電源在為負載提供能量的同時也在燃燒自己，在電源設(shè)計時大家會很仔細的去分析負載的需求，但是容易忽略電源芯片或者其外圍器件的熱耗，對電源熱耗的評估的目的是為了保證電源始終工作在一個安全的狀態(tài)（不會被熱保護或者燒毀）。評估熱耗的第一步工作是計算電源方案的耗散功率（被損耗掉的功率），評估耗散功率有兩種方法，黑盒和白盒。

一、黑盒方式評估電源的耗散功率

電源芯片及外圍的器件的熱耗占電源的輸入總功率的比例就是電源的效率，所以我們可以從電源的效率反推得到電源的耗散功率，如圖1.1。

圖 1.1 電源的功率傳輸

由圖1.1推導得知耗散功率的計算公式如下：

（式1.1）

式1.1是從效率和輸出功率Po反推得到耗散功率的。為什么要選擇輸出功率而不是輸入功率呢？因為輸出功率的數(shù)據(jù)比較容易取得，就是負載的實際需求，相比之下輸入電壓的范圍比較寬泛，所以輸入功率比較難定量得到。

那么電源效率的數(shù)據(jù)如何去獲取呢？很簡單，如果是線性穩(wěn)壓器，那么效率就是輸出電壓與輸入電壓的比值(V0/Vin)，因為輸出電流約等于輸入電流；如果是開關(guān)電源，電源效率可以估為85%，如需要更為精確可以查芯片規(guī)格書的圖表，如圖1.2示例。

圖 1.2 某電源芯片的效率圖表示意

二、白盒方式計算電源的耗散功率

線性穩(wěn)壓器的原理單純且多為集成模塊，所以了解如何使用黑盒方式計算耗散功率一般已經(jīng)足夠。相比之下開關(guān)電源的集成度較弱，所以有時候需要分解子模塊且單獨計算其耗散功率，這就是所謂的白盒模式。本文均以Buck為例，其它拓補形式可自行類推。

在BUCK電路的技術(shù)演變過程中出現(xiàn)了兩個小分支，同步Buck與非同步Buck。兩者的外觀差異明顯很好區(qū)分，有上下兩個MOSFET管的Buck叫同步Buck；只有上管MOSFET，續(xù)流管是肖特基二極管的Buck叫做非同步Buck。同步Buck是后面發(fā)展出來的技術(shù)，使用MOSFET來代替續(xù)流二極管降低了導通壓降，所以提升了電源效率，當然需要額外增加一套MOSFET驅(qū)動電路成本有所上升。

圖1.3 同步與非同步Buck

開關(guān)電源的損耗主要由兩大塊組成，路徑損耗與開關(guān)損耗。

1、路徑損耗（傳導損耗）：大電流路徑上的內(nèi)阻上的損耗。以BUCK為例，路徑損耗包括上臂MOSFET的內(nèi)阻損耗，電感的寄生阻抗(DCR)上的損耗及下臂MOSFET或者續(xù)流二極管上的損耗。

2、開關(guān)損耗：開通和關(guān)閉MOSFET過程中的損耗，與開關(guān)頻率成正比。

（一）理解開關(guān)損耗

路徑損耗比較好理解，很直觀，我們來著重介紹一下開關(guān)損耗的產(chǎn)生原因。如圖1.4所示，上橋臂MOSFET的漏極連接至Vin，而源極連接至相位節(jié)點。當上橋臂開始開啟時，下橋臂MOSFET的體二極管（非同步BUCK同理）會將相位點箝位為低于地電壓（負壓）。這種很大的漏-源電壓差及且上橋臂MOSFET也以開關(guān)方式傳輸轉(zhuǎn)換器的完全負載電流，所以在開關(guān)過程中產(chǎn)生了開關(guān)損耗。

圖1.4 Buck的開關(guān)損耗示意

圖1.5 MOSFET的寄生電容

圖1.5是MOSFET的寄生電容示意，圖1.6是上橋臂MOSFET的開關(guān)損耗圖形，這是理想圖形并假設(shè)柵極電流是恒定的。開關(guān)損耗的產(chǎn)生機理與MOSFET的寄生電容相關(guān)。

圖1.6 上橋臂MOSFET的理想開關(guān)損耗圖形

開關(guān)損耗產(chǎn)生過程詳細分析：

1、在時間段t1開始時，當MOSFET驅(qū)動器開始向MOSFET的柵極提供電流時，VGS（MOSFET 的柵 - 源電壓）開始上升。在此期間，將對輸入電容 Ciss（CGS + CGD）進行充電，而 VDS（MOSFET 的漏 - 源電壓）保持恒定。此時不存在漏 - 源電流，因此，在此期間沒有開關(guān)損耗。==>VGS小于閾值，MOSFET未開啟，無損耗。

2、在時間段 t2 開始時， VGS 電壓超出柵 - 源閾值電壓（VGS(TH)）。電流開始從漏極流向源極，同時 Ciss繼續(xù)充電。該電流將線性上升，直到 Ids 等于電感電流 IL 為止。由于 MOSFET 上存在等于 VIN 的電壓降，并且電流Ids 流過器件，所以此期間存在顯著的開關(guān)損耗。==>VGS大于閾值，MOSFET開閘，損耗遞增，頂點為輸出電流正好滿足負載需求處。

3、在時間段 t3 期間， Ids 電流保持恒定， Vds 電壓開始下降。雖然漏 - 源電壓在下降，但幾乎所有的柵極電流都于對 CGD 進行充電。由于幾乎沒有柵極電流用于對 CGS充電，所以柵 - 源電壓在一個稱為“開關(guān)點”電壓（VSP）的電壓下保持相對平坦。該區(qū)域通常稱為米勒平坦區(qū)（Miller Plateau）。在此時間段期間，類似于 t2，也存在漏 - 源電壓降，并且有顯著電流流過器件。因此，t3 是開關(guān)周期會產(chǎn)生損耗的一個時間段。==>VGS電平進入僵持階段，MOSFET通道的深度加強，VDS壓差下降，損耗遞減，為轉(zhuǎn)折點。

4、在超出時間段 t3 時，MOSFET 通道增強，最高至 VGS達到其最大值的電壓點。開關(guān)損耗已經(jīng)停止，傳導損耗開始出現(xiàn)，直到上橋臂 MOSFET 關(guān)閉為止。關(guān)閉事件的情形是非常類似的，以開啟事件的相反形式發(fā)生。===>VGS電平突破僵持繼續(xù)上升，MOSFET的通道繼續(xù)增強，開關(guān)損耗退出舞臺，傳導損耗登場。

MOSFET的關(guān)閉過程的損耗與上述描述類似，步驟相反而已，所以開關(guān)損耗包括開啟和關(guān)閉兩部分，經(jīng)提煉計算公式如下。

同步Buck還有一個下臂MOSFET，但是它是接近零電壓開啟的也就是沒有像上管那樣會有巨大的Vds壓差，所以下臂MOSFET的開關(guān)損耗是不被討論。

（二）傳導損耗的計算

1）、MOSFET的傳導損耗，上下臂MOSFET的表述一致只是所占時間段不一樣，用占空比區(qū)分。

上臂MOSFET的傳導損耗:

下臂MOSFET的傳導損耗（只針對同步Buck）:

2）、續(xù)流二極管的傳導損耗(只針對非同步Buck)

VFD為續(xù)流二極管的正向?qū)▔航怠?/p>

3）、電感損耗

請注意，該功率損耗并不取決于占空比，因為電感總是進行傳導。

（三）其它損耗的分析

MOSFET除了開關(guān)和傳導損之外，還有少量損耗由于其它因素引起的，因為所占比重較低，所以在非精確計算時一般被忽略。

1）、對柵極寄生電容充電引起的損耗，上下臂MOSFET的計算方式一致，公式如下：

2）、同步Buck的下臂MOSFET的體二極管的反向恢復損耗：

3）、每個開關(guān)周期對上下臂MOSFET的輸出電容Coss（Cgd+Cds)進行充電引起的損耗：

4）、當同步降壓轉(zhuǎn)換器中的兩個開關(guān)均關(guān)閉時，下橋臂 MOSFET 的體二極管將開啟。在此期間（稱為死區(qū)（Dead Time，DT）），體二極管中將出現(xiàn)傳導損耗。這些損耗可以描述為：

請注意，該公式中的 DT 包含上升沿和下降沿之和。

5）、芯片本身損耗

三、黑盒和白盒的協(xié)同

白盒和黑盒兩種計算方式各有千秋，黑盒方式雖簡單粗暴但是有效，白盒方式雖精打細算但是很多參數(shù)無法精確獲得。譬如 RDS(ON) 取決于器件的結(jié)溫，而損耗會使結(jié)溫升高，為了得到精確的結(jié)果，需要進行迭代計算，這些迭代必須執(zhí)行到器件的結(jié)溫穩(wěn)定（通常到 < 1%）為止，這無疑增加了計算的復雜性和難度。

在工程應(yīng)用中，我們需要避免復雜的計算公式，所以比較簡便實用的方式是先用黑盒的方式計算得到電源的整體耗散功率，然后使用白盒方式計算外圍關(guān)鍵器件的耗散功率，兩者相減就是在芯片上耗散的功率，然后再根據(jù)熱電阻等參數(shù)進行熱耗分析。開關(guān)電源的關(guān)鍵外圍器件一般就是電感、續(xù)流二極管或MOSFET，所以計算比較簡單。

四、熱耗分析

耗散功率的計算最后需要換算為熱耗才會有實際意義，這是是否需要額外增加散熱措施的參考依據(jù)。

耗散功率與熱耗之間的聯(lián)系紐帶是熱阻，如圖1.7與1.8所示。

圖1.7 無散熱片的熱阻

圖1.8 帶散熱片的熱阻計算

在進行熱耗分析時,根據(jù)內(nèi)核至環(huán)境的熱阻Rja及芯片的耗散功率Pd可估算出芯片在特定的環(huán)境溫度Ta下的內(nèi)核溫度Tj，以芯片的內(nèi)核溫度Tj是否超過了極值Tjmax作為判斷芯片是否安全的依據(jù)。計算公式如下：