晶體管圖示儀的設(shè)計(jì)與制作,Transistor characteristic exhibit instrument
關(guān)鍵字:晶體管圖示儀電路圖
作者:杜智銓 王虹 薛云 任維政
晶體管圖示儀器是用來(lái)測(cè)量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實(shí)驗(yàn)、教學(xué)和工程中通過(guò)使用圖示儀,可以獲得晶體管的實(shí)際特性,能更好的發(fā)揮晶體管的作用。這款簡(jiǎn)易晶體管圖示儀制作簡(jiǎn)單、價(jià)格低廉、使用方便,可以滿足對(duì)于數(shù)值精度要求不高的場(chǎng)合。
與普通示波器配合使用,即可測(cè)量小功率NPN、P:NP管的輸入、輸出特性曲線。另外本設(shè)計(jì)還擴(kuò)展了晶體管極性判別,晶體管放大倍數(shù)測(cè)量、顯示和語(yǔ)音播報(bào)功能。
一、系統(tǒng)原理
下圖為系統(tǒng)框圖。晶體管的輸出特性是指在一定的基極電流Ib時(shí),晶體管集電極與發(fā)射極之間的電壓Uce同集電極電流IC之間的關(guān)系。每個(gè)lb對(duì)應(yīng)一條輸出特性曲線。將多個(gè)lb對(duì)應(yīng)的曲線同時(shí)顯示在示波器上,就可以得到一簇輸出特性曲線。
晶體管的輸入特性是指在一定的Uce下,晶體管基極與發(fā)射極之間的電壓Uhe同基極電流Ib之間的關(guān)系。每個(gè)Uce對(duì)應(yīng)一條輸入特性曲線。將多個(gè)Uce對(duì)應(yīng)的曲線同時(shí)顯示在示波器上,就可以得到一簇輸入特性曲線。
因此,一個(gè)簡(jiǎn)易晶體管圖示儀主要由以下三部分組成,即:基極電流產(chǎn)生電路、集電極掃描電壓產(chǎn)生電路和放大倍數(shù)測(cè)量顯示電路,如下圖所示。當(dāng)顯示晶體管的輸出特性時(shí),基極階梯電流產(chǎn)生電路是由單片機(jī)控制DAC2直接產(chǎn)生基極階梯電流;集電極掃描電壓產(chǎn)生電路由單片機(jī)控制DAC1產(chǎn)生從零開(kāi)始增大的電壓,再經(jīng)電壓放大電路放大以產(chǎn)生所需的掃描電壓。當(dāng)顯示晶體管的輸入特性時(shí),由單片機(jī)控制DAC2直接產(chǎn):生基極鋸齒電流;并由單片機(jī)控制DAC1、DAC2產(chǎn)生所需的階梯電壓和鋸齒波信號(hào)再經(jīng)電壓放大電路放大以產(chǎn)生所需的掃描電壓。并通過(guò)凌陽(yáng)SPCE061A單片機(jī)上的按鍵,完成上述兩模式轉(zhuǎn)換。放大倍數(shù)測(cè)量顯示電路由單片機(jī)、數(shù)碼管和儀表放大電路組成。單片機(jī)接收處理采樣電壓,多次采樣取平均、得到放大倍數(shù),再經(jīng)單片機(jī)BCD譯碼送至外接數(shù)碼管顯示。
在電路實(shí)現(xiàn)中,本設(shè)計(jì)同時(shí)考慮了提高精確度、精簡(jiǎn)電路以及低成本等多種因素,做出了多方面的創(chuàng)新與改進(jìn)。
與普通示波器配合使用,即可測(cè)量小功率NPN、P:NP管的輸入、輸出特性曲線。另外本設(shè)計(jì)還擴(kuò)展了晶體管極性判別,晶體管放大倍數(shù)測(cè)量、顯示和語(yǔ)音播報(bào)功能。
一、系統(tǒng)原理
下圖為系統(tǒng)框圖。晶體管的輸出特性是指在一定的基極電流Ib時(shí),晶體管集電極與發(fā)射極之間的電壓Uce同集電極電流IC之間的關(guān)系。每個(gè)lb對(duì)應(yīng)一條輸出特性曲線。將多個(gè)lb對(duì)應(yīng)的曲線同時(shí)顯示在示波器上,就可以得到一簇輸出特性曲線。
晶體管的輸入特性是指在一定的Uce下,晶體管基極與發(fā)射極之間的電壓Uhe同基極電流Ib之間的關(guān)系。每個(gè)Uce對(duì)應(yīng)一條輸入特性曲線。將多個(gè)Uce對(duì)應(yīng)的曲線同時(shí)顯示在示波器上,就可以得到一簇輸入特性曲線。
因此,一個(gè)簡(jiǎn)易晶體管圖示儀主要由以下三部分組成,即:基極電流產(chǎn)生電路、集電極掃描電壓產(chǎn)生電路和放大倍數(shù)測(cè)量顯示電路,如下圖所示。當(dāng)顯示晶體管的輸出特性時(shí),基極階梯電流產(chǎn)生電路是由單片機(jī)控制DAC2直接產(chǎn)生基極階梯電流;集電極掃描電壓產(chǎn)生電路由單片機(jī)控制DAC1產(chǎn)生從零開(kāi)始增大的電壓,再經(jīng)電壓放大電路放大以產(chǎn)生所需的掃描電壓。當(dāng)顯示晶體管的輸入特性時(shí),由單片機(jī)控制DAC2直接產(chǎn):生基極鋸齒電流;并由單片機(jī)控制DAC1、DAC2產(chǎn)生所需的階梯電壓和鋸齒波信號(hào)再經(jīng)電壓放大電路放大以產(chǎn)生所需的掃描電壓。并通過(guò)凌陽(yáng)SPCE061A單片機(jī)上的按鍵,完成上述兩模式轉(zhuǎn)換。放大倍數(shù)測(cè)量顯示電路由單片機(jī)、數(shù)碼管和儀表放大電路組成。單片機(jī)接收處理采樣電壓,多次采樣取平均、得到放大倍數(shù),再經(jīng)單片機(jī)BCD譯碼送至外接數(shù)碼管顯示。
在電路實(shí)現(xiàn)中,本設(shè)計(jì)同時(shí)考慮了提高精確度、精簡(jiǎn)電路以及低成本等多種因素,做出了多方面的創(chuàng)新與改進(jìn)。

二、硬件設(shè)計(jì)
凌陽(yáng)SPCE061A單片機(jī)功能較強(qiáng)、兼容性好、性價(jià)比高,具有體積小、集成度高、易擴(kuò)展、可靠性高、功耗小以及具有較商的數(shù)據(jù)處理和運(yùn)算能力,系統(tǒng)最高時(shí)鐘頻率可達(dá)49MHz,運(yùn)行速度快。由于單片機(jī)內(nèi)部集成了A/D、D/A轉(zhuǎn)換器,故不需外加A/D、D/A器件。通過(guò)采樣取樣,結(jié)合內(nèi)部A/D、D/A,構(gòu)成閉環(huán)反饋調(diào)整控制,簡(jiǎn)化r硬件電路,提高了測(cè)量精度,同時(shí)也能利用軟件對(duì)測(cè)量誤差進(jìn)行補(bǔ)償,這給調(diào)試、維護(hù)和功能的擴(kuò)展、性能的提高,帶來(lái)了極大的方便。利用凌陽(yáng)SPCE061A單片機(jī)強(qiáng)大的語(yǔ)音播報(bào)功能,只要運(yùn)用簡(jiǎn)單的凌陽(yáng)自帶音頻壓縮文件與庫(kù)文件,就能播報(bào)晶體管放大倍數(shù)。
1.儀表放大器
出于提高精確度的考慮,采集電路用三運(yùn)放組成儀表放大器。如下圖所示。利用該電路求出集電極電阻和基極電阻上電壓,該電壓與電流成正比、故得到電流信號(hào)。儀表放大器具有精度高、功耗低、共模抑制比高、工作頻帶寬和輸入阻抗大等優(yōu)點(diǎn),可以較精確地測(cè)得Ic和Ib。再將Uce、Ic傳送至示波器得到輸出特性曲線.Ube、lb傳送至示波器得到輸人特性曲線。
凌陽(yáng)SPCE061A單片機(jī)功能較強(qiáng)、兼容性好、性價(jià)比高,具有體積小、集成度高、易擴(kuò)展、可靠性高、功耗小以及具有較商的數(shù)據(jù)處理和運(yùn)算能力,系統(tǒng)最高時(shí)鐘頻率可達(dá)49MHz,運(yùn)行速度快。由于單片機(jī)內(nèi)部集成了A/D、D/A轉(zhuǎn)換器,故不需外加A/D、D/A器件。通過(guò)采樣取樣,結(jié)合內(nèi)部A/D、D/A,構(gòu)成閉環(huán)反饋調(diào)整控制,簡(jiǎn)化r硬件電路,提高了測(cè)量精度,同時(shí)也能利用軟件對(duì)測(cè)量誤差進(jìn)行補(bǔ)償,這給調(diào)試、維護(hù)和功能的擴(kuò)展、性能的提高,帶來(lái)了極大的方便。利用凌陽(yáng)SPCE061A單片機(jī)強(qiáng)大的語(yǔ)音播報(bào)功能,只要運(yùn)用簡(jiǎn)單的凌陽(yáng)自帶音頻壓縮文件與庫(kù)文件,就能播報(bào)晶體管放大倍數(shù)。
1.儀表放大器
出于提高精確度的考慮,采集電路用三運(yùn)放組成儀表放大器。如下圖所示。利用該電路求出集電極電阻和基極電阻上電壓,該電壓與電流成正比、故得到電流信號(hào)。儀表放大器具有精度高、功耗低、共模抑制比高、工作頻帶寬和輸入阻抗大等優(yōu)點(diǎn),可以較精確地測(cè)得Ic和Ib。再將Uce、Ic傳送至示波器得到輸出特性曲線.Ube、lb傳送至示波器得到輸人特性曲線。

2.極性判別電路
晶體管類(lèi)型判別電路利用同相比較器。如下圖所示。由于NPN型和PNP型晶體管的電流流向相反,根據(jù)理論并反復(fù)測(cè)量得到,當(dāng)兩種晶體管按圖中電路結(jié)構(gòu)且連接方式相同時(shí)(即集電極接上端,發(fā)射極接下端),若晶體管為NPN型時(shí),射極電壓最大約為1V,而PNP型時(shí)射極電壓最小約為6V。據(jù)此將設(shè)定合適門(mén)限電壓,接入反相輸入端。當(dāng)晶體管為NPN型時(shí),射極電壓一直小于門(mén)限電壓,因此發(fā)光二極管不亮;當(dāng)晶體管為PNP型時(shí),射極電壓超過(guò)門(mén)限電壓,輸出高電平,發(fā)光二極管亮,即可判別晶體管類(lèi)型。

3.顯示電路
對(duì)顯示電路,本設(shè)計(jì)放棄了復(fù)雜的多個(gè)數(shù)碼管譯碼器7448驅(qū)動(dòng)數(shù)碼管顯示的傳統(tǒng)電路,利用軟件編程完成譯碼過(guò)程,通過(guò)10口直接驅(qū)動(dòng)數(shù)碼管顯示。
4。制版與焊接
為了更好的實(shí)現(xiàn)本設(shè)計(jì),設(shè)計(jì)印刷電路板時(shí),應(yīng)注意敷銅線要盡可能短、并避免相互平行以減少寄生電容。敷銅線的拐彎處應(yīng)為圓角或斜角。敷銅線寬度與相鄰敷銅線之間的間距最好不要低于0.3mm。敷銅線的公共地線應(yīng)該盡可能放在電路板的邊緣部分。在電路板上應(yīng)該盡可能多地保留銅箔做地線,這樣可以使屏蔽能力增強(qiáng)。模擬電路與數(shù)字電路單點(diǎn)接地以消除干擾。
另外對(duì)數(shù)字電路的PCB可用寬的地導(dǎo)線組成一個(gè)環(huán)路或網(wǎng)格——即構(gòu)成一個(gè)地網(wǎng)來(lái)使用,而模擬電路的地線則不能這樣排布。
印刷電路板完成后,按照尺寸由小到大焊接元件,次序:電阻,電容,二極管,三極管,其他元件等。集成電路安全焊接順序?yàn)椋旱囟恕敵龆恕?a target="_blank">電源端→輸入端。
焊接時(shí)間在保證焊接質(zhì)量的前提下盡可能短,每個(gè)焊點(diǎn)最好用3s,以免損壞器件。隨時(shí)去烙鐵頭雜質(zhì),避免使用過(guò)多的焊劑。焊接結(jié)束后,需要檢查有無(wú)漏焊、虛焊現(xiàn)象。檢查時(shí),可用鑷子將每個(gè)元件輕輕提一提,看是否動(dòng)搖。
三、軟件設(shè)計(jì)
總的工程程序包括初始化程序、DAC同步輸出一路鋸齒波和一路階梯波程序、I/O定時(shí)采樣進(jìn)行AD轉(zhuǎn)換程序以及語(yǔ)音播報(bào)程序。其中,通過(guò)按鍵選擇輸出特性模式(DAC2產(chǎn)生階梯電流,DAC1產(chǎn)生鋸齒電壓)與輸入特性模式(DAC2產(chǎn)生鋸齒電流,DAC1產(chǎn)生階梯電壓)。總流程圖如下圖所示。
總的工程程序包括初始化程序、DAC同步輸出一路鋸齒波和一路階梯波程序、I/O定時(shí)采樣進(jìn)行AD轉(zhuǎn)換程序以及語(yǔ)音播報(bào)程序。其中,通過(guò)按鍵選擇輸出特性模式(DAC2產(chǎn)生階梯電流,DAC1產(chǎn)生鋸齒電壓)與輸入特性模式(DAC2產(chǎn)生鋸齒電流,DAC1產(chǎn)生階梯電壓)。總流程圖如下圖所示。

經(jīng)檢測(cè),本圖示儀運(yùn)行穩(wěn)定、可靠,采集數(shù)據(jù)比較準(zhǔn)確,能正確判斷晶體管極性并配有語(yǔ)音播報(bào),取得了令人滿意的效果。放大倍數(shù)測(cè)試數(shù)據(jù)如下表所示。輸出特性曲線如下圖所示。
下表放大倍數(shù)測(cè)試數(shù)據(jù)(采用DT9806型四位半數(shù)字萬(wàn)用表)
下表放大倍數(shù)測(cè)試數(shù)據(jù)(采用DT9806型四位半數(shù)字萬(wàn)用表)

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
大于外加電場(chǎng)時(shí),PN結(jié)才會(huì)有電流通過(guò)。當(dāng)?shù)谝粋€(gè)PN結(jié)與第二個(gè)PN結(jié)外加電壓都是同一個(gè)值時(shí),由于兩個(gè)PN結(jié)的限制作用,只允許大小等于PN結(jié)外加電壓的電壓值導(dǎo)通。
本晶體管已經(jīng)通過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,驗(yàn)證電路如下:
發(fā)表于 04-15 10:24
晶體管電路設(shè)計(jì)(下)
晶體管,F(xiàn)ET和IC,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計(jì),源極跟隨器電路設(shè)計(jì),F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)與制作,柵極接地放大電路的設(shè)計(jì),電流反饋型OP放大器的設(shè)計(jì)與制作,進(jìn)晶體管
發(fā)表于 04-14 17:24
晶體管電路設(shè)計(jì)(下) [日 鈴木雅臣]
本書(shū)主要介紹了晶體管,F(xiàn)ET和Ic,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計(jì),源極跟隨電路的設(shè)計(jì),F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)和制作,柵極接地放大電路的設(shè)計(jì),電流反饋行型op放大器的設(shè)計(jì)與制作
發(fā)表于 03-07 13:55
晶體管電路設(shè)計(jì)與制作
這本書(shū)介紹了晶體管的基本特性,單管電路的設(shè)計(jì)與制作, 雙管電路的設(shè)計(jì)與制作,3~5管電路的設(shè)計(jì)與制作
發(fā)表于 02-26 19:55
晶體管電流放大器的原理 晶體管在功放電路中的應(yīng)用實(shí)例
Transistor)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET,F(xiàn)ield-Effect Transistor)。BJT包括NPN和PNP兩種結(jié)構(gòu)
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管有什么區(qū)別
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱JFET)和N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(N-Channel Field-Effect Transistor
達(dá)林頓晶體管概述和作用
達(dá)林頓晶體管(Darlington Transistor),或稱達(dá)林頓對(duì)(Darlington Pair),是電子學(xué)中一種由兩個(gè)(甚至多個(gè))雙極性晶體管(或其他類(lèi)似的集成電路或分立元件)組成的復(fù)合
雪崩晶體管的定義和工作原理
雪崩晶體管(Avalanche Transistor)是一種具有特殊工作特性的晶體管,其核心在于其能夠在特定條件下展現(xiàn)出雪崩倍增效應(yīng)。以下是對(duì)雪崩晶體管的定義、工作原理以及相關(guān)特性的詳
單結(jié)晶體管的工作原理和伏安特性
單結(jié)晶體管(Unipolar Junction Transistor,簡(jiǎn)稱UJT),又稱基極二極管或單晶二極管,是一種具有獨(dú)特工作原理和伏安特性的半導(dǎo)體器件。以下將詳細(xì)闡述單結(jié)

NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別
NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見(jiàn)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)類(lèi)型,它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景等方面詳細(xì)闡述NMOS晶體管
什么是單極型晶體管?它有哪些優(yōu)勢(shì)?
單極型晶體管,也被稱為單極性晶體管或場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field-Effect Transistor, FET),是一種在電子學(xué)中廣泛使用的半導(dǎo)體器件。它的工作原理基于電場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體材料導(dǎo)電
場(chǎng)效應(yīng)晶體管和雙極性晶體管有什么區(qū)別
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)和雙極性晶體管(Bipolar Junction Transistor,簡(jiǎn)稱BJT,也稱雙極性結(jié)型
晶體管實(shí)現(xiàn)放大作用的內(nèi)外部條件
Transistor, BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor, FET)。BJT又分為NPN和PNP兩種類(lèi)型,F(xiàn)ET則分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和
PNP晶體管符號(hào)和結(jié)構(gòu) 晶體管測(cè)試儀電路圖
PNP晶體管是一種雙極性晶體管,用于電子電路中放大、開(kāi)關(guān)和控制電流的器件。與NPN晶體管相對(duì)應(yīng),PNP晶體管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)在于其三個(gè)不同的半導(dǎo)體區(qū)域:正極(P型)、負(fù)極(N型)、正極(P型

晶體管光耦概念、原理及特點(diǎn)探討
晶體管光耦(Transistor Output Optocoupler)是一種用于隔離和傳輸電信號(hào)的器件,主要由發(fā)光二極管(LED)、光電三極管(Phototransistor)組成。

評(píng)論