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LM25141-Q1 具有頻率擴頻功能的汽車類 2.2MHz、低 IQ 同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-03-24 11:38 ? 次閱讀

LM25141-Q1 是一款同步降壓控制器,適用于高電壓、寬 V 、降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用。控制方法是峰值電流模式控制。電流模式控制提供固有的線路前饋、逐周期電流限制和輕松的環(huán)路補償。LM25141-Q1 具有轉(zhuǎn)換速率控制功能,可簡化對 CISPR 和汽車 EMI 要求的合規(guī)性。

LM25141-Q1 具有兩個可選開關(guān)頻率:2.2 MHz 和 440 kHz。可以調(diào)整具有轉(zhuǎn)換速率控制的柵極驅(qū)動器以降低 EMI。
*附件:具有低 IQ 的 LM25141-Q1 2.2MHz、42V 同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf

在輕負(fù)載或空載條件下,LM25141-Q1 在跳躍循環(huán)模式下運行,以提高低功耗效率。LM25141-Q1 具有高壓偏置穩(wěn)壓器,可自動切換到外部偏置以減少 IQ來自 V 的電流 .其他功能包括頻率同步、逐周期電流限制、用于持續(xù)過載的打嗝模式故障保護和電源正常輸出。

特性

  • 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn),適用于汽車應(yīng)用:
    • 器件溫度 1 級:-40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度
    • 器件 HBM ESD 分類 2 級
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
  • V3.8 V 至 42 V(絕對最大值 47 V)
  • 輸出:固定 3.3 V、5 V 或在 1.5 V 至 15 V 范圍內(nèi)
    可調(diào),精度為 ±0.8%
  • 通過改變模擬電壓或 RT 電阻器實現(xiàn)可選頻率偏移
  • 符合 CISPR 25 / EN 55025 EMI 標(biāo)準(zhǔn)
    • 固定 2.2MHz 或 440kHz 開關(guān)頻率,精度為 ±5%
    • 具有轉(zhuǎn)換速率控制的高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動
    • 可選擴頻
  • 可選地同步到外部時鐘
  • 關(guān)機模式 I Q :10 μA(典型值)
  • 低待機模式 I Q :35 μA(典型值)
  • 75mV 電流限制閾值,精度為 ±0.9%
  • 外部電阻器或 DCR 電流感應(yīng)
  • 輸出使能邏輯輸入
  • 用于持續(xù)過載的 Hiccup 模式
  • 電源正常指示輸出
  • 可選二極管仿真或強制 PWM
  • VQFN-24 封裝,帶可濕性側(cè)面

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

1. 產(chǎn)品概述

  • ?型號?:LM25141-Q1
  • ?類型?:低IQ、2.2MHz、42V同步降壓控制器
  • ?應(yīng)用?:專為汽車應(yīng)用設(shè)計,包括信息娛樂系統(tǒng)、儀表板和中控系統(tǒng)、高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)

2. 主要特性

  • ?AEC-Q100認(rèn)證?:適用于汽車電子應(yīng)用,滿足高可靠性要求
  • ?輸入電壓范圍?:3.8V至42V(絕對最大值為47V)
  • ?輸出電壓?:固定3.3V、5V或可調(diào)(1.5V至15V,±0.8%準(zhǔn)確性)
  • ?開關(guān)頻率?:固定2.2MHz或440kHz(±5%準(zhǔn)確性)
  • ?低IQ模式?:在待機模式下,IQ電流低至35μA
  • ?控制方法?:峰值電流模式控制,提供逐周期電流限制和易于環(huán)路補償
  • ?保護功能?:過溫保護、過流保護、短路保護、欠壓鎖定
  • ?EMI優(yōu)化?:具有斜率控制和擴頻功能,減少電磁干擾

3. 功能描述

  • ?高電壓啟動調(diào)節(jié)器?:內(nèi)部5V VCC偏置調(diào)節(jié)器,支持高達(dá)42V的輸入電壓
  • ?柵極驅(qū)動?:高/低側(cè)N溝道MOSFET柵極驅(qū)動,具有自適應(yīng)死區(qū)時間控制
  • ?頻率調(diào)制?:通過RT引腳調(diào)節(jié)開關(guān)頻率,或通過模擬電壓進(jìn)行微調(diào)
  • ?軟啟動?:內(nèi)部軟啟動電路,減少啟動時的電壓和電流沖擊
  • ?電源良好(PG)輸出?:用于監(jiān)控輸出電壓,提供電源狀態(tài)指示
  • ?二極管仿真?:通過DEMB引腳配置,在輕載時禁用低側(cè)MOSFET,減少功耗

4. 應(yīng)用指南

  • ?設(shè)計步驟?:包括輸入電壓、輸出電壓、輸出電流等參數(shù)的設(shè)置,以及電感、電流感測電阻、輸出電容等外部元件的選擇。
  • ?布局建議?:提供PCB布局指導(dǎo),以優(yōu)化性能、熱管理和電磁兼容性。
  • ?設(shè)計工具?:推薦使用WEBENCH? Power Designer進(jìn)行設(shè)計優(yōu)化和仿真。

5. 封裝與尺寸

  • ?封裝類型?:24引腳VQFN封裝,帶裸露熱焊盤
  • ?尺寸?:4mm × 4mm
  • ?熱焊盤?:必須焊接到PCB上,以提供良好的熱散逸和機械穩(wěn)定性。

6. 文檔與支持

  • ?相關(guān)文檔?:提供LM25141-Q1數(shù)據(jù)表、應(yīng)用筆記、設(shè)計指南和參考設(shè)計。
  • ?社區(qū)資源?:鏈接到TI E2E?在線社區(qū),提供技術(shù)支持和協(xié)作平臺。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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