人工智能（AI）技術(shù)的突破正深刻改變著社會各領(lǐng)域，但隨著算法復(fù)雜度提升與數(shù)據(jù)量爆炸式增長，傳統(tǒng)存儲架構(gòu)逐漸成為AI發(fā)展的瓶頸。鐵電存儲器的非易失性、高速讀寫、低功耗等特性，正在成為人工智能領(lǐng)域的關(guān)鍵使能技術(shù)，推動計算架構(gòu)向更高效、更智能的方向演進。

鐵電存儲器SF25C20/SF24C512是基于鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)，兼具RAM的高速讀寫能力與ROM的非易失性，其核心優(yōu)勢包括：

?低功耗：4.5毫安，待機功耗僅1微安，適合邊緣設(shè)備和移動終端。

?高速響應(yīng)：讀寫速度達到1E11次讀/寫操作，它的讀/寫耐久性大大超過 FLASH 和 EEPROM。

?長壽命：數(shù)據(jù)保持能力為10年@85℃（200年@25℃），在較長時間惡劣的環(huán)境條件下，存儲的數(shù)據(jù)也不會丟失。

?高工作頻率：它們的工作頻率均為25MHz，且都支持40MHz高速讀命令，能夠滿足一些對數(shù)據(jù)讀寫速度要求較高的應(yīng)用場景。

?小尺寸封裝：支持SOP8 150mil封裝和SOP8 208mil封裝，具有體積小、易于安裝和焊接的優(yōu)點，能夠節(jié)省PCB板的空間。

在邊緣設(shè)備中，如智能攝像頭、無人機，鐵電存儲器SF25C20/SF24C512可替代MB85RS2M/FM25V20以及MB85RC512/FM24C512，實現(xiàn)AI模型參數(shù)的本地化存儲。例如，通過將CNN模型權(quán)重固化在鐵電存儲器中，設(shè)備無需頻繁訪問外部存儲，大幅降低延遲并減少數(shù)據(jù)傳輸能耗。

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