在6月12日當天,受到產業媒體伙伴「新電子」的邀請,我們的技術長方永城有幸前往擔任「寬能隙半導體技術趨勢暨產業應用高峰論壇」的主講者之一,向產業界的各位先進分享關于AI領域的技術發展,特別是電源供應的議題。當我們談論高效能運算(HPC)與AI時,腦中浮現的往往是更快的處理器、更大的高頻寬記憶體(HBM),以及如3D IC堆迭、扇出型晶圓級封裝(Fan-Out)等先進封裝技術。然而,在這場算力的軍備競賽背后,一個更根本的挑戰正日益嚴峻,那就是「供電」。
AI被形容為「吃電怪獸」絕非夸飾,我們迫切需要更創新的方法來提升能源效率 。USI環旭電子的電源模組事業占有舉足輕重的地位,主要應用于兩大高成長領域:電動車(EV)與AI伺服器(AI Server)。今天,我們將深入探討這個關鍵議題:供電,聚焦于AI伺服器的電源效率挑戰與我們的解決方案。在本次的講座中,技術長著重在分享透過模組化(Modulization)與微小化(Miniaturization),環旭電子如何為AI伺服器打造一顆更強效、更節能的動力心臟。
指數級增長的功耗:AI時代的能源警鐘
首先,技術長特別提出,必須正視問題的嚴重性。GPU的功耗正在以驚人的速度飆升。以NVIDIA的產品為例,從A100到H100,功耗在短短一個世代內就增加了75%。而最新的B200功耗已高達1,200W,未來的R200預計將達到1,800W。AMD與Intel的產品線也呈現出類似的趨勢,功耗增幅動輒50%。
這不僅僅是用在單一晶片的數字。xAI的創辦人馬斯克(Elon Musk)曾提到,其Grok 2模型需要20,000顆NVIDIA H100 GPU,而Grok 3更需要高達100,000顆。這意味著僅GPU就需要約100MW的電力,若加上伺服器與冷卻系統,其位于曼菲斯的「超級計算叢集」甚至向當地電力公司申請了150MW的電力,足夠供應數萬戶家庭使用。
在一個典型的數據中心中,電力轉換(Power Conversion)本身就占了總能耗的11%。當我們面對百萬瓦(Megawatt)級別的總功耗時,任何一點效率的提升都至關重要。
傳統方法「水平并排(Side-by-Side)」的極限:為何2%的進步遠遠不夠?
傳統上,為了提升電源效率,工程師會在晶片層級進行優化。例如:
·使用損耗更低的功率級(Power Stage),可提升約1.6%的效率。
·采用直流電阻(DCR)更低的電感(Choke),可提升約0.2%。
·調整電壓調節器(VR)的開關頻率,再提升約0.2%。
綜合這些努力,我們可以獲得大約2%的效率改善。然而,這在動輒損耗20%甚至40%的系統中,無疑是杯水車薪。我們需要的是一場真正的技術突破。此外,傳統設計還面臨嚴峻的空間限制。目前的CPU設計,例如一個320W的CPU可能需要8相(8-phase)供電。當下一代CPU升級到400W時,則需要10相供電。對于業界來說,最巨大的挑戰,即是要在同樣大小的PCB面積內,塞進更多的供電元件,還要解決散熱、電力傳輸限制與成本上升等問題。
典范轉移:從「水平并排」到「垂直整合」的革命
為了解決上述困境,電源解決方案的設計思維正在經歷一場典范轉移。技術長進一步提出目前的技術演進路徑如下:
離散元件并排 -> 堆迭式電源模組 -> 垂直整合 -> 積體電路級電壓調節器(IVR)
第一步:堆迭式電源模組(模組化)解決方案是將離散的DrMOS、電感、電容等元件,預先整合成一個3D堆迭的電源模組(Power Block)。這種模組化設計不僅節省了PCB空間,也為標準化生產鋪平了道路。市場上已有多種此類解決方案,但仍需克服如接合空隙(joint void)與電流密度等制程挑戰。
第二步:垂直整合VRM(微小化)這才是真正的革命。我們不再將電源模組「并排」放置在處理器旁邊,而是將其「垂直整合」到處理器封裝的下方,讓電源無限靠近負載點(Point-of-Load)。
這種"垂直整合電壓調節模組(Vertically Integrated VRM)"帶來了驚人的效益:
·尺寸與路徑縮短:VRM直接位于SoC下方,電力傳輸路徑極短,大幅降低了銅損(I2R Loss)。與傳統并排設計相比,占用面積(footprint)縮小了25%。
·效率巨幅提升:在一個1080W的TDP測試中,并排設計的路由功率損耗高達12%,而垂直整合的powerSIP方案則驟降至6%,損耗直接減半!
·電源密度翻倍:電流密度從并排設計的0.4 A/mm2,提升至垂直設計的0.6 A/mm2。
這種設計已經通過了嚴苛的可靠度測試,包括uHAST-96hr與TCT-1000次循環等,證明了其在商業應用上的可行性。
終極未來:整合在晶片中的IVR
展望未來,電源技術的終極型態是積體電路級電壓調節器(Integrated Voltage Regulator, IVR)。這是一種將高效開關式穩壓器與被動元件直接整合到單一晶片中的技術,其優勢包括:
·零離散元件:體積極小,可以直接安裝在SoC基板內部,甚至在BGA的下方,厚度可薄至100um。
·極速響應:擁有比傳統設計快1000倍的動態電壓調節(DVS)能力,能在奈秒(nanosecond)內響應負載變化,提供最精準的電壓,從而消除不必要的功率浪費。
·消除損耗與外部元件:由于極度靠近負載,幾乎消除了I2R損耗,并且不再需要大量外部的解耦電容,進一步降低了系統成本與復雜度。
從系統到封裝,為未來AI打造高效能綠色引擎
現今的能源供應趨勢已經相當明確。特斯拉(Tesla)在其AI硬體中,已將電源元件直接放置在GPU下方。AMD、Microsoft也都在其下一代AI伺服器中導入類似的規格,甚至有廠商正在開發將VRM直接整合進處理器硅晶片(Silicon)中的IVR(Integrated Voltage Regulator)技術。
整個電源轉換的路徑正在不斷演進,從機柜級的 48V 輸入,降壓至主機板的 12V 或直接 48V 供電,最終降至晶片所需的核心電壓。在這條鏈路的每一個環節,微小化與效率提升都是我們技術研發的主軸。
技術長方永城最后總結表示,為了應對AI時代的算力與功耗挑戰,電源設計正從傳統的水平并排(Side-by-Side),走向革命性的垂直整合(Vertical)。這不僅僅是元件的重新排列,更是透過結構創新實現的空間、路徑與效率的全面最佳化。這條路徑的核心精神,就是透過模組化簡化設計復雜度,并透過微小化縮短物理距離、降低能量損耗。唯有如此,我們才能為這個算力驅動的未來,打造一顆兼具強大性能與綠色節能的終極心臟。
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原文標題:活動|【寬能隙半導體技術論壇】為AI巨獸打造強力心臟:模組化與微小化如何革新伺服器電源效率
文章出處:【微信號:環旭電子 USI,微信公眾號:環旭電子 USI】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
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