電子發燒友網報道（文 / 吳子鵬）碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料的代表，近年來在全球范圍內快速崛起。SiC 的禁帶寬度是硅（Si）的 3 倍，擊穿場強達 Si 的 10 倍，熱導率為 Si 的 3 倍。這使得 SiC 器件在高溫、高壓、高頻場景下表現優異。

近日，基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）宣布，在其持續壯大的功率電子器件產品組合中新增兩款 1200 V、20 A SiC 肖特基二極管。PSC20120J 和 PSC20120L 專為滿足工業應用中對超低功耗整流器的需求而設計，可在高能效能量轉換場景中發揮關鍵作用。這類器件尤其適用于高功率人工智能（AI）服務器基礎設施和電信設備電源及太陽能逆變器的應用。

SiC 賦能超低功耗整流器設計

當前，SiC 器件正在把傳統整流器和電源系統推進到 “高壓、高頻、高效” 的新時代。首先是拓撲結構升級，在三相三電平 Vienna、圖騰柱 PFC、LLC 諧振等高效整流器中，將 650 V–1200 V SiC MOSFET 或 SiC 二極管放在功率因數校正（PFC）級或高壓整流級，取代硅超結 MOSFET 或快恢復二極管，可把開關頻率推高至 100 kHz–500 kHz，同時把開關損耗再降 50% 以上。

SiC 器件可以提升整流器的耐高壓與高溫性能。SiC 材料的擊穿場強是硅的 10 倍左右，這使得 SiC 器件在高電壓應用中具有更高的可靠性和安全性；SiC 材料具有高熱導率（約 330 W/m?K），遠高于硅（148 W/m?K），這意味著在高功率密度的應用場景中，SiC 器件能夠更有效地散熱，從而保持較低的工作溫度。

另外，SiC 器件可以提升整流器的功率密度。SiC 器件具有非常高的開關頻率，可以達到 MHz 級別，而傳統硅基器件通常只能達到幾十 kHz。高頻開關能力使得整流器可以使用更小的電感和電容，從而顯著減小整流器的體積和重量。再加上 SiC 二極管接近零反向恢復電荷（Qrr），消除了高頻硬開關場景下的電壓尖峰，整流級 EMI 濾波器尺寸可同步縮小。

在 AI 數據中心等領域，SiC 器件這些特性可以給終端應用帶來巨大的價值。就以 AI 數據中心來說，SiC 器件可以助推從 5.5 kW 到 12 kW 再到 22 kW 的機柜級 PSU 功率等級提升，在 400 V HVDC 母線架構下把峰值效率推至 98% 甚至更高，幫助 AI 數據中心大幅提升功率密度并降低能耗。

Nexperia 推出 1200 V SiC 肖特基二極管

面向超低功耗整流器應用，Nexperia 推出 1200 V SiC 肖特基二極管，新款肖特基二極管具備不受溫度影響的容性開關和零恢復性能，提供先進的性能以及出色的品質因數（QC x VF）。

我們分別看一下兩顆器件。PSC20120J 采用真雙引腳 D2PAK R2P (TO-263-2) 表面貼裝（SMD）功率塑料封裝，具有零正向和反向恢復，獨立于溫度的快速和平穩的開關性能，出色的品質因數（QC x VF），高 IFSM 能力和低 EMI?？芍崿F高功率密度、低成本、小型化的超低功耗整流器。PSC20120J 可用于開關模式電源（SMPS）、AC-DC 和 DC-DC 轉換器、電池充電基礎設施、服務器和電信電源、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器等應用。

PSC20120L 則采用真雙引腳 TO247 R2P (TO-247-2) 通孔功率塑料封裝，和 PSC20120J 有著相同的特征性能和應用方向。需要特別提到的是，PSC20120J 和 PSC20120L 均可在高達 175℃的工作溫度下提升器件在高壓應用中的可靠性。

結語

安世半導體此次推出的 1200 V、20 A SiC 肖特基二極管 PSC20120J 與 PSC20120L，憑借 SiC 材料本征的高壓、高頻、高效優勢，疊加零恢復性能、高溫可靠性及差異化封裝設計，精準切中工業領域對超低功耗整流器的核心需求。無論是 AI 服務器基礎設施、電信電源等高效能場景，還是光伏逆變器、電池充電設施等新能源領域，兩款器件都將以高功率密度、低能耗的表現，推動功率電子系統向小型化、低成本、高可靠性升級。