7月20日韓聯(lián)社報(bào)道，韓國工業(yè)部長(zhǎng)白云揆（Paik Ungyu） 日前表示，韓國政府將加大對(duì)大型研發(fā)項(xiàng)目的支持，以開發(fā)尖端內(nèi)存芯片，應(yīng)對(duì)中國競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的崛起。

近兩年來，DRAM價(jià)格一路高歌猛進(jìn)，創(chuàng)下近30年來最大漲幅，而在這場(chǎng)漲價(jià)潮中三星電子、SK海力士、美光三大巨頭賺得盆滿缽滿。

芯片目前是韓國最大的出口產(chǎn)品，而中國是全球最大的芯片市場(chǎng)。2016年以來，中國相繼在武漢，南京、成都等城市投資建設(shè)半導(dǎo)體制造基地，投入資金達(dá)到700億美元之巨。這讓韓國政府和企業(yè)感到憂慮，同時(shí)業(yè)界對(duì)韓國芯片行業(yè)前景開始看淡。

韓國本土芯片制造商擔(dān)心，中國政府的舉措可能會(huì)以比預(yù)期更快地速度縮小與韓國的技術(shù)差距。屆時(shí)，如果產(chǎn)量得不到謹(jǐn)慎控制，將導(dǎo)致全球芯片價(jià)格暴跌。

“中國正加緊發(fā)展自己的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，縮小與韓國的差距，這還可能導(dǎo)致全球供應(yīng)過剩，內(nèi)存芯片價(jià)格的增速最近有所放緩，令人擔(dān)心超級(jí)周期正接近頂峰。” 白云揆（Paik Ungyu） 說道：“政府正在考慮支持設(shè)計(jì)及生產(chǎn)下一代存儲(chǔ)芯片的大型項(xiàng)目，并計(jì)劃在今年下半年進(jìn)行初步可行性研究，”

雖然中國政府決心要改變本國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀，但中國企業(yè)在技術(shù)層面與世界先進(jìn)水平還有較大差距。三星已經(jīng)開始量產(chǎn)第五代96層3D V-NAND閃存顆粒，而長(zhǎng)江存儲(chǔ)的32層NAND還在試產(chǎn)階段，良率也不盡人意。

另外，三星計(jì)劃在2019年內(nèi)投入150億美元增加閃存產(chǎn)量，做好了打價(jià)格戰(zhàn)的準(zhǔn)備。在這種情況下，中國的半導(dǎo)體企業(yè)僅靠政府的補(bǔ)貼和支持將難以與三星進(jìn)行長(zhǎng)期的抗?fàn)帯?/p>