單結(jié)晶體管是近幾年發(fā)展起來(lái)的一類(lèi)新型電子器件，它具有一種重要的電氣性能，即負(fù)阻特性，可以大大簡(jiǎn)化自激多諧振蕩器、階梯波發(fā)生器及定時(shí)電路等多種脈沖產(chǎn)生單元電路的結(jié)構(gòu)，故而應(yīng)用十分廣泛。了解單結(jié)晶體管的伏安特性曲線(xiàn)，是理解及設(shè)計(jì)含單結(jié)晶體管電路工作原理的基礎(chǔ)。在傳統(tǒng)的單結(jié)晶體管伏安特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)中，通常需要直流電源與晶體管圖示儀兩種設(shè)備配合使用，然而圖示儀沒(méi)有相應(yīng)的器件插孔，測(cè)試很不方便。另外，因圖示儀的頻率特性低，無(wú)法顯示單結(jié)晶體管伏安特性的負(fù)阻區(qū)，這給理解其特性曲線(xiàn)帶來(lái)困難。可以利用Multisim 10與LabVIEW結(jié)合完整地顯示其特性曲線(xiàn)，且方便于讀取峰點(diǎn)與谷點(diǎn)的電壓及電流值。

1 用Multisim 10進(jìn)行數(shù)據(jù)采集

Multisim 10的元器件庫(kù)提供數(shù)千種電路元器件供實(shí)驗(yàn)選用，虛擬測(cè)試儀器儀表種類(lèi)齊全，有一般實(shí)驗(yàn)用的通用儀器，但沒(méi)有晶體管圖示儀，只能測(cè)試晶體三極管、PMOS和NMOS伏安特性曲線(xiàn)，不具備測(cè)試單結(jié)晶體管的伏安特性的功能。可以利用Multisim 10強(qiáng)大的仿真功能，對(duì)單結(jié)晶體管的測(cè)試電路進(jìn)行數(shù)據(jù)采集。

1.1 單結(jié)晶體管的測(cè)試電路

單結(jié)晶體管的伏安特性測(cè)試條件是當(dāng)?shù)诙鶚OB2與第一基極B1之間的電壓VBB固定時(shí)，測(cè)試發(fā)射極電壓VE和發(fā)射極電流IE之間的關(guān)系。在Multisim 10中畫(huà)出單結(jié)晶體管的測(cè)試電路，如圖l所示。選取2N6027管為測(cè)試管，圖1中4號(hào)線(xiàn)接發(fā)射極E；3號(hào)線(xiàn)接第二基極B2；0號(hào)線(xiàn)接第一基極B1；電壓源V1和V2的數(shù)值不固定，可在直流掃描時(shí)進(jìn)行修改。

1.2 單結(jié)晶體管測(cè)試電路的直流掃描分析

Multisim 10可同時(shí)對(duì)2個(gè)直流源進(jìn)行掃描，仿真時(shí)，選擇V2直流源，掃描曲線(xiàn)的數(shù)量等于V2直流源的采樣點(diǎn)數(shù)。每條曲線(xiàn)相當(dāng)于V2直流源取某個(gè)電壓值時(shí)，對(duì)V1直流源進(jìn)行直流掃描分析所得的曲線(xiàn)。橫坐標(biāo)是V2，縱坐標(biāo)是V(4)電壓(即VE)和I(V3)電流(即IE)，不符合單結(jié)晶體管伏安特性VE與IE之間的關(guān)系曲線(xiàn)，即直流掃描曲線(xiàn)不能直觀(guān)地反映VE與IE之間的關(guān)系，必須進(jìn)行進(jìn)一步的處理。

1.3 單結(jié)晶體管測(cè)試數(shù)據(jù)的后處理

可采用Multisim 10提供的后處理功能與直流掃描功能相配合，將采集的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)輸出到Excel電子表格中，如圖2所示。在Excel表中，X-Trace欄顯示的是變化的V2電壓值；Y-Trace顯示的是不同V2電壓下，I(V2)的電流值和V(4)的電壓值，因?yàn)槊總€(gè)點(diǎn)均有橫坐標(biāo)與縱坐標(biāo)的值，所以會(huì)出現(xiàn)多次的X-Trace欄。至此，由Multisim10進(jìn)行的數(shù)據(jù)采集工作已經(jīng)結(jié)束。

2 用LabVIEW顯示單結(jié)晶體管伏安特性

LabVIEW的主要特點(diǎn)是用戶(hù)可依托計(jì)算機(jī)的資源構(gòu)建虛擬儀器，以代替實(shí)際儀器完成測(cè)試和測(cè)量任務(wù)。在LabVIEW中，開(kāi)發(fā)程序都被稱(chēng)為VI(虛擬儀器)，其擴(kuò)展名默認(rèn)為．vi。所有的VI都包括前面板(front panel)、框圖(block diagram)及圖標(biāo)和連接器窗格(icon and connector pane)3部分。虛擬儀器的交互式用戶(hù)接口被稱(chēng)為前面板，它模仿了實(shí)際儀器的面板。Multisim 10采集的數(shù)據(jù)為Excel電子表格數(shù)據(jù)，1個(gè)點(diǎn)1對(duì)坐標(biāo)，是輸入電壓V2與I(V2)及輸入電壓V2與V(4)的關(guān)系，而單結(jié)晶體管的伏安特性描述的是電壓V(4)，即VE與電流I(V2)，即IE之間的關(guān)系，因此不能直接用Multisim 10采集的數(shù)據(jù)進(jìn)行顯示，可以通過(guò)LabVIEW進(jìn)行相應(yīng)數(shù)據(jù)的提取。

2.1 LabVIEW軟件程序開(kāi)發(fā)

LabVIEW程序設(shè)計(jì)具有結(jié)構(gòu)化和層次化的特征。通過(guò)采用模塊化的設(shè)計(jì)方法，一個(gè)應(yīng)用程序可以分為許多個(gè)相對(duì)獨(dú)立的模塊，每個(gè)模塊實(shí)現(xiàn)特定的功能。通過(guò)對(duì)模塊的不同管理和組合，可以完成各種復(fù)雜VI的程序設(shè)計(jì)。當(dāng)程序規(guī)模較大，或有多個(gè)相同的處理模塊時(shí)，用戶(hù)可以為這些模塊設(shè)計(jì)一個(gè)子程序，即子VI。子VI類(lèi)似于傳統(tǒng)文本語(yǔ)言的子程序，它可以被多次調(diào)用，而不用重新編寫(xiě)代碼，這使得設(shè)計(jì)復(fù)雜的重復(fù)性動(dòng)作變得更加容易，應(yīng)用程序的維護(hù)更加簡(jiǎn)單。創(chuàng)建應(yīng)用程序時(shí)，通常從頂層VI開(kāi)始，為應(yīng)用程序定義輸入和輸出，然后構(gòu)建子VI，完成對(duì)流過(guò)框圖數(shù)據(jù)流的必要操作。數(shù)據(jù)顯示程序的設(shè)計(jì)層次如圖3所示，圖中自創(chuàng)文件主要有三個(gè)，低層文件SN TRAN、中層文件SM、高層文件UTJ VI。

2.1.1 數(shù)據(jù)顯示程序結(jié)構(gòu)中子程序介紹

SN TRAN子程序功能：字符串轉(zhuǎn)換子程序，讀取含有以逗號(hào)、換行或其他非數(shù)字字符分隔的數(shù)字ASCII字符串，并將其轉(zhuǎn)換為一個(gè)數(shù)組，采用該子程序可以將Multisim 10中采集的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成LabVIEW中可以讀取的數(shù)據(jù)，其程序框圖如圖4所示。

SM掃描子VI功能：將采集的數(shù)據(jù)文件讀人，并可以顯示出數(shù)據(jù)或波形，其程序框圖如5所示。經(jīng)SN TRAN轉(zhuǎn)換后得到的數(shù)據(jù)可以用數(shù)值方式顯示兩個(gè)量之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系；也可以作為圖形直觀(guān)地顯示兩個(gè)量之間的變化趨勢(shì)。UTJ VI單結(jié)晶體管顯示子VI功能：顯示單結(jié)晶體管VE和IE之間的變化趨勢(shì)，程序框圖如圖6所示。其前面板顯示的單結(jié)晶體管伏安特性曲線(xiàn)如圖7所示。

2.2 單結(jié)晶體管伏安特性參數(shù)的讀取

游標(biāo)是圖形的特殊個(gè)性化特征，利用圖形的游標(biāo)能夠準(zhǔn)確地讀出曲線(xiàn)上任何一點(diǎn)的數(shù)據(jù)，如圖7所示。這里增加了兩個(gè)游標(biāo)，分別命名為P：VP&IP和V：VV＆IV，且可以設(shè)置成在圖中顯示，這樣既可直觀(guān)地看出具體點(diǎn)的標(biāo)記。名稱(chēng)后面的數(shù)據(jù)分別表示橫坐標(biāo)電壓和縱坐標(biāo)電流的數(shù)值，且數(shù)據(jù)精度可以根據(jù)需要設(shè)置。因單結(jié)晶體管的反向漏電流很小，只是微安級(jí)，所以應(yīng)將精度設(shè)置大些，才能體現(xiàn)出數(shù)據(jù)的變化。移動(dòng)游標(biāo)，可以讀出任意點(diǎn)的坐標(biāo)，這樣方便于讀數(shù)，游標(biāo)的形狀、顏色均可以改變，增加了使用的靈活性。

2.3 單結(jié)晶體管伏安特性分析

截止區(qū) 當(dāng)加在第二基極與第一基極間的電壓VBB固定時(shí)，等效電路中A點(diǎn)對(duì)B1的電壓UA=ηVBB為定值；當(dāng)VE較小，且VEA時(shí)，PN結(jié)反偏，此時(shí)只有很小的反向漏電流IEO(幾微安)，如前面板中顯示的前幾個(gè)電壓值很小時(shí)，電流值為負(fù)，即圖中曲線(xiàn)的起始段；當(dāng)VE增大，且VE=VA時(shí)，PN結(jié)處于零偏，IE=0。當(dāng)VE繼續(xù)增大，且VE>VA時(shí)，IE開(kāi)始大于零。由于硅二極管的正向壓降為0.7 V，所以IE不會(huì)顯著的增加，該電壓稱(chēng)為峰值電壓VP，圖中顯示為VP=6.538 54 V，對(duì)應(yīng)的電流稱(chēng)為峰值電流IP，圖中顯示為IP=0.00 249 A=0.25 mA，這一區(qū)域稱(chēng)為截止區(qū)，即P點(diǎn)前區(qū)。因?yàn)閿?shù)值太小，從曲線(xiàn)上看不出來(lái)變化趨勢(shì)。

負(fù)阻區(qū) 當(dāng)VE繼續(xù)增加，且VE>VA時(shí)，管子轉(zhuǎn)向?qū)ǎ琍N結(jié)電流開(kāi)始顯著增加，這時(shí)將有大量的空穴進(jìn)入基區(qū)，使E，B1間的載流子大量增加，Re1迅速減小，而RB1的減小又使VA降低，導(dǎo)致IE又進(jìn)一步加大，這種正反饋的過(guò)程，使IE急劇增加，VA下降，此時(shí)單結(jié)晶體管呈現(xiàn)了負(fù)阻特性，如圖中曲線(xiàn)的P～V段。到了“V”點(diǎn)，負(fù)阻特性結(jié)束，V點(diǎn)電壓Vv稱(chēng)為谷點(diǎn)電壓。前面板中V點(diǎn)坐標(biāo)顯示為Vv=0.867 417 V，對(duì)應(yīng)的電流稱(chēng)為谷點(diǎn)電流Iv(Iv=0.057 295 A=57.29 mA)。

飽和區(qū) 過(guò)了谷點(diǎn)V之后，繼續(xù)增加VE，IE～VE曲線(xiàn)的形狀接近二極管導(dǎo)通時(shí)的正向特性曲線(xiàn)，如曲線(xiàn)“V”點(diǎn)向上段，此時(shí)稱(chēng)為飽和區(qū)。

當(dāng)改變VBB電壓時(shí)，即改變了閾值電壓VA，此時(shí)曲線(xiàn)的峰點(diǎn)電壓也隨之改變。

3 結(jié) 語(yǔ)

Muhisim 10與LabVIEW相結(jié)合，利用子程序做成測(cè)試單結(jié)晶體管弛張振蕩電路中電容器的充放電尖脈沖波形，可以彌補(bǔ)普通示波器測(cè)試頻帶窄而不能顯示這些波形的缺陷。這種方法還可以推廣到測(cè)試并顯示任何電路中任意兩個(gè)量之間的關(guān)系，這對(duì)分析電路的伏安特性、傳輸特性等具有很大的意義。