女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

瑤華半導(dǎo)體:引領(lǐng)大功率射頻封測(cè)技術(shù),助力5G與能源應(yīng)用

華太電子 ? 來(lái)源:華太電子 ? 2025-01-14 09:22 ? 次閱讀

引言

射頻前端的核心部件包括功率放大器、濾波器、低噪聲放大器、開(kāi)關(guān)和雙工器等。其中,射頻功率放大器(Power Amplifier,PA)是射頻系統(tǒng)中的核心器件,負(fù)責(zé)將射頻信號(hào)的功率放大,以保證無(wú)線通信的有效傳輸。作為大功率射頻功放器件封測(cè)的領(lǐng)先企業(yè),瑤華半導(dǎo)體憑借強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力與創(chuàng)新能力,已在行業(yè)中獲得廣泛認(rèn)可,成為通信與能源應(yīng)用領(lǐng)域的重要合作伙伴。

01

關(guān)于瑤華半導(dǎo)體

瑤華半導(dǎo)體專注于LDMOS、GaN等大功率射頻空腔器件以及IGBT、SiC功率模塊的封裝與測(cè)試。公司目前擁有超過(guò)16000平米的無(wú)塵車(chē)間,年產(chǎn)能達(dá)到1000萬(wàn)顆以上,并且持續(xù)擴(kuò)產(chǎn),致力于滿足5G基站、物聯(lián)網(wǎng)、無(wú)線對(duì)講機(jī)、工業(yè)及醫(yī)療等多領(lǐng)域的需求。

瑤華不僅提供領(lǐng)先的射頻功放封測(cè)技術(shù),還以自主研發(fā)為核心競(jìng)爭(zhēng)力,確保從工藝到器件封裝與測(cè)試、材料的每個(gè)環(huán)節(jié)都掌握在自己手中,能夠快速響應(yīng)市場(chǎng)需求,為客戶提供一站式解決方案。

瑤華封測(cè)業(yè)務(wù)

圍繞射頻空腔產(chǎn)品和功率產(chǎn)品的封測(cè)業(yè)務(wù),聚焦通信和能源應(yīng)用領(lǐng)域

6e16bbaa-cf3b-11ef-9310-92fbcf53809c.png

技術(shù)實(shí)力:專注于LDMOS和GaN大功率射頻空腔器件封測(cè)技術(shù)的研發(fā)、設(shè)計(jì)、和制造,能夠提供高性能的PA解決方案。

產(chǎn)品覆蓋:封測(cè)技術(shù)可以提供各種功率,不同頻段的多種射頻PA封測(cè),滿足5G基站、物聯(lián)網(wǎng)、無(wú)線對(duì)講機(jī)、工業(yè)科學(xué)醫(yī)療等不同領(lǐng)域的需求。

自主研發(fā)能力:從管殼封裝材料到工藝器件封裝與測(cè)試,均自主研發(fā),依托強(qiáng)大的研發(fā)與設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì),能夠快速響應(yīng)市場(chǎng)需求并提供一站式產(chǎn)品解決方案。

高性價(jià)比:在成本控制方面具有顯著優(yōu)勢(shì),目前瑤華具備純銅法蘭AC DFN/AC QFN/AC LGA 、寬頻帶毫米波、SIP系統(tǒng)級(jí)封裝,滿足客戶不同設(shè)計(jì)應(yīng)用需求,關(guān)鍵材料自主可控,能夠?yàn)榭蛻籼峁└咝阅?低成本的解決方案,可支持并實(shí)現(xiàn)大規(guī)模的量產(chǎn)發(fā)貨。

02

技術(shù)亮點(diǎn)

亮點(diǎn)一:成套射頻功放ACP封裝技術(shù)

瑤華半導(dǎo)體采用的ACP(Air Cavity of Plastic),空腔封裝技術(shù),在提升射頻芯片性能和可靠性方面取得了顯著突破。這項(xiàng)技術(shù)融合了多項(xiàng)創(chuàng)新設(shè)計(jì),如預(yù)置B-Stage膠蓋板、優(yōu)化的管殼結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以及高熱導(dǎo)率的納米燒結(jié)銀材料,確保了產(chǎn)品的高性能和長(zhǎng)期可靠性。

核心優(yōu)勢(shì):

靈活的設(shè)計(jì)選項(xiàng):提供多種封裝尺寸、鍵合絲選擇,滿足不同客戶需求。

創(chuàng)新工藝:內(nèi)互聯(lián)技術(shù)包括鋁線鍵合、金線鍵合,并使用無(wú)壓燒結(jié)銀技術(shù),增強(qiáng)連接可靠性。

解決行業(yè)難題:解決了GaN分層,空腔管殼溢膠、炸膠、偏位、漏氣等行業(yè)常見(jiàn)痛點(diǎn),保證了產(chǎn)品的高良率和可靠性。

高熱導(dǎo)率材料:金屬熱沉CPC232,141,111;純銅;金剛石銅復(fù)合材料,導(dǎo)熱系數(shù)最高800W/mK,固芯銀漿導(dǎo)熱系數(shù)范圍:130~330W/mk,有效改善了散熱問(wèn)題,提升產(chǎn)品穩(wěn)定性。

自動(dòng)化測(cè)試:擁有Spar,RFDC,Burn in全自動(dòng)化測(cè)試產(chǎn)線

6e3efeee-cf3b-11ef-9310-92fbcf53809c.png

亮點(diǎn)二:AC-LGA/QFN封裝

AC-LGA/QFN在射頻功放應(yīng)用中可以提高產(chǎn)品性能,優(yōu)化功率與效率,寬帶寬覆蓋,滿足多頻段需求,卓越的散熱管理,提升可靠性小型化與集成化,適應(yīng)移動(dòng)設(shè)備需求。

6e552a16-cf3b-11ef-9310-92fbcf53809c.png

核心優(yōu)勢(shì):

高頻模塊空腔解決方案AC-LGA/QFN封裝,頻段可高達(dá)87GHz,

采用SPI系統(tǒng)級(jí)封裝,內(nèi)嵌IPD組件可以滿足更小的封裝尺寸;

集成MIMO/PPS諧振/屏蔽腔蓋及密封式負(fù)壓腔設(shè)計(jì)。

亮點(diǎn)三:純銅法蘭與GaN芯片封裝技術(shù)

純銅法蘭導(dǎo)熱率可達(dá)400W/mK,有效提升散熱能力,提高產(chǎn)品性能,且性價(jià)比高,應(yīng)用前景非常好。但是,純銅法蘭(Cu Flange)與整體封裝結(jié)構(gòu)的CTE失配嚴(yán)重,界面之間內(nèi)應(yīng)力過(guò)大,界面分層風(fēng)險(xiǎn)高。針對(duì)這一封裝難題,瑤華團(tuán)隊(duì)通過(guò)仿真設(shè)計(jì)優(yōu)化,純銅法蘭自研,升級(jí)純銅管殼結(jié)構(gòu),并專項(xiàng)定制開(kāi)發(fā)納米銀燒結(jié)材料及工藝,成功解決封裝環(huán)節(jié)中的多項(xiàng)難題,為客戶提供高可靠性的封測(cè)解決方案:

6e6d911e-cf3b-11ef-9310-92fbcf53809c.png

6e8af916-cf3b-11ef-9310-92fbcf53809c.png

6ead04e8-cf3b-11ef-9310-92fbcf53809c.png

亮點(diǎn)四:功率模塊產(chǎn)品封測(cè)能力平臺(tái)

瑤華半導(dǎo)體封裝設(shè)計(jì)、工藝開(kāi)發(fā)、材料開(kāi)發(fā)、可靠性認(rèn)證、量產(chǎn)交付平臺(tái)已ready。除傳統(tǒng)焊料焊接工藝外,提供有壓/無(wú)壓銀燒結(jié)工藝方案,提升散熱能力,采用低熱阻高強(qiáng)度自研Si3N4陶瓷基板,提升產(chǎn)品壽命及可靠性。

核心優(yōu)勢(shì):

多種封裝類型,包含House全系列,且采用全自動(dòng)化測(cè)試,確保產(chǎn)品的性能達(dá)標(biāo);

自研陶瓷基板,可進(jìn)行非標(biāo)定制化設(shè)計(jì),滿足產(chǎn)品需求;

擁有MES、ERP、WMS、PLM、EAP、YMS等系統(tǒng)支持,保障生產(chǎn)智能化和高效率;產(chǎn)品追溯能力強(qiáng)大,實(shí)現(xiàn)從芯片到成品的全程信息透明;

通過(guò)車(chē)規(guī)級(jí)市場(chǎng)產(chǎn)品檢驗(yàn),對(duì)標(biāo)國(guó)際大廠的生產(chǎn)管理體系。

6ecaa2fa-cf3b-11ef-9310-92fbcf53809c.png

亮點(diǎn)五:新項(xiàng)目開(kāi)發(fā)能力

瑤華半導(dǎo)體擁有快速響應(yīng)的工程開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì),可支持新工藝、新材料和新設(shè)計(jì)的開(kāi)發(fā)與迭代。并通過(guò)CNAS認(rèn)證實(shí)驗(yàn)室支持新產(chǎn)品的快速認(rèn)證,確保產(chǎn)品的質(zhì)量和穩(wěn)定性。

核心優(yōu)勢(shì):

7天快速交付封測(cè)樣品,支持項(xiàng)目快速迭代。

工程開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)24小時(shí)隨時(shí)待命,確??蛻粜枨蟮玫郊皶r(shí)響應(yīng)。

完善的質(zhì)量監(jiān)控體系,保障批量生產(chǎn)的高穩(wěn)定性。

03

總結(jié)

作為大功率射頻封測(cè)技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者,瑤華半導(dǎo)體憑借自主創(chuàng)新的封測(cè)解決方案,推動(dòng)了5G通信、物聯(lián)網(wǎng)、能源等多個(gè)行業(yè)的發(fā)展。憑借專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)、強(qiáng)大的研發(fā)能力和穩(wěn)定的生產(chǎn)體系,瑤華不斷引領(lǐng)行業(yè)進(jìn)步,為全球客戶提供高性能、低成本的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 射頻
    +關(guān)注

    關(guān)注

    106

    文章

    5725

    瀏覽量

    169717
  • 封測(cè)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4

    文章

    363

    瀏覽量

    35426

原文標(biāo)題:瑤華半導(dǎo)體:引領(lǐng)大功率射頻封測(cè)技術(shù),助力5G與能源應(yīng)用

文章出處:【微信號(hào):華太電子,微信公眾號(hào):華太電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    麥科信獲評(píng)CIAS2025金翎獎(jiǎng)【半導(dǎo)體制造與封測(cè)領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商】

    制造與封測(cè)領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商榜單。本屆大會(huì)以\"新能源芯時(shí)代\"為主題,匯集了來(lái)自功率半導(dǎo)體、第三代材料應(yīng)用等領(lǐng)域的行業(yè)專家與企業(yè)代表。 作為專注電子測(cè)試測(cè)量領(lǐng)域的高新
    發(fā)表于 05-09 16:10

    科士達(dá)與英飛凌深入合作,全棧創(chuàng)新方案引領(lǐng)高頻大功率UPS市場(chǎng)新趨勢(shì)

    ?MOSFET器件以及EiceDRIVER?系列單通道磁隔離驅(qū)動(dòng)器等全套功率半導(dǎo)體解決方案,助力科士達(dá)大功率高頻UPS系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破。英飛
    的頭像 發(fā)表于 04-16 10:26 ?361次閱讀
    科士達(dá)與英飛凌深入合作,全棧創(chuàng)新方案<b class='flag-5'>引領(lǐng)</b>高頻<b class='flag-5'>大功率</b>UPS市場(chǎng)新趨勢(shì)

    最全最詳盡的半導(dǎo)體制造技術(shù)資料,涵蓋晶圓工藝到后端封測(cè)

    。 第1章 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)介紹 第2章 半導(dǎo)體材料特性 第3章 器件技術(shù) 第4章 硅和硅片制備 第5半導(dǎo)體制造中的化學(xué)品 第6章 硅片制造中
    發(fā)表于 04-15 13:52

    功率半導(dǎo)體與集成技術(shù):開(kāi)啟能源與智能新紀(jì)元

    本文深入探討了功率半導(dǎo)體器件與功率集成技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀,分析了其面臨的挑戰(zhàn)與機(jī)遇,并對(duì)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了展望。功率
    的頭像 發(fā)表于 04-09 13:35 ?462次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>與集成<b class='flag-5'>技術(shù)</b>:開(kāi)啟<b class='flag-5'>能源</b>與智能新紀(jì)元

    RFR30N-10CA0301A大功率射頻衰減片

    RFR30N-10CA0301A 大功率射頻衰減片?
    發(fā)表于 02-26 18:02 ?0次下載

    SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列,助力中壓大功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域

    近日,全球知名碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商SemiQ正式發(fā)布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品,專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì)。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 11:03 ?605次閱讀
    SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列,<b class='flag-5'>助力</b>中壓<b class='flag-5'>大功率</b>轉(zhuǎn)換領(lǐng)域

    銀燒結(jié)技術(shù)助力功率半導(dǎo)體器件邁向高效率時(shí)代

    隨著新能源汽車(chē)、5G通信、高端裝備制造等領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件作為其核心組件,正面臨著前所未有的挑戰(zhàn)與機(jī)遇。在這些領(lǐng)域中,功率
    的頭像 發(fā)表于 01-08 13:06 ?1224次閱讀
    銀燒結(jié)<b class='flag-5'>技術(shù)</b><b class='flag-5'>助力</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>器件邁向高效率時(shí)代

    揭秘功率半導(dǎo)體背后的封裝材料關(guān)鍵技術(shù)

    世界的橋梁,其選擇與應(yīng)用直接關(guān)系到半導(dǎo)體器件的性能表現(xiàn)、可靠性以及整體系統(tǒng)的穩(wěn)定性。隨著功率半導(dǎo)體器件向大規(guī)模集成化、大功率小型化、高效率低損耗、超高頻等方向發(fā)展
    的頭像 發(fā)表于 12-24 12:58 ?921次閱讀
    揭秘<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>背后的封裝材料關(guān)鍵<b class='flag-5'>技術(shù)</b>

    意法半導(dǎo)體緊湊型SILIMM大功率IPM簡(jiǎn)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

    新推出的SLLIMM大功率產(chǎn)品簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì),節(jié)省了電機(jī)驅(qū)動(dòng)平臺(tái)(最高5 kW)的物料成本。
    的頭像 發(fā)表于 11-19 14:09 ?1498次閱讀
    意法<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>緊湊型SILIMM<b class='flag-5'>大功率</b>IPM簡(jiǎn)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

    星曜半導(dǎo)體發(fā)布LB L-PAMiD全自研射頻模組芯片

    近日,星曜半導(dǎo)體正式推出了其針對(duì)5G應(yīng)用的全自研射頻模組芯片產(chǎn)品——STR51210-11。這款LB L-PAMiD模組芯片集成了星曜半導(dǎo)體全自主開(kāi)發(fā)的2
    的頭像 發(fā)表于 10-17 18:18 ?1118次閱讀

    結(jié)構(gòu)創(chuàng)新帶來(lái)功率器件性能突破,東芝半導(dǎo)體賦能新能源應(yīng)用

    管理展會(huì)PCIM Asia2024上,眾多海內(nèi)外功率半導(dǎo)體廠商都展示出最新的技術(shù)和產(chǎn)品。在本次展會(huì)上,電子發(fā)燒友網(wǎng)探訪了東芝半導(dǎo)體的展臺(tái),了解到東芝在
    的頭像 發(fā)表于 09-12 09:56 ?4650次閱讀
    結(jié)構(gòu)創(chuàng)新帶來(lái)<b class='flag-5'>功率</b>器件性能突破,東芝<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>賦能新<b class='flag-5'>能源</b>應(yīng)用

    GLUKE GSRLS大功率激光檢測(cè)器產(chǎn)品介紹

    GSRLS 是新一代大功率激光檢測(cè)器。它特別針對(duì)冶金行業(yè)惡劣的工作環(huán)境,采用激光峰值功率達(dá)30W的大功率半導(dǎo)體紅外激光管作為發(fā)射源,因而具有極強(qiáng)的穿透能力和極遠(yuǎn)的動(dòng)作距離。
    的頭像 發(fā)表于 09-09 11:50 ?770次閱讀

    大功率IGBT和SiC MOSFET的并聯(lián)設(shè)計(jì)方案

    隨著新能源技術(shù)的快速發(fā)展,對(duì)大功率半導(dǎo)體器件的需求日益增加。特別是在可再生能源領(lǐng)域,需要能夠承載巨大電流的功率器件。然而,由于生產(chǎn)成本、
    的頭像 發(fā)表于 08-01 15:27 ?1729次閱讀
    <b class='flag-5'>大功率</b>IGBT和SiC MOSFET的并聯(lián)設(shè)計(jì)方案

    易為芯光電5G射頻線焊接

    5G射頻
    jf_87022464
    發(fā)布于 :2024年06月17日 10:34:31

    功率半導(dǎo)體技術(shù)如何助力節(jié)碳減排

    相信大家都知道,全球氣候變暖問(wèn)題日益嚴(yán)重,節(jié)碳減排已經(jīng)成為了全球的共同使命。而功率半導(dǎo)體技術(shù),作為電子設(shè)備的核心技術(shù)之一,在節(jié)碳減排方面發(fā)揮著重要作用。今天我們就來(lái)聊聊
    的頭像 發(fā)表于 06-12 11:03 ?742次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>如何<b class='flag-5'>助力</b>節(jié)碳減排