TPS59603-Q1 驅動器針對高頻 CPU V 進行了優(yōu)化核心應用。減少死區(qū)時間驅動和自動過零等高級功能用于優(yōu)化整個負載范圍內(nèi)的效率。

SKIP 引腳提供 CCM作選項，以支持輸出電壓的受控管理。此外，TPS59603-Q1 支持兩種低功耗模式。當 PWM 輸入處于三態(tài)時，靜態(tài)電流降低到 130 μA，并立即響應。當 SKIP 保持在三態(tài)時，電流降低到 8 μA（通常需要 20 μs 才能恢復開關）。這些驅動器與適當?shù)?TI 控制器配合使用，可提供超高性能的電源系統(tǒng)。
*附件：TPS59603-Q1 用于汽車應用中高頻 CPU 內(nèi)核電源的同步降壓 FET 驅動器數(shù)據(jù)表.pdf

TPS59603-Q1 器件采用節(jié)省空間的熱增強型 8 引腳、2mm x 2mm 可濕性側面 WSON 封裝，工作溫度范圍為 –40°C 至 125°C。

特性

• 符合 AEC-Q100 標準，適用于汽車應用
  • 器件溫度等級 1：–40°C 至 125°C
  • 設備 人體模型 ESD 分類等級 H2
  • 器件 帶電器件型號 ESD 分類等級 C3B
• 降低死區(qū)時間驅動電路，優(yōu)化 CCM
• 自動過零檢測，優(yōu)化 DCM 效率
• 多種低功耗模式，優(yōu)化輕負載效率
• 針對高頻作優(yōu)化的信號路徑延遲
• 集成 BST 開關驅動強度針對低 RdsON FET 進行了優(yōu)化
• 針對 5V FET 驅動進行了優(yōu)化
• 轉換輸入電壓范圍 （V 在 ）：2.5 至 28 V
• 2mm × 2mm、8 引腳、WSON 導熱墊封裝，帶可潤濕側面

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

TPS59603-Q1 是一款專為汽車應用中高頻 CPU 內(nèi)核電源設計的同步降壓 FET 驅動器。它優(yōu)化了連續(xù)導通模式（CCM）和斷續(xù)導通模式（DCM）下的效率，并提供了多種低功耗模式以優(yōu)化輕負載效率。

2. 主要特性

• ?AEC-Q100 認證?：適用于汽車應用，溫度等級為 -40°C 至 125°C。
• ?優(yōu)化死區(qū)時間驅動電路?：提高 CCM 下的效率。
• ?自動零交叉檢測?：優(yōu)化 DCM 下的效率。
• ?多種低功耗模式?：支持 PWM 和 SKIP 引腳的三態(tài)操作，降低靜態(tài)電流。
• ?集成 BST 開關?：驅動強度優(yōu)化，適用于低 RDS(ON) FET。
• ?寬輸入電壓范圍?：2.5V 至 28V。
• ?小型封裝?：2mm × 2mm 8引腳 WSON 封裝，帶濕側翼。

3. 應用領域

• ?汽車后座娛樂（RSE）平板電腦?：使用高頻 CPU 的場景。
• ?汽車 ADAS 處理器內(nèi)核電源?。

4. 電氣特性

• ?工作結溫范圍?：-40°C 至 125°C。
• ?輸入電壓范圍?：VDD 為 4.5V 至 5.5V（推薦 5V）。
• ?低靜態(tài)電流?：PWM 引腳三態(tài)時，靜態(tài)電流為 130μA；SKIP 引腳三態(tài)時，靜態(tài)電流為 8μA（典型值）。
• ?快速響應?：PWM 和 SKIP 引腳從三態(tài)恢復后，切換響應時間小于 50μs。

5. 功能描述

• ?UVLO 保護?：當 VDD 電壓低于 UVLO 閾值時，禁用驅動器并將 DRVH 和 DRVL 輸出置為低電平。
• ?PWM 引腳三態(tài)功能?：PWM 引腳進入三態(tài)時，驅動器進入低功耗狀態(tài)，輸出置為低電平。
• ?SKIP 引腳功能?：控制轉換器在 CCM 和 DCM 之間切換，SKIP 引腳三態(tài)時進入極低功耗狀態(tài)。
• ?自適應死區(qū)時間控制?：減少 MOSFET 體二極管導通時間和恢復損耗。
• ?集成 BST 開關?：使用 FET 替代傳統(tǒng)二極管，降低高側 FET 的導通損耗。

6. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：8引腳 WSON 封裝，帶濕側翼。
• ?尺寸?：2mm × 2mm。

7. 布局指南

• ?驅動器位置?：應盡可能靠近 MOSFET。
• ?電容位置?：VDD 和自舉電容應盡可能靠近驅動器。
• ?地線處理?：使用封裝的熱焊盤作為 GND，直接連接到 MOSFET 的源極。
• ?走線寬度?：DRVH 和 DRVL 走線寬度建議為 80 至 100 密耳。