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MRAM,ReRAM,Xpoint這三個(gè)技術(shù)是目前市場(chǎng)的焦點(diǎn)

SSDFans ? 來(lái)源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-08-16 15:22 ? 次閱讀

Persistent Memory 一直是存儲(chǔ)的熱點(diǎn),這里面的技術(shù)和藥物的研發(fā)類似,需要大量的時(shí)間和投入。NAND Flash這樣的技術(shù),其實(shí)是在1985年就研制成功,是隨著使用的成本一步一步下降到今天的地步。

對(duì)于目前PM的總結(jié),還是用The Memory Guys (http://thememoryguy.com/)的對(duì)比了。

先來(lái)看一下,每種技術(shù)后面的公司。MRAM目前是Everspin+GF, 之前的Avalanche這次完全沒有聲音。IBM和Samsung都有對(duì)MRAM的報(bào)告,但是他們也有對(duì)其他PM的報(bào)告。對(duì)于ReRAM來(lái)講,Crossbar+UMC,對(duì)于被收購(gòu)之前的Sandisk和HPE在這個(gè)上面的投入,好像已經(jīng)隨著Martin的離開消失了。https://www.theregister.co.uk/2017/01/25/cutting_hewlett_packard_labs_down_to_size/

對(duì)于FRAM,貌似是TI和Fujitsu 這兩家最積極。但是這兩個(gè)廠家和數(shù)據(jù)中心的距離都有點(diǎn)遠(yuǎn)。對(duì)于大部分的新技術(shù),行業(yè)中已有的巨頭都是處于觀望態(tài)度,除了不想出現(xiàn)殺敵一千,自傷八百的局面,還有就是創(chuàng)新者的窘境的問(wèn)題。因此,可以看出,MRAM和ReRAM的現(xiàn)狀最符合這個(gè)情況,小公司在前面打拼,大公司在后面觀望。

從產(chǎn)品來(lái)看,MRAM,ReRAM,Xpoint這三個(gè)技術(shù)是目前市場(chǎng)的焦點(diǎn)。但是Xpoint的地位基本上和X86在數(shù)據(jù)中心的地位類似,ARM和Power都在努力,但是現(xiàn)實(shí)比較骨感。

FMS2018 今年也有了一個(gè)MRAM的開發(fā)者日,從其中的話題不難看出,MRAM目前關(guān)注的市場(chǎng)是以Embedded市場(chǎng)為主,和數(shù)據(jù)中心有一些偏差。我們的確看到Everspin和其他幾個(gè)小廠都有使用Xilinx的FPGA作為MRAM的控制器,出品基于PCIE接口的MRAM產(chǎn)品,但是因?yàn)槿萘康脑颍壳翱隙ú皇怯脕?lái)做主存儲(chǔ),因此對(duì)于Xpoint基本上沒有威脅。今年年初的SNIA的NVM Summit中對(duì)MRAM的總結(jié)更全面。

ReRAM之前曾經(jīng)因?yàn)镠PE的“The Machine”熱過(guò)一陣,記得在2016年的NVM Summit上,Sandisk的人信心滿滿的談和HPE的合作,他們覺得Samsung因?yàn)樽约河?28G的DIMM 產(chǎn)品,對(duì)于NVM的進(jìn)展不關(guān)心,因此希望ReRAM可以成為挑戰(zhàn)Intel 3DXpoint的最強(qiáng)勁的對(duì)手。后來(lái),因?yàn)镾andisk被WD收購(gòu),HPE解散了“The Machine”的團(tuán)隊(duì),目前大部分的人馬在做新的協(xié)議,Gen-Z。 Gen-Z和ZFS一樣,應(yīng)該都寄托了工程師Nerd對(duì)技術(shù)的深切渴望,“我是終極產(chǎn)品,其他人都可以洗洗睡了”,但是希望不要是ZFS一樣。

和MRAM的一個(gè)比較的不同是,ReRAM和目前的顯學(xué)AI的關(guān)系更加緊密,利用自身的結(jié)構(gòu),ReRAM上的PIM和NN的研究不少。

3DXpoint無(wú)疑是目前市場(chǎng)的勝利者,雖然Intel和Micron都對(duì)3D Xpoint是啥守口如瓶,但是坊間的磨皮公司很多,基本都拆解的差不多。

l PCM的技術(shù),20nm的制成

l Cross Point的陣列,堆疊的選擇器

l 花了近10年的時(shí)間,Intel,Micron,Numonyx 以及IP的vendor都有提及

雖然目前市場(chǎng)的AEP沒有做到Intel在2015年預(yù)熱時(shí)候的宣傳,對(duì)比NAND,有1000X的性能, 1000X的endurance, 但是它無(wú)疑是市場(chǎng)上的贏家,在推出M.2/U.2 的PCIE接口之后,他有推出了DIMM slot。

比較有意思的是,這個(gè)技術(shù)是Intel和Micron的合作,兩家的合作即將終止,但是到現(xiàn)在為止Micron沒有推出任何產(chǎn)品,特別在今年的FMS的Micron展臺(tái)上也沒有3D Xpoint的消息,這個(gè)的確是一個(gè)比較奇怪的事情,Micron是不是覺得Intel這種賠本賺吆喝的事情只是適合Intel做?最新的消息,Google Cloud率先選擇部署3D Xpoint 的DIMM,這個(gè)是否可以為NVDIMM-P帶來(lái)更多的應(yīng)用。

對(duì)于單個(gè)3D Xpoint的芯片來(lái)講,猜測(cè)的規(guī)格如下:

l 128Gbit。>10%的OP.

l 讀延時(shí)是~125ns,寫延時(shí)是比較大。

l Endurance: ~200K cycles

可以看出,這個(gè)不是DRAM的替代者,當(dāng)然也不是NAND Flash的替代者。

可以看到3D NAND的生命周期比之前預(yù)想的要長(zhǎng)很多。這個(gè)可能對(duì)于其他兩家的PM不是好消息。

另外報(bào)道一個(gè)比較有意思的現(xiàn)象,在第二天早上的一個(gè)Session中 NEWM-201A-1: 3D XPoint: Current Implementations and Future Trends (New Memory Technologies Track), 雖然比較早,但是的確是門庭若市。因?yàn)樵诘诙€(gè)環(huán)節(jié),應(yīng)用材料的session實(shí)在聽不懂,直接去了PMEM-201-1: Persistent Memory Software and Applications (Persistent Memory Track), 這個(gè)Session基本只有10個(gè)人不到。的確很奇怪,對(duì)于PM的制造的興趣大于對(duì)如何使用的興趣,這個(gè)對(duì)于PM可能也不是啥好事吧。

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原文標(biāo)題:Flash Memory Summit 2018 (3):新型存儲(chǔ)器大盤點(diǎn)

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