BW-4022C

半導體綜合測試系統(tǒng)

BW-4022C半導體綜合測試系統(tǒng)可同時針對：

【光耦】Input:Vf/It/Ct；Output:Iceo/BVceoBVeco;TransferCharacteristics:If/CTR&Vice(sat)/Riso/Cf/Fc/Tr/Tf.

適用于〖三極管管型光耦/可控硅光耦/繼電器光耦〗進行測試。

【二極管】

--Kelvin /Type_ident /Pin_test /Vrrm/Irrm/V/△Vf/V_Vrrm/I_Irrm/△Vrrm；

〖Diode /穩(wěn)壓Diode/ZD/SBC/TVS/整流橋堆〗進行測試。

【壓敏電阻】

〖Kelvin /Vrrm /Vdrm /Irrm /Idrm /△Vr〗進行測試。

【鋰亞電池】

〖Kelvin/電池空載電壓（Vbt）/負載電壓(Vbt_load ) /測試電流（0-10A 恒流 ）/負載電壓變化值（▲Vbt_load）/電池內(nèi)阻(Vbt Res) 等進行測試。

【晶振】

〖震蕩頻率(Freq_osc )/諧振電阻（Ri）/頻率精度(Freq_ppm)/測試頻率范圍（10kHz~10MHz）等測試。

【其他測試功能可定制拓展】【產(chǎn)品詳細參數(shù)資料請向廠家索要】

BW-4022C半導體綜合測試系統(tǒng)是針對于半導體器件開發(fā)專用測試的系統(tǒng)，經(jīng)我公司產(chǎn)品升級與開發(fā)，目前亦可以對二極管、光電耦合器、壓敏電阻、鋰亞電池、晶振5種器件進行參數(shù)測試，性能、精度、測試范圍均滿足客戶測試需求，可用于客戶端來料檢驗、研發(fā)分析、 產(chǎn)品選型等重要檢測設(shè)備之一。

BW-4022C 半導體綜合測試系統(tǒng)采用大規(guī)模 32 位 ARM&MCU 設(shè)計， PC 中文操作界面，程控軟件基于 Lab VIEW 平臺， 填充調(diào)用式菜單操作界面，測試界面簡潔 靈活、人機界面友好。配合開爾文綜合集成測試插座，根據(jù)不同器件更換測試座配合，系統(tǒng)可適配設(shè)置完成對二極管、光電耦合器、壓敏電阻、鋰亞電池、晶振5種元件的靜態(tài)參數(shù)測試。

該測試系統(tǒng)主要由測試主機和程控電腦及外部測試夾具三部分組成，并接受客戶端MES系統(tǒng)進行測試指令：方案選取/開始/暫停/停止/數(shù)據(jù)上傳等操作執(zhí)行，并可將測試數(shù)據(jù)上傳至MES系統(tǒng)由客戶端處理。

一、 設(shè)備規(guī)格與環(huán)境要求

物理規(guī)格

主機尺寸：深 660*寬 430*高 210(mm) 臺式

主機重量：＜25kg

產(chǎn)品色系：白色系

工況環(huán)境

主機功耗：＜300W

海拔高度：海拔不超過 1500m；

環(huán)境要求：-20℃～60℃（儲存）、5℃～50℃（工作）；

相對濕度： 20%RH～75%RH (無凝露，濕球溫度計溫度 45℃以下)；

大氣壓力：86Kpa～106Kpa；

防護條件：無較大灰塵，腐蝕或可燃性氣體，導電粉塵等；

供電要求

電源配置：AC220V±10%、50Hz±1Hz；

工作時間：連續(xù)；

二、測試種類與技術(shù)指標

1、光耦測試：

輸入（Input）相關(guān)參數(shù)

·正向電壓（Forward Voltage）：

·符號：Vf

·最小值：無

·典型值：1.2 V

·MAX值：1.4 V

·單位：V

·測試條件：If=20mA

·反向電流（Reverse Current）：

·符號：Ir

·最小值：無

·典型值：無

·MAX值：10 μA

·單位：μA

·測試條件：Vr=4V

輸出（Output）相關(guān)參數(shù)

·集電極暗電流（Collector Dark Current）：

·符號：Iceo

·最小值：無

·典型值：無

·MAX值：100 nA

·單位：nA

·測試條件：Vce-20V,If=0

·集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓（Collector-Emitter Breakdown Voltage）：

·符號：BVceo

·最小值：80 V

·典型值：無

·MAX值：無

·單位：V

·測試條件：Ic-0.1mA,If=0

·發(fā)射極 - 集電極擊穿電壓（Emitter-Collector Breakdown Voltage）：

·符號：BVeco

·最小值：6 V

·典型值：無

·MAX值：無

·單位：V

·測試條件：Ie-10μA,,If=0

·集電極電流（Collector Current）：

·符號：Ic

·最小值：2.5 mA

·典型值：無

·MAX值：30 mA

·單位：mA

·測試條件：If=5mA,Vce-5V

·電流傳輸比（Current Transfer Ratio）：

·符號：CTR

·最小值：50 %

·典型值：無

·MAX值：600 %

·單位：%

·測試條件：If=5mA,Vce-5V

傳輸特性（TRANSFER CHARACTERISTICS）相關(guān)參數(shù)

·集電極 - 發(fā)射極飽和電壓（Collector-Emitter Saturation Voltage）：

·符號：Vce

·最小值：無

·典型值：0.1 V

·MAX值：0.2 V

·單位：V

·測試條件：If=20mA,Ic-1mA

·隔離電阻（Isolation Resistance）：

·符號：Riso

·最小值：Ω

·典型值：Ω

·MAX值：無

·單位：Ω

·測試條件：DC500V, 40 - 60% R.H.

（以上參數(shù)基于晶體管LTV-816-Cu series特性參數(shù)）

·三極管管型光耦

·可控硅光耦

·繼電器光耦

2、二極管類測試

·二極管類：二極管

·Diode

·Kelvin ，Vrrm ，Irrm ，Vf ，△Vf ，△Vrrm ，Tr（選配）；

二極管類：穩(wěn)壓二極管

·ZD（Zener Diode）

·Kelvin ，Vz ，lr ，Vf ，△Vf ，△Vz ；

二極管類：穩(wěn)壓二極管

·ZD（Zener Diode）

·Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz；

二極管類：三端肖特基二極管 SBD（SchottkyBarrierDiode）

·Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm；

二極管類： 瞬態(tài)二極管

·TVS

·Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm ；

二極管類：整流橋堆

·Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm；

二極管類：三相整流橋堆

·Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm；

3、壓敏電阻測試

·Kelvin 、Vrrm 、 Vdrm 、Irrm 、Idrm 、 △Vr ;（參數(shù)配置精度與二極管一致）

4、鋰亞電池測試

·Kelvin(0~150mV)

·電池空載電壓（Vbt） 0-100V +-0.2%

·負載電壓(Vbt_load ) 0-100V +-0.5% 測試電流（0-10A 恒流 ）

·負載電壓變化值（▲Vbt_load）0-10v +-5% 測試電流（0-10A 恒流 ）

·電池內(nèi)阻(Vbt Res) 0-10v +-5% 測試電流（0-10A 脈沖 ）

5、晶振測試

·震蕩頻率(Freq_osc )

·諧振電阻（Ri）

·頻率精度(Freq_ppm)

·測試頻率范圍（10kHz~10MHz）

測試參數(shù)	符號	量程	測試范圍	測試條件	測量精度
震蕩頻率	Fosc	10kHz~100kHz 100kHz~1MHz 1MHz~5MHz 5MHz~10MHz	10kHz~10MHz		0.1Hz
諧振電阻	Rz	0~100K			±10%
頻率精度	ppm		0-1000		0.01%

三、參數(shù)配置與性能指標

1.電流/電壓源 VIS自帶VI測量單元

1）加壓（FV）

量程	分辨率	精度
±40V	19.5mV	± 1%設(shè)定值+FullRange0.1%± 19.5mV
±20V	10mV	±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±10mV
±10V	5mV	±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±5mV
±5V	2mV	±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2mV
±2V	1mV	±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2mV

2)加流(FI)：

量程	分辨率	精度
±100A	195mA	±2% 設(shè)定值+FullRange0.1%±100mA
±40A	19.5mA	±2% 設(shè)定值+FullRange0.1%±30mA
±4A	1.95mA	±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2mA
±400mA	119.5uA	±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±200uA
±40mA	11.95uA	±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±20uA
±4mA	195nA	±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±200nA
±400uA	19.5nA	±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±20nA
±40uA	1.95nA	±2% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2nA

說明：電流大于1.5A自動轉(zhuǎn)為脈沖方式輸出，脈寬范圍：300us-1000us可調(diào)

3). 電流測量(MI)

量程	分辨率	精度
±100A	12.2mA	±5% 讀數(shù)值+FullRange0.2%±100mA
±40A	1.22mA	±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20mA
±4A	122uA	±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±2mA
±400mA	12.2uA	±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±200uA
±40mA	1.22uA	±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20uA
±4mA	122nA	±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±2uA
±400uA	12.2nA	±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±200nA
±40uA	1.22nA	±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20nA

4). 電壓測量(MV)

量程	分辨率	精度
±40V	1.22mV	±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20mV
±20V	122uV	±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±2mV
±10V	12.2uV	±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±200uV
±5V	1.22uV	±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20uV

2. 數(shù)據(jù)采集部分 VM （16位ADC，100K/S采樣速率）

1). 電壓測量(MV)

量程	分辨率	精度
±2000V	1.22mV	±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20mV
±100V	122uV	±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±2mV
±10V	12.2uV	±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±200uV
±1V	1.22uV	±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20uV

2). 漏電流測量(MI)

量程	分辨率	精度
±100mA	30uA	±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±30uA
±10mA	3uA	±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±3uA
±1mA	300nA	±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±300nA
±100uA	30nA	±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±30nA
±10uA	3nA	±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±10nA
±1uA	300pA	±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±10nA
±100nA	30pA	±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±5nA

3

. 高壓源 HVS(基本)16位DAC

1).加壓(FV)

量程	分辨率	精度
2000V/10mA	30.5mV	±0.5% 設(shè)定值+FullRange0.1%±500mV
200V/10mA	30.5mV	±0.5% 設(shè)定值+FullRange0.1%±500mV
40V/50mA	30.5mV	±0.5% 設(shè)定值+FullRange0.1%±500mV

2).加流(FI)：

量程	分辨率	精度
10mA	4.88uA	±2% 設(shè)定值+FullRange0.1%±10uA
2mA	488nA	±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2uA
200uA	48.8nA	±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±200nA
20uA	4.88nA	±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±20nA
2uA	488pA	±2% 設(shè)定值+FullRange0.1%±10nA

審核編輯 黃宇