晶體管工作原理

利用半導(dǎo)體的特性，每個(gè)管子工作原理個(gè)不同，你可以找機(jī)電方面的書看下。下圖中的S是指源極（Source），D是指漏極（Drain），G是柵極（Gate）。晶體管的工作原理其實(shí)很簡單，就是用兩個(gè)狀態(tài)表示二進(jìn)制的“0”和“1”。

源極和漏極之間是溝道，當(dāng)沒有對柵極（G）施加電壓的時(shí)候，溝道中不會聚集有效的電荷，源極（S）和漏極（S）之間不會有有效電流產(chǎn)生，晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)。可以把這種關(guān)閉的狀態(tài)解釋為“0”。 當(dāng)對柵極（G）施加電壓的時(shí)候，溝道中會聚集有效的電荷，形成一條從源極（S）到漏極（D）導(dǎo)通的通道，晶體管處于開啟狀態(tài)，可以把這種狀態(tài)解釋為“1”。這樣二進(jìn)制的兩個(gè)狀態(tài)就由晶體管的開啟和關(guān)閉狀態(tài)表示出來了。

場效應(yīng)晶體管工作原理

場效應(yīng)晶體管，英語名稱為Field Effect Transistor，簡稱為場效應(yīng)管，是一種通過對輸入回路電場效應(yīng)的控制來控制輸出回路電流的器件。可分為結(jié)型和絕緣柵型、增強(qiáng)型和耗盡型、N溝道和P溝道，接下來我們就以N溝道結(jié)型場效應(yīng)管為例來對場效應(yīng)管的工作原理進(jìn)行說明。

對應(yīng)于三極管的基極、集電極和發(fā)射極，場效應(yīng)管分別是柵極、漏極和源極。在其柵-源間加負(fù)向電壓、漏-源間加正向電壓以保證場效應(yīng)管可以正常工作。所加負(fù)向電壓越大，在PN結(jié)處所形成的耗盡區(qū)越厚，導(dǎo)電溝道越窄，溝道電阻越大，漏極電流越小;反之，所加負(fù)向電壓越小，在PN結(jié)處所形成的耗盡區(qū)越薄，導(dǎo)電溝道越厚，溝道電阻越小，漏極電流越大。由此通過控制柵-源間所加負(fù)向電壓完成了對溝道電流的控制。