意法半導(dǎo)體（ST）近期推出了內(nèi)置xMemory技術(shù)的Stellar車規(guī)級微控制器，標(biāo)志著在軟件定義汽車（SDV）及電動汽車架構(gòu)領(lǐng)域邁出了重要一步。這款創(chuàng)新產(chǎn)品不僅簡化了計算平臺，還提供了更高的可擴展性和靈活性，助力汽車制造商開發(fā)更多前沿應(yīng)用。

革新存儲配置，推動創(chuàng)新

Stellar微控制器內(nèi)置的新一代可改變存儲配置的xMemory技術(shù)，基于意法半導(dǎo)體專有的相變存儲器（PCM）技術(shù)，計劃于2025年底投產(chǎn)。這一技術(shù)允許汽車廠商根據(jù)需求靈活調(diào)整存儲容量，支持包括人工智能在內(nèi)的大容量內(nèi)存應(yīng)用。與傳統(tǒng)方案相比，使用多個不同芯片來滿足不同的存儲需求會導(dǎo)致開發(fā)和測試成本增加，而xMemory技術(shù)則為市場帶來了首款可動態(tài)調(diào)整存儲配置的產(chǎn)品，提供了高能效和性價比的解決方案。

簡化供應(yīng)鏈，加速上市

采用xMemory技術(shù)的Stellar P6 MCU是首個集成該技術(shù)的產(chǎn)品，主要應(yīng)用于電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)的新趨勢和架構(gòu)。這種設(shè)計方法從一開始就簡化了開發(fā)流程，使汽車制造商能夠更具前瞻性地設(shè)計其車輛，并在開發(fā)周期后期為創(chuàng)新留出更大空間。此外，它還通過簡化供應(yīng)鏈流程顯著縮短了產(chǎn)品的上市時間，降低了開發(fā)成本。意法半導(dǎo)體產(chǎn)品部副總裁兼通用和汽車微控制器部門總經(jīng)理Luca Rodeschini表示：“內(nèi)置xMemory的Stellar將簡化未來汽車架構(gòu)，優(yōu)化成本效益，并大大縮短產(chǎn)品開發(fā)時間。”

強大的技術(shù)支持與行業(yè)認(rèn)可

博世副總裁Axel Aue指出，嵌入相變存儲器（PCM）技術(shù)的Stellar提供了一種穩(wěn)健且靈活的存儲概念，適用于高性能、適應(yīng)性強的汽車微控制器。相較于RRAM和MRAM等其他存儲技術(shù)，PCM的應(yīng)用優(yōu)勢更為明顯。Moor Insights&Strategy首席分析師Anshel Sag也強調(diào)，選擇像Stellar xMemory這樣的可擴展MCU，工程師無需為了支持新功能而重新設(shè)計硬件，從而顯著減少了產(chǎn)品上市時間和維護成本。

工作原理與應(yīng)用場景

隨著汽車行業(yè)對新功能、法規(guī)以及AI和機器學(xué)習(xí)應(yīng)用的需求不斷增長，軟件復(fù)雜度和內(nèi)存需求也在急劇上升。xMemory技術(shù)能夠在開發(fā)階段或車輛使用過程中動態(tài)調(diào)整內(nèi)存容量，解決了這一挑戰(zhàn)。這意味著汽車應(yīng)用程序可以在不影響現(xiàn)有功能的情況下進行更新升級，延長了汽車的生命周期并增強了數(shù)字化功能。

PCM技術(shù)的優(yōu)勢

ST一直處于汽車MCU從閃存向嵌入式非易失性存儲器（eNVM）技術(shù)過渡的前沿，推出的首個車規(guī)28nm eNVM技術(shù)也是xMemory的核心技術(shù)。與RRAM、MRAM和閃存等NVM技術(shù)相比，ST的嵌入式相變存儲器（ePCM）在能效、性能和面積（PPA）指標(biāo)上表現(xiàn)更優(yōu)。PCM擁有業(yè)界最小的eNVM存儲單元，18nm和28nm PCM的存儲密度是其他技術(shù)的兩倍，這使得Stellar微控制器成為市場上最具競爭力的選擇之一。

審核編輯 黃宇