韓國研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)出了通過將數(shù)萬個納米大小的像素組合，改善OLED效率和壽命的技術(shù)。

根據(jù)10月7日消息，韓國研究財(cái)團(tuán)Ju Byungkwon高麗大學(xué)教授，Park Youngwook鮮文大學(xué)教授研究團(tuán)隊(duì)通過納米大小的像素，開發(fā)出了即使在高亮度狀態(tài)下也能展現(xiàn)出較高發(fā)光效率的OLED技術(shù)。

OLED具備卓越的色彩再現(xiàn)性，較高的對比度和可彎曲的特性等優(yōu)點(diǎn)，在顯示和照明市場上很受歡迎。但是因OLED內(nèi)部生產(chǎn)的光在通往外部過程中造成光損失，發(fā)光效率較低。在高亮度下效率急劇下降產(chǎn)生的Roll-off(效率滾降)現(xiàn)象，使得OLED存在使用壽命短的問題。

研究團(tuán)隊(duì)將數(shù)百納米大小的無數(shù)多的納米OLED聚集在一起，形成一個個像素的結(jié)構(gòu)，開發(fā)出了即使在高亮度條件下也能展現(xiàn)出較高發(fā)光效率的OLED。

調(diào)節(jié)像素大小和像素間的距離，實(shí)現(xiàn)發(fā)光效率的最大化，并改善Roll-off現(xiàn)象。對比之前，能量轉(zhuǎn)換效率提高了137%，高亮度條件下的效率也改善了2~3倍。

納米像素Array OLED的制作工程圖及激光干涉光刻裝置

在基板上面涂布光敏抗蝕劑后，通過激光干涉光刻，進(jìn)行納米Patterning。將Patterning后的光敏抗蝕劑作為界定納米像素區(qū)域的PDL使用。PDL上面蒸鍍有機(jī)物和金屬，制作出OLED元器件。在激光干涉蝕刻裝置上根據(jù)洛埃鏡的角度可以調(diào)節(jié)納米像素間的間距，可以通過控制曝光強(qiáng)度和顯像時間，調(diào)節(jié)納米像素的大小。

本次研究利用激光的干涉現(xiàn)象，采用了形成納米規(guī)模的Pattern激光干涉光刻技術(shù)。不需要Mask便可制作Pattern，并且可制作出更大的面積，也可以應(yīng)用到顯示、照明用大尺寸OLED上。

Ju Byungkwon教授稱”本次研究通過超高分辨率的納米像素，將能大幅改善在高亮度條件下的OLED發(fā)光效率”，并稱“可作為需要高亮度的OLED照明市場的核心技術(shù)而應(yīng)用，使用壽命將能延長”。

本次的研究成果刊登在9月1日版的納米材料領(lǐng)域國際學(xué)術(shù)雜志《NanoScale》上。