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材料工程技術(shù)的突破就成為未來AI普及化前的其中關(guān)鍵

半導(dǎo)體動(dòng)態(tài) ? 來源:工程師吳畏 ? 作者:科技新報(bào) ? 2019-01-21 15:38 ? 次閱讀

人工智能AI) 已經(jīng)成為產(chǎn)業(yè)不可逆的趨勢(shì)下,就連臺(tái)積電前董事長張忠謀都表示,未來 AI 的發(fā)展將成為帶動(dòng)臺(tái)積電營運(yùn)發(fā)展的重要關(guān)鍵。因此,市場(chǎng)上大家都在期待,藉由 AI 發(fā)展所帶來的新應(yīng)用與商機(jī)。只是,在 AI 需要大量運(yùn)算效能與能源,而整個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)發(fā)展也面臨極限發(fā)展的情況之下,材料工程技術(shù)的突破就成為未來 AI 普及化前的其中關(guān)鍵。

材料工程解決方案大廠應(yīng)用材料 (Applied Materials) 指出,根據(jù)《經(jīng)濟(jì)學(xué)人》表示,當(dāng)前數(shù)據(jù)之于這個(gè)世紀(jì)的重要性,猶如石油之于上個(gè)世紀(jì),是成長與變革的動(dòng)力,而透過科技也為許多產(chǎn)業(yè)帶來改變。因此,藉由人工智能與大數(shù)據(jù)的結(jié)合,給市場(chǎng)帶來無限的機(jī)會(huì),卻也帶來空前的挑戰(zhàn)。所以,而是否能掌握 AI 與大數(shù)據(jù)帶來的龐大商機(jī),關(guān)鍵在于新技術(shù)和新策略上。

材料工程技術(shù)的突破就成為未來AI普及化前的其中關(guān)鍵

應(yīng)用材料***區(qū)總裁余定陸日前在于媒體的聚會(huì)中表示,AI 與大數(shù)據(jù)的結(jié)合帶動(dòng)了 4 個(gè)主要的趨勢(shì)與挑戰(zhàn),這也是企業(yè)是否能在 AI 與大數(shù)據(jù)時(shí)代掌握致勝先機(jī)的關(guān)鍵。其中,包括了物聯(lián)網(wǎng)普及和工業(yè) 4.0 產(chǎn)生超大量的數(shù)據(jù)資料、現(xiàn)有的空間不足以應(yīng)付快速增加數(shù)據(jù)量的處理及儲(chǔ)存、靠著新的運(yùn)算模式及架構(gòu),以及邊緣運(yùn)算、云端技術(shù)和低功耗的每瓦效能,才能將數(shù)據(jù)成功轉(zhuǎn)換成價(jià)值、以及 AI 與物聯(lián)網(wǎng)快速匯流,連接性是最大關(guān)鍵,也是決定運(yùn)作是否流暢的重要因素等。

而因?yàn)橛辛?4 個(gè)趨勢(shì)與挑戰(zhàn),使得在 AI 與大數(shù)據(jù)時(shí)代中啟動(dòng)了「硬件復(fù)興」的各種資源投入,不但使得論是傳統(tǒng)科技領(lǐng)導(dǎo)大廠、新創(chuàng)公司或軟件公司,都投入大量的資源、押寶不同的技術(shù)領(lǐng)域、聚焦應(yīng)用的客制化及最佳化,專注于硬件的設(shè)計(jì)以及投資發(fā)展。另外,在在計(jì)算機(jī)運(yùn)算處理器部分,人工智能需要大量、快速的存儲(chǔ)器存取及平行運(yùn)算,才能提升巨量資料處理能力,這時(shí)繪圖處理器(GPU)及張量處理器(TPU)會(huì)比傳統(tǒng)運(yùn)算架構(gòu)更適合處理人工智能的應(yīng)用。而且,為了使人工智能潛力完全開發(fā),其效能 / 功耗比即運(yùn)算效能需達(dá)到目前 的1,000 倍 ,已成為現(xiàn)階段技術(shù)層面亟需突破的關(guān)鍵。

再加上 AI 與大數(shù)據(jù)需要邊緣及云端創(chuàng)新,大量的資料儲(chǔ)存+高效能運(yùn)算因運(yùn)而生。而且在是當(dāng)傳統(tǒng)摩爾定律下的 2D 微縮越來越慢的情況下,材料工程的創(chuàng)新就成為解決問題的其中一項(xiàng)關(guān)鍵。余定陸進(jìn)一步表示,材料工程的創(chuàng)新未來將建構(gòu)在 PPAC(效能、功耗與單位面積)的 5 個(gè)面向革新上,包括新架構(gòu)、新結(jié)構(gòu) / 3D、新材料、微縮的新方法以及先進(jìn)封裝等。

余定陸舉例表示,原有 2D NAND 的技術(shù)應(yīng)用在實(shí)體和成本上已達(dá)到極限,為了能讓每儲(chǔ)存單元(cell)的容量再往上增加, 3D NAND 技術(shù)采用層層堆棧的方式,來減少 2D NAND 儲(chǔ)存單元距離過近時(shí),可能產(chǎn)生的干擾問題。此外,3D NAND 有倍增的容量與可靠度,更是過去的 2D NAND 無法比擬的 。

此外,先進(jìn)封裝可以優(yōu)化系統(tǒng)級(jí)的效能。過去 DRAM 封裝是采用印刷電路板(PCB)的方式,目前則采用硅通孔封裝技術(shù)(TSV),可將邏輯和存儲(chǔ)器的同質(zhì)和異構(gòu)集成緊密地結(jié)合在一起,垂直堆棧的 3D 儲(chǔ)存器芯片顯著減小了 PCB 級(jí)的電路板尺寸和布線復(fù)雜性,大大降低成本、節(jié)省一半的電力及延長芯片使用壽命。另一種系統(tǒng)級(jí)封裝,運(yùn)用小芯片(chiplet)多元模塊整合,可提供時(shí)間、成本與良率的效益。

余定陸還表示, 傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)架構(gòu)的馮諾伊曼(Von Neumann)思維有一個(gè)主要問題,當(dāng)處理大量資料運(yùn)算,單一中央處理器與存儲(chǔ)器間的資料運(yùn)算規(guī)則和傳輸速度,限制了整體效率與計(jì)算時(shí)間,無法滿足實(shí)際實(shí)時(shí)應(yīng)用情境。但利用神經(jīng)形態(tài)(Neuromorphic)思維,進(jìn)行網(wǎng)絡(luò)分散架構(gòu)及平行運(yùn)算與學(xué)習(xí),可加速人工智能計(jì)算,達(dá)到傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)架構(gòu)無法達(dá)成的連接性。

在 AI 與大數(shù)據(jù)的結(jié)合將帶來無限機(jī)會(huì)的時(shí)代中, 因應(yīng)復(fù)雜性、應(yīng)用性和在時(shí)間方面都面臨很大的困難,而且互連性和材料創(chuàng)新速度上面臨的挑戰(zhàn),也需要新的策略來克服的情況下,需要藉由材料工程創(chuàng)新、硬件的復(fù)興以及產(chǎn)業(yè)生態(tài)間深度連結(jié)來解決。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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