信號(hào)。