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飛虹MOS管FHP1404V的參數性能

廣州飛虹半導體 ? 來源:廣州飛虹半導體 ? 2025-03-01 11:30 ? 次閱讀

針對12V輸入電路的產品電路設計,需要有更高的電壓安全系數。這一款2025年新推出到市場的國產MOS管以BVDSS_typ=55V的參數性能幫助解決上述問題。

它的創新性設計是基于已有成熟的產品體系而來的,可以穩定且可靠的應用于各種12V輸入的逆變器、12V輸入的音響電源中。

它就是飛虹半導體首發新品FHP1404V型號MOS管,正是擁有上述特點,而且還擁有極低導通電阻,讓其可以無縫代換CS1404、IRF1404PbF、HY4004、FTP1404型號場效應管。

FHP1404V作為N溝道增強型場效應晶體管,它采用先進的溝槽技術,降低了導通損耗,提高了開關性能,提高了雪崩能量。

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該晶體管可用于各種功率開關電路,產品外形是TO-220封裝,符合JEDEC標準,在環保上符合RoHS和REACH標準、無鹵環保。

下述將圍繞FHP1404V場效應管的產品特點、友商參數對比、推薦應用范圍、部分典型特性曲線來介紹:

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一、產品特點

(1)100% Rg測試。

(2)100% EAS測試。

(3)100% DVDS瞬間熱阻測試。

(4)采用細化分檔Vth,進一步提高了產品的一致性高。

(5)通過采用特色的trench工藝,結合優秀的封裝BOM材料和生產管控,產品滿足工業級需求。

(6)擁有極低的導通內阻RDS(on),FHP1404V的導通內阻典型值相比IRF1404PbF的低44%。導通損耗低。

(7)雪崩耐量高,抗沖擊性能強。

(8)FHP1404V擁有更高的電壓余量,BVDSS_typ=55V,應對12V輸入電壓系統,電壓安全系數更高。

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二、友商參數對比

(1)與HY4004相比擁有更低的導通內阻,降低了導通損耗,同時提高了品質因數FOM(RDSON*Qg),性能更優。

(2)與IRF1404PbF相比,降低了導通損耗,柵極電荷更小(160nC vs 210nC),開關速度更快,可提供更高性價比的國產化替代產品。

(3)與CS1404、FTP1404對比導通電阻更優,適合追求極致效率和電流能力的產品。

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三、推薦應用范圍

(1)高頻逆變器應用:12V蓄電池輸入的車載高頻逆變器中的DC/DC推挽拓撲升壓電路。

(2)適合12V的全橋拓撲結構的太陽能工頻離網逆變器應用。

(3)適合12V輸入的音響電源中的DC-DC推挽拓撲升壓電路。

(4)適合12V蓄電池供電的UPS不間斷電源。

(5)適合大功率高頻開關電源上的同步整流。

四、部分典型特性曲線

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對于常需要用于高頻逆變器、UPS電源、同步整流等領域以及針對需要12V輸入電路設計的產品建議可以多看看這一款優質的國產化MOS管。

FHP1404V超低導通電阻、高電流能力、優異熱管理,適合高功率密度應用(如大電流逆變器、UPS),在同領域產品中適合追求極致效率和電流能力的電路設計。

飛虹半導體致力于大功率分立器件、集成電路、功率器件的研發、生產及銷售,給廠家提供可持續穩定供貨。至今已經有35年半導體行業經驗以及20年研發、制造經驗。除可提供免費試樣外,更可根據客戶需求進行量身定制MOS管產品。

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原文標題:2025國產MOS管:極低導通電阻、BVDSS_typ=55V更適合12V輸入電路!

文章出處:【微信號:廣州飛虹半導體,微信公眾號:廣州飛虹半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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