GaN FET支持MHz級開關(guān)頻率，顯著高于傳統(tǒng)硅基器件，通過減小無源元件體積實現(xiàn)系統(tǒng)小型化，使開關(guān)損耗降低20%-30%。深圳銀聯(lián)寶快充電源ic U8609合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，最高工作頻率130kHz，采用原邊反饋控制，可節(jié)省光耦和TL431，簡化電源BOM，有利于降低電源尺寸！

快充電源ic U8609是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關(guān)管，可為18~65W適配器應(yīng)用提供全新的解決方案。U8609集成谷底鎖定技術(shù)可以防止頻率抖動產(chǎn)生噪音。它采用CS Jitter技術(shù)，通過調(diào)制峰值電流參考值實現(xiàn)頻率抖動，以優(yōu)化系統(tǒng)EMI。

在手機充電器的應(yīng)用中，電池與充電器之間一般會通過一定長度的電纜相連，由此也將導(dǎo)致輸送到電池端的電壓產(chǎn)生一定的電壓降。快充電源ic U8609內(nèi)置線損補償功能，根據(jù)負載的變化調(diào)整線損補償量，從而使得線纜輸出端獲得平直的恒壓輸出曲線。線損補償?shù)淖畲笾禐檩敵鲭妷旱?%。

快充電源ic U8609集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路，驅(qū)動電壓為VDRV(典型值6.35V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計難點，為此U8609通過DEM管腳集成了驅(qū)動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動電流，進而調(diào)節(jié)GaNFET的開通速度，系統(tǒng)設(shè)計者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數(shù)表。

快充電源ic U8609內(nèi)置高壓啟動電路，省去外部啟動電阻，合封GaN功率器件減少驅(qū)動電路復(fù)雜度，集成谷底鎖定QR模式降低開關(guān)損耗，可實現(xiàn)全負載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化，既降低成本又提高可靠性！