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英特爾70%的3D NAND快閃存儲器來自大連晶圓廠

芯資本 ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-09-29 15:01 ? 次閱讀

英特爾2006年與大連市政府達成合作協定,2007年起在大連投資25億美元,建設12英寸晶圓廠,主要負責處理器封裝測試,2010年大連晶圓廠正式落成。

處理器大廠英特爾(Intel)在2015年宣布,其總投資55億美元的大連的Fab 68晶圓廠第2期工程改造為NAND Flash快閃存儲器工廠之后,現在宣布已經正式投產。未來,主要將生產96層堆疊的3D NAND Flash快閃存儲器,積極追趕競爭對手的市占率。

根據統計,在全球NAND Flash快閃存儲器市場上,韓國三星的市占率高達到37%,東芝、西部數據則分別有20%、15%左右的市占率。再來才是美光、SK Hynix,英特爾是全球6大廠商中市占率最少的,不足10%,這也導致英特爾過去在NAND Flash快閃存儲器,以及SSD固態硬盤市場上主打企業級市場,消費等級SSD市場就放置在重點之外,造成影響力遠不如三星、東芝、美光等競爭對手。而出現這種情況的原因,就在于英特爾沒有自己獨立的NAND Flash快閃存儲器產能。

為了填補此空缺,2015年英特爾宣布,將在大連的Fab 68工廠建設第2期工程,用于生產非易失性存儲器,也就是NAND Flash快閃存儲器,總投資高達55億美元。如今,經過3年的建設,Fab 68工廠的第2期工廠正式投產,主要將生產96層3D NAND快閃存儲器,這也意味著英特爾未來的3D NAND快閃存儲器產能將會大增。

據了解,英特爾2006年與大連市政府達成合作協定,2007年起在大連投資25億美元,建設12英寸晶圓廠,主要負責處理器封裝測試,2010年大連晶圓廠正式落成。至于現在宣布量產的大連Fab 68第2期工廠,未來將成為英特爾最重要的NAND快閃存儲器生產基地。

預計,英特爾70%的3D NAND快閃存儲器將產自這里。至于與美光共同合作的3D XPoint快閃存儲器,則在英特爾與美光宣布兩家公司分道揚鑣之后,英特爾正在把研發基地移師到新墨西哥州的工廠,預計會增加當地100多個工作崗位。

目前,英特爾與美光的3D XPoint快閃存儲器主要是在美國猶他州的工廠生產。雙方在正式分道揚鑣之前,將會繼續努力合作完成第2代3D XPoint技術開發,最終將會在2019年上半年完成并開始推出市場。但之后兩家就會各奔前程,各自開發基于3D XPoint技術的第3代產品。

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原文標題:英特爾大連廠2期投產,將生產70%3D NAND

文章出處:【微信號:ICCapital,微信公眾號:芯資本】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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