概述

ADRF5050是一款非反射式SP4T開關，采用絕緣硅(SOI)工藝制造。ADRF5050的工作頻率范圍為100 MHz至20 GHz，具有低于1.20 dB的插入損耗以及高于47 dB的隔離性能。對于直通路徑，該器件具有33 dBm的射頻輸入功率處理能力。

ADRF5050采用+3.3 V和?3.3 V雙電源供電。該器件還可以采用單正電源電壓(VDD)供電，同時負電源引腳(VSS)接地。單電源工作條件需要較低的工作功率，同時保持出色的小信號性能。

ADRF5050采用兼容互補金屬氧化物半導體(CMOS)和低壓晶體管對晶體管邏輯(LVTTL)的控件。該器件具有使能和邏輯選擇控制特性，可分別提供全部關斷狀態和端口鏡像功能。

ADRF5050與ADRF5042和ADRF5043引腳兼容。

ADRF5050采用符合RoHS標準的24引腳、3 mm × 3 mm、基板柵格陣列(LGA)封裝，工作溫度范圍為?40°C至+105°C。
數據表：*附件：ADRF5050非反射式硅SP4T開關，100MHz至20GHz技術手冊.pdf

應用

• 測試儀器儀表
• 軍用無線電、雷達和電子對抗(ECM)
• 微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT)

特性

• 超寬帶頻率范圍：100 MHz至20 GHz
• 非反射式50 Ω設計
• 低插入損耗
  • 0.9 dB（典型值）至6 GHz
  • 1.00 dB（典型值）至12 GHz
  • 1.20 dB（典型值）至20 GHz
• RFx和RFx之間高隔離度
• 54 dB（典型值）至6 GHz
• 50 dB（典型值）至12 GHz
• 47 dB（典型值）至20 GHz
• 高輸入線性度
• P0.1dB：34 dBm（典型值）
• IP3：55 dBm（典型值）
• 高RF功率處理
  • 通過路徑：33 dBm（高達20 GHz）
  • 端接路徑: 18 dBm（高達20 GHz）
• 開關時間：55 ns
• 0.1 dB建立時間（50% VCTRL至0.1 dB最終R FOUT ）：80 ns
• 全部關斷狀態控制
• 邏輯選擇控制
• 單電源供電，具有降額功率處理能力
• 無低頻雜散
• 24引腳、3 mm × 3 mm，基板柵格陣列(LGA)封裝
• 與ADRF5042和ADRF5043引腳兼容

功能框圖

引腳配置

接口示意圖

ADRF5050有兩個電源引腳(VDD和VSS)和四個控制引腳(LS、EN、V1和V2)。圖26顯示了電源和控制引腳的外部元件和連接。電源和控制引腳通過100多層陶瓷電容去耦。盡可能靠近ADRF5050放置去耦電容。器件引腳排列允許將去耦電容放置在ADRF5050附近。偏置和工作不需要其它外部元件，但當RF線路偏置電壓不為0v時，RFx引腳上的DC隔直電容除外。詳情參見“引腳配置和功能描述”部分。