加強(qiáng)IGBT導(dǎo)通時(shí)的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),又可限制陽極空穴的注入,于是形成了注入增強(qiáng)型 IGBT(Injection Enhanced Insulated Gate Bipolar Transistor,IE-IGBT)。
發(fā)表于 05-21 14:15
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我想要在CCS中將MSP432{401R的UART范例CODE和SPI范例CODE做結(jié)合,讓我所設(shè)計(jì)的程式可以進(jìn)行編成,首先我把UART范例CODE復(fù)制到一個(gè)全新的空白檔案中,接著我讓它嘗試運(yùn)轉(zhuǎn),看是否出現(xiàn)問題,結(jié)果出現(xiàn)了以下問題如附圖,我不知道該如何解決它。
發(fā)表于 12-10 07:32
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于MSP430和Simplelink? MSP432?? MCU的MSP-BSL引導(dǎo)加載程序.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 12-05 14:37
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LEDMCUEVM-132 MSP432? LED控制器評(píng)估模塊.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 11-29 14:50
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用TMS320C6000增強(qiáng)型DMA的應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 10-23 09:48
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《如何在RS-485網(wǎng)絡(luò)中使用MSP430和MSP432 eUSCI和USCI模塊.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 10-09 10:21
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P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管,簡(jiǎn)稱P-MOSFET(P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
發(fā)表于 09-23 17:08
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N溝道增強(qiáng)型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為現(xiàn)代電子技術(shù)中的關(guān)鍵元件,具有一系列獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)和一定的局限性。以下是對(duì)N溝道增強(qiáng)型MOSFET優(yōu)缺點(diǎn)的詳細(xì)分析。
發(fā)表于 09-23 17:06
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《借助增強(qiáng)型航天塑料產(chǎn)品降低近地軌道任務(wù)的風(fēng)險(xiǎn)應(yīng)用說明.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 09-11 09:53
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: 定義 :CoolGaN是英飛凌(Infineon)公司推出的一系列基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的產(chǎn)品品牌或系列名稱。它代表了英飛凌在GaN功率器件領(lǐng)域的技術(shù)成果和產(chǎn)品線。 范疇 :CoolGaN系列產(chǎn)品包括但不限于
發(fā)表于 09-07 09:28
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發(fā)表于 08-26 11:37
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N溝道增強(qiáng)型MOSFET(N-Channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)作為一種重要
發(fā)表于 08-23 14:02
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增強(qiáng)型MOS管(Enhancement MOSFET)是一種重要的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,具有高輸入阻抗、低輸入電流、高速開關(guān)和低噪聲等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中。以下是對(duì)增強(qiáng)型MOS管結(jié)構(gòu)的詳細(xì)解析。
發(fā)表于 07-24 10:51
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MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。根據(jù)其導(dǎo)電特性,MOSFET可以分為增強(qiáng)型(Enhancement Mode)和耗盡型(Depletion
發(fā)表于 07-14 11:35
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MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低驅(qū)動(dòng)功率和良好的線性特性等優(yōu)點(diǎn)。根據(jù)導(dǎo)電溝道的形成方式,MOSFET可以分為增強(qiáng)型和耗盡型
發(fā)表于 07-14 11:32
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評(píng)論