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三星FinFET制程被判侵權(quán),將賠償4億美元

半導(dǎo)體動(dòng)態(tài) ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:工程師吳畏 ? 2018-06-20 14:19 ? 次閱讀

韓國三星為了多元化營收來源,這兩年晶圓代工業(yè)務(wù)為重點(diǎn)發(fā)展項(xiàng)目,2018年率先推出7納米EUV制程,搶在臺(tái)積電、格羅方德與英特爾之前推出。但三星如今似乎“吃緊弄破碗”,F(xiàn)inFET制程惹上了麻煩。根據(jù)韓國媒體報(bào)導(dǎo),上周三星被美國法院判決,侵犯自家韓國科學(xué)技術(shù)院(KAIST)的專利,需賠償4億美元。但三星對此表示不服,將再提出上訴。

報(bào)導(dǎo)指出,三星與KAIST在FinFET制程的爭議已久。KAIST在本次訴訟表示,當(dāng)時(shí)還在KAIST工作的教授Lee Jong-ho,2001年向三星展示過FinFET技術(shù),但三星起初對FinFET制程并不在意,直到后來看到英特爾FinFET量產(chǎn)之后,三星也加快FinFET制程開發(fā)。三星就使用了Lee Jong-ho教授的FinFET制程為基礎(chǔ),改進(jìn)本身的FinFET制程,2011年推出跟Lee Jong-ho教授研發(fā)的FinFET制程相近的FinFET制程技術(shù)。

就因?yàn)檫@樣,KAIST跟三星結(jié)下了梁子。2016年,KAIST在美國德州知識(shí)產(chǎn)權(quán)局控告三星,宣稱三星FinFET制程侵犯了他們的專利權(quán)。三星回應(yīng)表示,他們是跟KAIST合作開發(fā)FinFET制程,并質(zhì)疑KAIST的FinFET專利有效性。不過,陪審團(tuán)沒有聽三星的理由,最終在上周判決三星侵犯KAIST的FinFET專利權(quán)成立,需賠償KAIST約4億美元。

對審判結(jié)果,美國德州知識(shí)產(chǎn)權(quán)局陪審團(tuán)認(rèn)為,三星侵權(quán)是故意的,4億美元的賠償還不是最后結(jié)果,未來甚至有可能被判最重罰款12億美元。三星方面則對判決表示不服,指出將考慮所有可能的選項(xiàng),以在未來上訴后獲得合理的判決。此外,這起侵權(quán)案還涉及高通與格羅方德,他們也被判侵權(quán)成立。不過,法院方面并沒有要求他們賠償任何損失。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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