1. 引言

集成電路電磁兼容性研究分為兩大部分：EMI和EMS，EMI指的是電磁干擾，EMS指的是電磁敏感度。目前而言，作為EMC領域中兩大研究領域，EMI和EMS問題在芯片的研制過程中都扮演著極其重要的角色。

2. 大功率注入法

大功率注入法是EMS研究中的重要研究方法，便于研究人員進行模型的提取與仿真，模擬試驗過程，通俗的說便于學術研究，發(fā)表研究論文，目前關于電磁敏感度的相關研究基本采用大功率注入法。此外，還有大電流注入法、TEM小室法、法拉第籠法等。這里主要介紹大功率注入法。行業(yè)里，大功率注入法也稱直接功率注入法，不同的研究機構會對稱呼會有所區(qū)別，測試流程如圖1所示。

圖1大功率注入法測試流程

3. 基于穩(wěn)壓器的電磁敏感度研究

在行業(yè)內，研究人員逐漸關注集成電路電磁兼容的研究，關于芯片的電磁敏感度研究成果陸續(xù)出現，如控制器、處理器、穩(wěn)壓器等。

LDO穩(wěn)壓器，低壓差線性穩(wěn)壓器，特點是：成本低、自身噪聲以及噪音微小。其工作原理是通過反饋網絡調整MOS管的壓降，進而使得輸出電壓不變。以一個簡單的LDO為例，穩(wěn)壓管采用PNP管。芯片包含三個引腳VIN、GND、VOUT。

圖2 LDO穩(wěn)壓器EMS測試原理框圖

在引腳1上加上正常5V電壓，在3引腳上加上監(jiān)測設備觀察輸出電壓變化。不加EMI情況下，3引腳上會穩(wěn)定輸出5V的電壓大小，同時，電壓幅值大小不超過100mV。采用直接功率注入法，在1引腳加上EMI干擾波形，電壓幅值會發(fā)生變化，當超過200mV時，判定芯片失效，記錄注入功率大小，作為失效判據。注意：失效判據是以研究對象不同，失效判據的要求也一般不同，不同的芯片的制造廠家會對失效判據具有不同要求，可根據實際情況定義。

電磁敏感度研究屬于電磁可靠性研究范疇。可考慮外界因素對LDO穩(wěn)壓器的影響：

一、溫度。可研究穩(wěn)壓器在不同溫度下的電磁敏感度情況，這就需要實驗室具備高低溫試驗箱；

二、電應力。可研究不同電應力情況下，穩(wěn)壓器的電磁敏感度變化水平。

4. 總結

本文介紹了采用大功率注入法的基于穩(wěn)壓器的電磁敏感度研究案例，及其失效判據的定義，給出了在電磁敏感度研究過程中可進一步研究的方法思路。