概述
LT5519 混頻器是專為滿足無線和電纜基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)射系統(tǒng)的高線性度要求而設(shè)計(jì)的。一個(gè)高速、內(nèi)部 50Ω 匹配的 LO 放大器負(fù)責(zé)驅(qū)動(dòng)一個(gè)雙平衡混頻器內(nèi)核,允許使用一個(gè)低功率的單端 LO 信號(hào)源。該器件集成了一個(gè) RF 輸出變壓器,從而免除了在 RF 輸出端上增設(shè)外部匹配組件的需要,同時(shí)縮減了系統(tǒng)成本、組件數(shù)目、電路板面積和系統(tǒng)級(jí)變化。IF 端口可容易地匹配至寬廣的頻率范圍,以適用于許多不同的應(yīng)用。
當(dāng) IF 輸入信號(hào)電平為 –10dBm 時(shí),LT5519 混頻器可在 1GHz 條件下提供 +17.1dBm 的典型輸入三階截取點(diǎn)。輸入 1dB 壓縮點(diǎn)通常為 +5.5dBm。該 IC 僅需單 5V 電源。
數(shù)據(jù)表:*附件:LT5519 0.7GHz至1.4GHz高線性度上變頻混頻器技術(shù)手冊(cè).pdf
應(yīng)用
- 無線基礎(chǔ)設(shè)施
- 電纜下行鏈路基礎(chǔ)設(shè)施
- 點(diǎn)對(duì)點(diǎn)和單點(diǎn)對(duì)多點(diǎn)數(shù)據(jù)通信
- 高線性度頻率轉(zhuǎn)換
特性
- 寬 RF 頻率范圍:0.7GHz 至 1.4GHz
- 17.1dBm 典型輸入 IP3 (在 1GHz)
- 片內(nèi) RF 輸出變壓器
- 片內(nèi) 50Ω 匹配 LO 和 RF 端口
- 單端 LO 和 RF 操作
- 集成的 LO 緩沖器:–5dBm 驅(qū)動(dòng)電平
- 低的 LO 至 RF 泄漏:–44dBm (典型值)
- 噪聲指數(shù):13.6dB
- 寬 IF 頻率范圍:1MHz 至 400MHz
- 具有低斷態(tài)漏電流的啟用功能
- 單 5V 電源
- 小外形 16 引腳 QFN 塑料封裝
典型應(yīng)用
典型性能特征
引腳功能
- GND(引腳1、4、9、12、13、16) :內(nèi)部接地引腳。這些引腳用于增強(qiáng)隔離效果,并非作為芯片的直流或射頻接地端。為實(shí)現(xiàn)最佳性能,應(yīng)將這些引腳連接到印刷電路板上的低阻抗接地端。
- IF + 、IF -(引腳2、3) :差分中頻信號(hào)輸入引腳。需通過隔直電容向這些引腳施加差分中頻信號(hào)。這些引腳必須通過100Ω電阻接地(接地端需能吸收約18mA電流)。為使本振泄漏最低,這些引腳應(yīng)相互直流隔離。需要進(jìn)行阻抗變換,以使中頻輸入匹配所需的源阻抗(通常為50Ω或75Ω)。
- EN(引腳5) :使能引腳。當(dāng)施加的電壓高于3V時(shí),芯片啟用。當(dāng)施加的電壓低于0.5V時(shí),芯片禁用,直流電流降至約1μA。
- VCC1(引腳6) :偏置電路電源引腳。典型電流消耗約為2mA。該引腳應(yīng)外部連接到VCC,并配備合適的射頻旁路電容。
- VCC2(引腳7) :本振緩沖器電路電源引腳。典型電流消耗約為22mA。該引腳應(yīng)配備合適的射頻旁路電容。如圖2所示,應(yīng)通過電感連接到VCC。圖2中顯示的3.9nH電感,其具體數(shù)值并非關(guān)鍵。
- VCC3(引腳8) :內(nèi)部混頻器電源引腳。典型電流消耗約為36mA。該引腳應(yīng)通過電感連接到VCC。
- RF - 、RF +(引腳10、11) :差分射頻輸出引腳。其中一個(gè)引腳可直流連接到低阻抗接地端,以實(shí)現(xiàn)50Ω單端輸出。無需外部匹配元件。不應(yīng)在這些引腳上施加直流電壓,因?yàn)樗鼈儍?nèi)部通過變壓器繞組連接。
- LO + 、LO -(引腳14、15) :差分本地振蕩器輸入引腳。LT5519在使用單端信號(hào)源驅(qū)動(dòng)LO + 引腳,同時(shí)將LO - 引腳連接到低阻抗接地端的情況下能良好工作。無需外部50Ω匹配元件。內(nèi)部已連接電阻,因此不應(yīng)在這些引腳上施加直流電壓。
- 裸露焊盤(引腳17) :整個(gè)芯片的直流和射頻接地端。必須焊接到印刷電路板接地層。
框圖
測(cè)試電路
LT5519 由一個(gè)雙平衡混頻器、高性能本振緩沖器以及偏置/使能電路組成。射頻和本振端口可單端驅(qū)動(dòng);不過,它們旨在將每對(duì)引腳中的一個(gè)連接到地。中頻輸入必須與信號(hào)源直流隔離并差分驅(qū)動(dòng)。中頻輸入應(yīng)針對(duì)所需輸入頻率進(jìn)行阻抗匹配。本振輸入在 700MHz 至 1400MHz 頻率范圍內(nèi)具有內(nèi)部寬帶 50Ω 匹配,內(nèi)置射頻變壓器在 500MHz 至 1800MHz 頻率范圍內(nèi)提供 50Ω 阻抗匹配,回波損耗優(yōu)于 10dB。可使用低邊或高邊本振注入。
中頻輸入端口
如圖 3 所示,中頻輸入連接到雙平衡混頻器晶體管的發(fā)射極。這些引腳在內(nèi)部偏置,需連接外部電阻。應(yīng)將每個(gè)引腳連接到地,通過混頻器核心設(shè)置電流。該電路經(jīng)優(yōu)化可與 100Ω 電阻配合工作,每個(gè)電阻的電流約為 18mA。為實(shí)現(xiàn)最佳本振性能,這些電阻應(yīng)精確匹配;若使用公差為 0.1% 的電阻,本振泄漏將不構(gòu)成問題。若對(duì)本振泄漏要求不高,可使用公差更大的電阻。實(shí)現(xiàn)最佳本振隔離時(shí),層的對(duì)稱性也很重要。
圖 3 中的電容 C1 和 C2 有兩個(gè)作用。它們?cè)谥蓄l端口提供直流隔離,防止可能導(dǎo)致本振泄漏出現(xiàn)不可預(yù)測(cè)變化的直流相互作用。還可通過抵消封裝和變壓器中的多余電感來改善阻抗匹配。在所需頻率下實(shí)現(xiàn)估算匹配時(shí),輸入電容值 (C_1 = C_2) 可按以下公式計(jì)算:
表 1 列出了多個(gè)頻率下的輸入差分阻抗和反射系數(shù)。建議使用 4:1 巴倫來轉(zhuǎn)換為所需的源阻抗。
本振輸入端口
本振緩沖輸入的簡(jiǎn)化電路如圖 4 所示。本振緩沖放大器由高速限幅差分放大器組成,經(jīng)過優(yōu)化可高線性度驅(qū)動(dòng)混頻器四對(duì)管。不過,LO + 和 LO - 引腳需差分驅(qū)動(dòng);但它們可由單端信號(hào)源驅(qū)動(dòng)。內(nèi)部電阻連接在 LO + 和 LO - 輸入之間,提供寬帶 50Ω 阻抗匹配。由于是電阻性匹配,因此不存在本振輸入的諧振問題。如果信號(hào)源輸出未直流耦合,則必須在本振緩沖器輸入處使用隔直電容。
盡管本振輸入在內(nèi)部匹配至 50Ω,但在某些情況下,特別是在較高頻率或需要不同匹配阻抗時(shí),可能仍需進(jìn)一步優(yōu)化匹配。表 2 列出了本振輸入的單端輸入阻抗以及不同頻率下的反射系數(shù),可用于此類情況。
射頻輸出端口
如圖 5 所示,內(nèi)部射頻變壓器降低了混頻器核心阻抗,在 RF + 和 RF - 引腳間提供 50Ω 阻抗。LT5519 針對(duì)單端操作進(jìn)行設(shè)計(jì)和測(cè)試,如圖 5 所示。不過,輸出可不同方式使用,變壓器中心抽頭為混頻器核心提供直流連接并隔離射頻輸出。RF + 和 RF - 引腳通過變壓器次級(jí)繞組相連,因此不應(yīng)在這些引腳上施加直流電壓。
不同輸入頻率下的工作情況
在圖 10 所示的評(píng)估板上,LT5519 的輸入可輕松匹配不同頻率。電容 C1 和 C2 設(shè)置輸入匹配頻率,同時(shí)降低 C3 的值。在較高輸入頻率下降低 C3 的值,可減少其對(duì)變頻增益的影響。表 4 列出了在選定頻率下使用的實(shí)際值。
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