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意法半導體推出全新AI MEMS傳感器LSM6DSV320X

意法半導體中國 ? 來源:意法半導體中國 ? 2025-05-26 09:55 ? 次閱讀

業內首款嵌入AI的雙MEMS加速度計慣性測量單元(IMU),測量準確,320g滿量程

意法半導體(簡稱ST)日前宣布了一款在一個節省空間的封裝內集成運動跟蹤傳感器和高重力沖擊測量傳感器的慣性測量單元,裝備該測量單元的設備可以非常準確地重構完整事件,提供更多的功能和出色的用戶體驗。隨著新模塊上市,市場期待移動設備、可穿戴設備、消費醫療產品以及智能家居智能工業和智能駕駛設備出現強大的新功能。

新傳感器LSM6DSV320X是業界首款在常規尺寸模塊(3mm x 2.5mm)內集成AI處理功能并能夠連續記錄運動和沖擊數據的傳感器。依托意法半導體在微機電系統(MEMS)設計方面的持續投入,這款創新的雙加速度計傳感器具有很高的運動跟蹤和沖擊測量準確度,運動跟蹤量程高達16g,沖擊量程高達320g。

意法半導體APMS產品部副總裁兼MEMS子產品部總經理Simone Ferri表示:“我們的尖端AI MEMS傳感器釋放的潛能越來越多,可提升當今市場領先的智能應用的性能和能效。新慣性模塊具備獨特的雙傳感器架構,能夠讓設備和應用實現更智能的交互體驗,并為智能手機、可穿戴設備、智能標簽、資產監控器、事件數據記錄器以及更大規模的基礎設施等設備和應用帶來更高的靈活性和準確度。”

LSM6DSV320X的上市進一步擴大了意法半導體內置機器學習核心(MLC)的傳感器產品家族,嵌入式AI處理器可直接在傳感器內處理推理算法,從而降低系統功耗,并提升應用性能。新產品內置的兩個加速度計采用意法半導體獨有的先進技術,可以同時存在一個模塊內,實現優異的測量性能。其中一個加速度計專門用于跟蹤運動,具有非常高的分辨率,最大量程為±16g;另一個加速度計可測量高達±320g的沖擊力,量化碰撞或高強度沖擊事件等劇烈沖擊。

意法半導體新推出的AI MEMS傳感器體積小,功能多,量程寬,準確度高,讓消費電子物聯網產品具有更多的功能,同時保持時尚的外觀或可穿戴特質。活動追蹤器可以在標稱量程內監測訓練成績,還能測量高強度沖擊力,確保身體接觸性運動的安全,為消費者和職業/半職業運動員創造價值。在消費電子市場上,游戲控制器利用這個傳感器可以檢測快速運動和沖擊,提升用戶體驗。智能標簽可以粘貼在物品上,記錄運動、振動和沖擊,確保物品安全和完整無損。

意法半導體傳感器的寬加速度量程還將為新一代智能消費醫療保健、工業安全等設備的升級進化賦能。個人勞保防護設備就是其中的一種潛在應用,在危險環境中保護工人作業安全,評估墜落或撞擊的嚴重程度。其他用途還包括準確評估建筑物、橋梁等結構健康狀況。

該傳感器的高集成度簡化了產品設計和制造過程,讓先進的監視器能夠以具有競爭力的價格進入目標市場。設計師可以打造纖薄輕巧的外觀設計,方便佩戴或安裝到設備上。

產品介紹

LSM6DSV320X傳感器在一個2.5mm x 3mm封裝內集成三個微機電系統(MEMS)傳感器,其中包括一個±16g的加速度計、一個±320g的加速度計和一個±4000dps的MEMS陀螺儀。這三個傳感器完全同步工作,使模塊易于使用,并有助于簡化應用開發。 除了高能效處理情境感知任務的MLC機器學習核心外,LSM6DSV320X還集成了有限狀態機(FSM),能夠在模塊內執行運動跟蹤功能。數字電路還采用了意法半導體的低功耗傳感器融合(SFLP)空間定位技術。

像意法半導體的其他智能MEMS傳感器一樣,LSM6DSV320X也具有優化功耗的自適應自配置(ASC)功能。在檢測到特定運動模式或MLC的信號時,具有ASC功能的傳感器可以自動實時調整設置,無需主處理器干預。

為了方便追蹤高強度撞擊,同時最大限度地改進低重力事件的測量準確度,意法半導體還為開發者提供整合低重力加速度計和高重力加速度計輸出數據的Motion XLF專利軟件庫。通過X-CUBE-MEMS1軟件套件,客戶工程團隊可以在設計中自由使用該軟件庫。意法半導體還提供免費的圖形設計工具,幫助開發者評估、配置和測試LSM6DSV320X傳感器和嵌入式AI核心,并將設計項目連接到STM32應用。這些工具包括ST Edge AI Suite的MEMS Studio軟件和基于Web的開發環境ST AIoT Craft,該開發環境提供用于開發和配置節點到云端AIoT(人工智能物聯網)項目的工具。LSM6DSV320X現已出現在ST Edge AI Suite的支持設備名單內,并將于2025年底添加到ST AIoT Craft支持的設備名單內。

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原文標題:ST微型AI傳感器集成運動跟蹤和高強度沖擊測量功能,面向個人電子和物聯網應用

文章出處:【微信號:STMChina,微信公眾號:意法半導體中國】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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