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TPS7A03 具有快速瞬態(tài)響應(yīng)的 Nanopower-IQ 200nA 200mA 低壓差 (LDO) 穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-02-28 10:50 ? 次閱讀

TPS7A03 是一款超小型、超低靜態(tài)電流低壓差線性穩(wěn)壓器LDO),可提供 200 mA 電流,具有出色的瞬態(tài)性能。

TPS7A03,具有超低的 IQ的 200 nA,專為極低靜態(tài)電流是關(guān)鍵參數(shù)的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。本器件保持低 IQ即使在 dropout 模式下也能消耗,以進(jìn)一步延長電池壽命。當(dāng)處于關(guān)斷或禁用模式時(shí),該器件消耗超低的 3nA IQ這有助于延長電池的保質(zhì)期。該TPS7A03具有 0.8 V 至 5.0 V 的輸出范圍,步長為 50 mV,以支持現(xiàn)代微控制器MCU) 的較低內(nèi)核電壓。
*附件:TPS7A03 具有快速瞬態(tài)響應(yīng)的 Nanopower IQ、200nA、200mA、低壓差穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf

TPS7A03 具有一個(gè)智能使能電路,帶有一個(gè)內(nèi)部控制的下拉電阻器,即使 EN 引腳懸空,也能保持 LDO 禁用狀態(tài),并有助于最大限度地減少用于下拉 EN 引腳的外部元件。當(dāng)器件使能時(shí),該電路還有助于最大限度地減少通過外部 Pulldown 電路吸收的電流。

TPS7A03 為 T J = –40°C 至 +125°C 工作溫度范圍。

特性

  • 超低 I Q : 200 nA(典型值),即使在壓差下
  • 關(guān)閉 I Q : 3 nA (典型值)
  • 出色的瞬態(tài)響應(yīng)(1 mA 至 50 mA)
    • < 10μs 建立時(shí)間
    • 80 mV 下沖
  • 包:
    • 1.0 mm × 1.0 mm X2SON
    • SOT23-5
    • 0.64 毫米× 0.64 毫米 DSBGA
  • 輸入電壓范圍:1.5 V 至 6.0 V
  • 輸出電壓范圍:0.8 V 至 5.0 V(固定)
  • 輸出精度:整個(gè)溫度范圍內(nèi)為 1.5%
  • 智能啟用 Pulldown
  • 極低的壓差:
    • 200 mA (V 時(shí)) 為 270 mV(最大值) = 3.3 V)
  • 使用 1 μF 或更大的電容器時(shí)保持穩(wěn)定

參數(shù)

image.png

方框圖

image.png

1. 概述

TPS7A03是一款超低靜態(tài)電流(IQ)低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO),具有200nA的典型靜態(tài)電流,即使在掉電模式下也能保持極低的功耗。該器件專為需要超低靜態(tài)電流的應(yīng)用而設(shè)計(jì),適用于大多數(shù)電池供電的設(shè)備。TPS7A03具有出色的瞬態(tài)響應(yīng)性能,能夠快速響應(yīng)負(fù)載電流的變化。

2. 主要特性

  • ?超低靜態(tài)電流?:典型值為200nA,即使在掉電模式下也能保持3nA的靜態(tài)電流。
  • ?快速瞬態(tài)響應(yīng)?:負(fù)載電流從1mA到50mA變化時(shí),恢復(fù)時(shí)間小于10μs,下沖電壓小于80mV。
  • ?寬輸出電壓范圍?:輸出電壓范圍從0.8V到5.0V,步長為50mV,支持現(xiàn)代微控制器的低核心電壓需求。
  • ?智能使能電路?:具有內(nèi)部控制的下拉電阻,即使EN引腳懸空也能保持LDO禁用狀態(tài)。
  • ?多種封裝選項(xiàng)?:提供1.0mm×1.0mm X2SON、SOT23-5和0.64mm×0.64mm DSBGA等多種封裝形式。

3. 電氣特性

  • ? 電源抑制比(PSRR) ?:在f=1kHz,IOUT=30mA時(shí),PSRR為55dB。
  • ?輸出電壓噪聲?:在BW=10Hz到100kHz,VOUT=0.8V,IOUT=30mA時(shí),RMS噪聲為130μV。
  • ? 欠壓鎖定(UVLO) ?:具有UVLO功能,可在輸入電壓過低時(shí)自動關(guān)閉輸出,保護(hù)電路不受損壞。

4. 功能描述

  • ?出色的瞬態(tài)響應(yīng)?:通過動態(tài)偏置和自適應(yīng)偏置技術(shù),在瞬態(tài)過程中擴(kuò)展閉環(huán)帶寬,提高輸出響應(yīng)速度。
  • ?主動放電?:P版本器件具有內(nèi)部下拉MOSFET,可在禁用時(shí)主動放電輸出電容,減少電池泄漏。
  • ?低掉電靜態(tài)電流?:在掉電模式下,通過檢測器件的工作狀態(tài)并維持低靜態(tài)電流,進(jìn)一步減少電池消耗。
  • ?智能使能?:通過控制EN引腳的高低電平來啟用或禁用器件,同時(shí)利用內(nèi)部下拉電阻確保器件在EN引腳懸空時(shí)保持禁用狀態(tài)。

5. 應(yīng)用領(lǐng)域

  • 適用于各種電池供電的設(shè)備,如便攜式電子產(chǎn)品、無線傳感器網(wǎng)絡(luò)、醫(yī)療設(shè)備等。
  • 特別適合那些對靜態(tài)電流要求極高,同時(shí)需要良好瞬態(tài)響應(yīng)性能的應(yīng)用場景。

6. 封裝與尺寸

  • 提供多種封裝選項(xiàng),包括1.0mm×1.0mm X2SON、SOT23-5和0.64mm×0.64mm DSBGA等,以滿足不同應(yīng)用需求。
  • 具體封裝尺寸和引腳布局請參考數(shù)據(jù)表中的詳細(xì)機(jī)械尺寸圖。

7. 推薦應(yīng)用電路與布局指南

  • 數(shù)據(jù)表中提供了典型應(yīng)用電路圖,包括輸入電容、輸出電容和使能引腳的連接方式。
  • 布局指南建議將輸入和輸出電容盡可能靠近器件放置,以減少寄生電感和電阻對電路性能的影響。

8. 文檔與支持資源

  • 數(shù)據(jù)表提供了詳細(xì)的技術(shù)規(guī)格、電氣特性和應(yīng)用信息。
  • Texas Instruments官方網(wǎng)站提供了進(jìn)一步的技術(shù)支持、文檔更新通知和相關(guān)設(shè)計(jì)資源。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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