場效應管檢測方法與經(jīng)驗,FET test methods and experience
關(guān)鍵字:場效應管檢測,場效應管應用
MOS場效應管的輸人電阻高,柵極G允許的感應電壓不應過高,所以不要直接用手去捏柵極,必須用于握螺絲刀的絕緣柄,用金屬桿去碰觸柵極,以防止人體感應電荷直接加到柵極,引起柵極擊穿。
一、用指針式萬用表對場效應管進行判別 (1)用測電阻法判別結(jié)型場效應管的電極
根據(jù)場效應管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,可以判別出結(jié)型場效應管的三個電極。具體方法:將萬用表撥在R×1k檔上,任選兩個電極,分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等,且為幾千歐姆時,則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結(jié)型場效應管而言,漏極和源極可互換,剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表的黑表筆(紅表筆也行)任意接觸一個電極,另一只表筆依次去接觸其余的兩個電極,測其電阻值。當出現(xiàn)兩次測得的電阻值近似相等時,則黑表筆所接觸的電極為柵極,其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大,說明是PN結(jié)的反向,即都是反向電阻,可以判定是N溝道場效應管,且黑表筆接的是柵極;若兩次測出的電阻值均很小,說明是正向PN結(jié),即是正向電阻,判定為P溝道場效應管,黑表筆接的也是柵極。若不出現(xiàn)上述情況,可以調(diào)換黑、紅表筆按上述方法進行測試,直到判別出柵極為止。
一、用指針式萬用表對場效應管進行判別 (1)用測電阻法判別結(jié)型場效應管的電極
根據(jù)場效應管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,可以判別出結(jié)型場效應管的三個電極。具體方法:將萬用表撥在R×1k檔上,任選兩個電極,分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等,且為幾千歐姆時,則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結(jié)型場效應管而言,漏極和源極可互換,剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表的黑表筆(紅表筆也行)任意接觸一個電極,另一只表筆依次去接觸其余的兩個電極,測其電阻值。當出現(xiàn)兩次測得的電阻值近似相等時,則黑表筆所接觸的電極為柵極,其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大,說明是PN結(jié)的反向,即都是反向電阻,可以判定是N溝道場效應管,且黑表筆接的是柵極;若兩次測出的電阻值均很小,說明是正向PN結(jié),即是正向電阻,判定為P溝道場效應管,黑表筆接的也是柵極。若不出現(xiàn)上述情況,可以調(diào)換黑、紅表筆按上述方法進行測試,直到判別出柵極為止。
(2)用測電阻法判別場效應管的好壞 測電阻法是用萬用表測量場效應管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場效應管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法:首先將萬用表置于R×10或R×100檔,測量源極S與漏極D之間的電阻,通常在幾十歐到幾千歐范圍(在手冊中可知,各種不同型號的管,其電阻值是各不相同的),如果測得阻值大于正常值,可能是由于內(nèi)部接觸不良;如果測得阻值是無窮大,可能是內(nèi)部斷極。然后把萬用表置于R×10k檔,再測柵極G1與G2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值,當測得其各項電阻值均為無窮大,則說明管是正常的;若測得上述各阻值太小或為通路,則說明管是壞的。要注意,若兩個柵極在管內(nèi)斷極,可用元件代換法進行檢測。
(3)用感應信號輸人法估測場效應管的放大能力
具體方法:用萬用表電阻的R×100檔,紅表筆接源極S,黑表筆接漏極D,給場效應管加上1.5V的電源電壓,此時表針指示出的漏源極間的電阻值。然后用手捏住結(jié)型場效應管的柵極G,將人體的感應電壓信號加到柵極上。這樣,由于管的放大作用,漏源電壓VDS和漏極電流Ib都要發(fā)生變化,也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化,由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極表針擺動較小,說明管的放大能力較差;表針擺動較大,表明管的放大能力大;若表針不動,說明管是壞的。
根據(jù)上述方法,我們用萬用表的R×100檔,測結(jié)型場效應管3DJ2F。先將管的G極開路,測得漏源電阻RDS為600Ω,用手捏住G極后,表針向左擺動,指示的電阻RDS為12kΩ,表針擺動的幅度較大,說明該管是好的,并有較大的放大能力。
根據(jù)上述方法,我們用萬用表的R×100檔,測結(jié)型場效應管3DJ2F。先將管的G極開路,測得漏源電阻RDS為600Ω,用手捏住G極后,表針向左擺動,指示的電阻RDS為12kΩ,表針擺動的幅度較大,說明該管是好的,并有較大的放大能力。
運用這種方法時要說明幾點:首先,在測試場效應管用手捏住柵極時,萬用表針可能向右擺動(電阻值減小),也可能向左擺動(電阻值增加)。這是由于人體感應的交流電壓較高,而不同的場效應管用電阻檔測量時的工作點可能不同(或者工作在飽和區(qū)或者在不飽和區(qū))所致,試驗表明,多數(shù)管的RDS增大,即表針向左擺動;少數(shù)管的RDS減小,使表針向右擺動。但無論表針擺動方向如何,只要表針擺動幅度較大,就說明管有較大的放大能力。第二,此方法對MOS場效應管也適用。但要注意,MOS場效應管的輸人電阻高,柵極G允許的感應電壓不應過高,所以不要直接用手去捏柵極,必須用于握螺絲刀的絕緣柄,用金屬桿去碰觸柵極,以防止人體感應電荷直接加到柵極,引起柵極擊穿。第三,每次測量完畢,應當G-S極間短路一下。這是因為G-S結(jié)電容上會充有少量電荷,建立起VGS電壓,造成再進行測量時表針可能不動,只有將G-S極間電荷短路放掉才行。
(4)用測電阻法判別無標志的場效應管 首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳,也就是源極S和漏極D,余下兩個腳為第一柵極G1和第二柵極G2。把先用兩表筆測的源極S與漏極D之間的電阻值記下來,對調(diào)表筆再測量一次,把其測得電阻值記下來,兩次測得阻值較大的一次,黑表筆所接的電極為漏極D;紅表筆所接的為源極S。用這種方法判別出來的S、D極,還可以用估測其管的放大能力的方法進行驗證,即放大能力大的黑表筆所接的是D極;紅表筆所接地是8極,兩種方法檢測結(jié)果均應一樣。當確定了漏極D、源極S的位置后,按D、S的對應位置裝人電路,一般G1、G2也會依次對準位置,這就確定了兩個柵極G1、G2的位置,從而就確定了D、S、G1、G2管腳的順序。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
場效應管驅(qū)動電路設(shè)計 如何降低場效應管的噪聲
在設(shè)計場效應管驅(qū)動電路時,降低場效應管的噪聲是至關(guān)重要的。以下是一些有效的措施來降低場效應管的噪聲: 一、電源噪聲的抑制 選擇穩(wěn)定的電源 : 使用低噪聲、穩(wěn)定的電源為場效應管供電,可以
場效應管的參數(shù)介紹 如何測試場效應管的功能
場效應管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種電壓控制型半導體器件,主要通過改變輸入端的電壓來控制輸出端的電流。場效應管廣泛應用于放大、開關(guān)、電源管理等領(lǐng)域。 場
常見場效應管類型 場效應管的工作原理
場效應管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種電壓控制型半導體器件,它利用電場效應來控制電流的流動。場效應管的主要類型有結(jié)型
什么是N溝道場效應管和P溝道場效應管
場效應管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種通過改變電場來控制半導體材料導電性能的電子器件。根據(jù)導電溝道中載流子的類型,場效應管可以分為N溝道場效應管和
N溝道場效應管和P溝道場效應管有什么區(qū)別
N溝道場效應管(N-Channel Field Effect Transistor, N-Channel FET)和P溝道場效應管(P-Channel Field Effect Transistor
簡單認識場效應管和集成運放
場效應晶體管(Field Effect Transistor,簡稱FET),又稱場效應管,是一種利用電場效應來控制半導體材料導電性能的電壓控制型半導體器件。它主要由柵極(G)、源極(S
場效應管N溝道和P溝道怎樣判斷
場效應管(Field-Effect Transistor, FET)的N溝道和P溝道是其兩種主要類型,它們在導電機制、結(jié)構(gòu)特點、工作原理及應用場景上存在顯著差異。要準確判斷一個場效應管是N溝道還是P
場效應管的控制電壓的主要參數(shù)
場效應管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種廣泛應用于電子電路中的半導體器件,其工作原理是通過改變柵極電壓來控制漏極和源極之間的電流。場效應管具有輸入阻抗高、驅(qū)動功率
場效應管是電壓控制器件嗎
是的。場效應管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種電壓控制型半導體器件。它利用電場效應來控制電流的流動,具有輸入阻抗高、功耗低、噪聲小等優(yōu)點,在電子電路中得到
場效應管與IGBT能通用嗎
場效應管(Field-Effect Transistor,FET)和絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是兩種不同類型的半導體器件,它們
場效應管控制電流大小的原理
場效應管(Field Effect Transistor,簡稱FET)控制電流大小的原理主要基于其獨特的電壓控制特性。FET是一種電壓控制型半導體器件,通過改變柵極(Gate)與源極(Source
場效應管怎樣調(diào)節(jié)電流
場效應管(Field Effect Transistor,簡稱FET)在電路中調(diào)節(jié)電流的方式主要通過控制其柵極(Gate)電壓來實現(xiàn)。以下將詳細闡述場效應管如何調(diào)節(jié)電流,包括其工作原理、控制方
場效應管在線路板上如何測量好壞
場效應管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種常用的半導體器件,廣泛應用于各種電子線路中。在實際應用中,我們經(jīng)常需要對場效應管進行檢測,以判斷其好壞。 一
場效應管柵源極電壓的影響因素
場效應管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種常用的半導體器件,廣泛應用于模擬和數(shù)字電路中。場效應管的工作原理是通過改變柵源極電壓(Vgs)來控制漏極和源極之間的電流
如何分別場效應管的三個極
場效應管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種半導體器件,廣泛應用于電子電路中。它具有三個主要的引腳:源極(Source)、漏極(Drain)和柵極(Gate)。正確
評論