西安高新區(qū)海創(chuàng)園半導體材料項目正式開工預計投資2億元

三秦都市報報道，6月2日，西安高新區(qū)海創(chuàng)園半導體材料項目在高新區(qū)長安通訊產(chǎn)業(yè)園正式開工。

今年5月11日，西安市65個重大項目集中簽約，海創(chuàng)園半導體材料項目位列其中。據(jù)悉，該項目由綠城中國與江豐電子聯(lián)手打造，預計投資2億元，建設超高純金屬濺射靶材研發(fā)和生產(chǎn)基地。

濺射靶材是超大規(guī)模集成電路制造的必需原材料。資料顯示，江豐電子專業(yè)從事超大規(guī)模集成電路芯片制造用超高純金屬材料及濺射靶材的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

報道指出，西安高新區(qū)海創(chuàng)園半導體材料項目建成后將在超高純金屬及大型設備關(guān)鍵部件生產(chǎn)上實現(xiàn)突破，完善西安高新區(qū)乃至中國半導體產(chǎn)業(yè)鏈。

同時，該項目將在中國西部地區(qū)材料產(chǎn)業(yè)與半導體及整個電子行業(yè)應用間搭起橋梁，推動有色金屬技術(shù)與質(zhì)量改進，進一步提升拉動我國西部材料產(chǎn)業(yè)。

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