DIGITIMES Research觀察，隨節能減碳意識抬頭，短期內業者推行油電混合車(Hybrid Electric Vehicle；HEV)以降低排碳量，但長期而言仍傾向全面導入電動車(Electric Vehicle；EV)，以確保生活環境的潔凈。以成本結構來看，半導體占單臺電動車超過1,000美元，其中，絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor；IGBT)在車用半導體扮演關鍵角色。

電動車成本結構中最大者為電池，占比約40~50%，其次為電機驅動系統，約占全車成本15%至20%，其中，IGBT占驅動系統一半左右，即IGBT占電動車約8%至10%成本，成電動車降價第二關鍵零組件。

IGBT不僅用于電動車內，攸關電動車普及的充電站，站內的高功率充電椿也會采用，因此IGBT的降價不僅有利于電動車普及，也有助于充電椿布建進度加速。

IGBT在制程上亦持續精進，同時，功率模塊業者也積極發展集成度更高、散熱性更佳的IGBT模塊，芯片商也為取得IGBT新制程及技術而發動購并。

估計未來IGBT與電動車的發展關連將日益密切，IGBT市場規模也深具成長潛力，2021年將較2015年成長151%。