方案簡介
KEY按鍵是電子設備中常見的輸入設備之一,其原理簡單,常見于許多應用,包括手機、汽車和人機界面 (HMD)。KEY按鍵通常由按鍵帽、彈簧、觸點等部分組成。當按鍵被按下時,按鍵帽推動彈簧使觸點閉合,從而改變電路中的電平狀態(通常是從高電平變為低電平),這個電平變化被微控制器或其他電路檢測并轉換為相應的操作指令。
KEY按鍵的應用場景具備大面積接觸區域,為 ESD 進入系統提供低阻抗路徑,面臨著靜電放電(ESD)的潛在威脅。由于按鈕在人機交互中的核心作用,集成ESD保護二極管于系統中顯得尤為重要,能有效避免下游電路受瞬態電壓的侵害。為確保系統整體對ESD沖擊的抵御能力,在挑選適宜的ESD保護二極管時,必須細致考量按鈕接口的獨特屬性與需求。
KEY ESD保護要求
在為KEY按鍵選擇ESD保護器件時我們需要考慮如下要求:
工作電壓
保護二極管的反向工作電壓 (VRWM)必須大于受保護系統的工作電壓。
極性
可以使用一個單向或雙向二極管來保護系統。當線路上只有正電壓時,建議使用單向二極管。單向二極管還會鉗位在較低電壓以應對負 ESD 沖擊,當應用對負電壓沖擊的耐受性較低時,這是一項優勢。當存在正電壓或負電壓時,建議使用雙向二極管。
鉗位電壓
可能有許多不同的系統在使用一個按鈕或鍵盤。這導致 ESD 二極管的鉗位電壓取決于按鈕的下游電路。
按鈕通常位于低速和低電壓的數據線上,信號速度較低,因此在選擇 ESD 保護器件時,推薦使用常規電容的器件。
IEC 61000-4-2 等級
IEC 61000-4-2 測試標準定義了實際的 ESD 沖擊。該標準包含兩項測量:接觸放電和空氣間隙放電。接觸和空氣間隙等級越高,器件能夠承受的電壓就越高。對于按鈕、鍵盤和側鍵,建議觸點采用最低 IEC61000-4-2 等級,即 8kV。由于空氣間隙放電是按鈕上更為突出的 ESD 形式,因此建議使用 15kV 或更高的 IEC 61000-4-2 等級。
應用示例
我們為KEY按鍵推薦了三款常規電容ESD防護器件,型號分別為SENC5D5V1BA、SENC2F5V1BA和SENC2X5V1BA。三款器件都為單通道雙向保護器件,一個ESD器件可以對單條線路進行靜電防護。客戶可根據線路情況進行選擇。
SENC5D5V1BA的工作電壓為5V,鉗位電壓為8.5V,結電容為15pF,SOD-523封裝,符合IEC 61000-4-2 (ESD) Level 4 規范,在 ±25kV(空氣)和 ±25kV(接觸)下提供瞬變保護。
SENC2F5V1BA的工作電壓為5V,鉗位電壓為10V,結電容為10pF,DFN1006-2L封裝,符合IEC 61000-4-2 (ESD) Level 4 規范,在 ±30kV(空氣)和 ±30kV(接觸)下提供瞬變保護。
SENC2X5V1BA的工作電壓為5V,鉗位電壓為10V,結電容為12pF,DNF0603-2L封裝,符合IEC 61000-4-2 (ESD) Level 4 規范,在 ±25kV(空氣)和 ±25kV(接觸)下提供瞬變保護。
型號參數
規格型號 | 方向 | 工作電壓(V) | IPP(A) | 鉗位電壓(V) | 結電容(pF) | 封裝 |
SENC5D5V1BA | Bi | 5 | 8 | 8.5 | 15 | SOD-523 |
SENC2F5V1BA | Bi | 5 | 6 | 10 | 10 | DFN1006-2L |
SENC2X5V1BA | Bi | 5 | 10 | 10 | 12 | DNF0603-2L |
電氣特性表
At TA = 25℃ unless otherwise noted
Parameter | Symbol | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Units |
Reverse Stand-off Voltage | VRWM | 5.0 | V | |||
Reverse Breakdown Voltage | VBR | IT=1mA | 5.8 | V | ||
Reverse Leakage Current | IR | VRWM=5V | 1.0 | uA | ||
Clamping Voltage | VC | IPP=1A; tp=8/20us | 7.0 | 8.0 | V | |
Clamping Voltage | VC | IPP=8A; tp=8/20us | 8.5 | 10.0 | V | |
Junction Capacitance | CJ | I/O to I/O; VR=0V; f=1MHz | 15 | 20 | pF |
表1 SENC5D5V1BA電氣特性表
Parameter | Symbol | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Units |
Reverse Stand-off Voltage | VRWM | 5.0 | V | |||
Reverse Breakdown Voltage | VBR | IT=1mA | 5.6 | V | ||
Reverse Leakage Current | IR | VRWM=5V | 1.0 | uA | ||
Clamping Voltage | VC | IPP=1A; tp=8/20us | 8.0 | 10.0 | V | |
Clamping Voltage | VC | IPP=6A; tp=8/20us | 10.0 | 12.0 | V | |
Junction Capacitance | CJ | I/O to GND; VR=0V; f=1MHz | 10 | 15 | pF |
表2 SENC2F5V1BA電氣特性表
Parameter | Symbol | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Units |
Reverse Stand-off Voltage | VRWM | 5.0 | V | |||
Reverse Breakdown Voltage | VBR | IT=1mA | 5.6 | V | ||
Reverse Leakage Current | IR | VRWM=5V | 1.0 | uA | ||
Clamping Voltage | VC | IPP=1A; tp=8/20us | 8.0 | 10.0 | V | |
Clamping Voltage | VC | IPP=10A; tp=8/20us | 10.0 | 12.0 | V | |
Junction Capacitance | CJ | I/O to GND; VR=0V; f=1MHz | 12 | 20 | pF |
表3 SENC2X5V1BA電氣特性表
總結與結論
KEY按鍵在生活和生產中應用廣泛,其靜電保護能力也對后續電路的穩定性十分重要。ELECSUPER SEMI研發各種低電容低鉗位電壓的ESD和TVS保護器件,可按照客戶需求性能與封裝提供定制化開發服務,為各種接口及通信線路提供值得信賴的保護器件。以上解決方案是保護KEY按鍵電路的優選之策,確保電路系統的有序與穩定。
審核編輯 黃宇
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