最新研究發現金屬鉑可擁有半導體特性

日本研究人員最新研究發現，金屬鉑制成只有2納米厚的超薄膜時，可以擁有類似硅等半導體的特性。

研究人員認為，這一發現挑戰了對于半導體材料的傳統認知，有助于推動相關領域發展。傳統意義上，金屬和半導體被嚴格區分，金屬一般導電性能好，而半導體介于絕緣體和導體之間，導電性可受控制。用硅等常見半導體材料制造的晶體管廣泛應用于各種電子設備中。京都大學研究小組發現，在一種名為“釔鐵石榴石”的磁性絕緣體上將重金屬鉑制成只有2納米厚的超薄膜時，它可以像半導體一樣，通過外部電壓控制電阻。此外，研究人員還發現鉑能夠大幅調節和控制“自旋軌道耦合”這一效應。

自旋軌道耦合是指粒子自旋和軌道運動之間的相互作用，在自旋電子學等研究中扮演關鍵角色。半導體或其他新材料的研究常常會涉及這一效應。研究小組稱，這一發現與傳統的固體物理學常識不符，將有助于電子學和自旋電子學領域的發展。這一研究成果已發表在新一期英國《自然·通訊》雜志上。

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