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TL2843系列 經濟型單端 500KHz 電流模式 PWM 控制器數據手冊

科技綠洲 ? 2025-04-08 16:06 ? 次閱讀

TL284x 和 TL384x 系列控制集成電路提供實現離線或 DC-DC 固定頻率電流模式控制方案所需的功能,外部元件數量最少。一些內部實現的電路是欠壓鎖定 (UVLO),具有小于 1mA 的啟動電流,以及一個為誤差放大器輸入端的精度而調整的精密基準。其他內部電路包括確保鎖存作的邏輯電路、脈寬調制 (PWM) 比較器(也提供限流控制)和用于拉出或吸收高峰值電流的圖騰柱輸出級。適合驅動 N 溝道 MOSFET 的輸出級在關斷狀態時為低電平。
*附件:tl2843.pdf

特性

  • 針對離線和 DC-DC 轉換器進行了優化
  • 低啟動電流 (< 1mA)
  • 自動前饋補償
  • 逐脈沖電流限制
  • 增強的負載響應、特性
  • 帶滯后的欠壓鎖定
  • 雙脈沖抑制
  • 大電流圖騰柱輸出
  • 內部調整的帶隙參考
  • 500kHz 工作頻率
  • 具有低輸出電阻的誤差放大器
  • 設計可與 UC2842 和 UC3842 系列互換

參數
image.png

一、產品概述

  • ?型號?:TL2843
  • ?類型?:電流模式PWM(脈沖寬度調制)控制器
  • ?應用?:適用于離線式和DC-DC轉換器

二、主要特性

  • ?低啟動電流?:小于1mA
  • ?自動前饋補償?
  • ?逐脈沖電流限制?
  • ?增強的負載響應特性?
  • ?欠壓鎖定與遲滯?
  • ?雙脈沖抑制?
  • ?高電流圖騰柱輸出?
  • ?內部修整帶隙參考?
  • ?500kHz操作頻率?
  • ?低輸出電阻誤差放大器?
  • ?與UC2842和UC3842系列互換?

三、封裝信息

  • ?封裝類型?:SOIC(8引腳、14引腳)、PDIP(8引腳)
  • ?封裝尺寸?:
    • SOIC-8:4.90mm × 6.00mm
    • SOIC-14:8.65mm × 6.00mm
    • PDIP-8:9.81mm × 9.43mm

四、絕對最大額定值

  • ? 供電電壓(Vcc) ?:自限
  • ? 模擬輸入電壓范圍(VFB和ISENSE) ?:-0.3V至6.3V
  • ? 輸出電壓(VO) ?:35V
  • ? 輸入電壓(VC和D封裝) ?:35V
  • ? 供電電流(ICC) ?:30mA
    -下拉 ?電流輸出?電流:(1IO0)mA**
    :-
    ± ?**-1結 ?A溫參考
    (電壓-TJ?****?):誤差
    4放大器:.輸出19550V°至C
    5-. 1輸出V能量
    (-電容 ?
    性線性負載調整)率?::56μmVJ至
    2-0 mV存儲
    溫度-( ?
    T負載stg調整)率
    ?:-:665mV°至C2至51mV5
    0-° **C輸出電壓

五、電氣特性溫度系數**:0.2mV/°C至0.4mV/°C

  • ?輸出噪聲電壓?:50μV(f=10Hz至10kHz)
  • ?輸出電壓長期漂移?:5mV至25mV
  • ?振蕩器頻率?:475kHz至257kHz
  • ?誤差放大器?:
    • 反饋輸入電壓(COMP):2.45V至2.55V
    • 輸入偏置電流:-0.3μA至1μA
    • 開環電壓增益:65dB至90dB
  • ?輸出部分?:
    • 高電平輸出電壓:13V至13.5V
    • 低電平輸出電壓:0.1V至0.4V(IO=20mA),1.5V至2.2V(IO=200mA)
    • 上升時間/下降時間:25ns至150ns

六、功能描述

  • ? 欠壓鎖定(UVLO) ?:具有遲滯特性,啟動閾值低。
  • ?逐脈沖電流限制?:通過鉗制誤差電壓來限制峰值電流。
  • ?誤差放大器?:具有低輸出電阻,便于使用各種阻抗網絡進行反饋。
  • ?圖騰柱輸出?:能夠源出或吸入高達1A的電流,適合驅動N溝道MOSFET。

七、設備功能模式

  • ?關機技術?:通過提高ISENSE電壓或拉低COMP引腳電壓來實現。
  • ?斜率補償?:通過將振蕩器斜坡的一部分與電流感測信號相加以提供斜率補償。

八、應用與實施

  • ?典型應用?:開環實驗室測試夾具,展示了TL284x和TL384x設備的設置和使用。
  • ?設計要求?:適用于500kHz或更低操作頻率、30V或更低輸出電壓、200mA或更低輸出電流的應用。
  • ?詳細設計步驟?:包括電流感測電路、誤差放大器配置、振蕩器部分等。

九、布局指南

  • ?電感選擇?:推薦使用低EMI的鐵氧體閉合磁芯電感。
  • ?反饋跡線?:應盡可能遠離電感和噪聲功率跡線,并保持直接和較厚。
  • ?輸入/輸出電容?:低值陶瓷輸入濾波電容應盡可能靠近VCC引腳,以減少跡線電感效應。
  • ?補償組件?:用于穩定性的外部補償組件應靠近IC放置。
  • ?跡線和接地平面?:高電流跡線應短、直、厚,并且電感、輸出電容和輸出二極管應盡可能靠近。
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