拜登政府已宣布一項(xiàng)重大投資決策，計(jì)劃在紐約州的奧爾巴尼市投入8.25億美元，用于建設(shè)國(guó)家半導(dǎo)體技術(shù)中心（NSTC）的核心設(shè)施。據(jù)美國(guó)商務(wù)部透露，奧爾巴尼的這一基地將特別聚焦于極紫外（EUV）光刻技術(shù)的研發(fā)。

NSTC作為美國(guó)頂尖的研發(fā)機(jī)構(gòu)，其目標(biāo)是推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)的革新，培養(yǎng)具備相關(guān)技能的勞動(dòng)力，為這些新興領(lǐng)域提供人才支持，并促進(jìn)與私營(yíng)企業(yè)和學(xué)術(shù)界的深度合作。

此次建設(shè)的首個(gè)設(shè)施被命名為“美國(guó)《芯片法案》EUV加速器”（CHIPS for America Extreme Ultraviolet Accelerator），它將落戶(hù)于奧爾巴尼納米技術(shù)綜合大樓內(nèi)。這座綜合大樓占地面積超過(guò)165萬(wàn)平方英尺，由非營(yíng)利機(jī)構(gòu)——紐約研究中心、經(jīng)濟(jì)發(fā)展、技術(shù)、工程和科學(xué)中心（NY CREATES）負(fù)責(zé)管理。值得一提的是，該項(xiàng)目的資金來(lái)源于《芯片法案》，這是美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)28年來(lái)獲得的最大一筆投資。

美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)雷蒙多對(duì)此表示：“通過(guò)這一首個(gè)擬建的旗艦設(shè)施，《芯片法案》將為國(guó)家技術(shù)中心配備前沿的研究設(shè)備和工具，它的啟動(dòng)標(biāo)志著美國(guó)在保持全球半導(dǎo)體研發(fā)和創(chuàng)新領(lǐng)先地位方面邁出了重要一步。”

EUV技術(shù)有望打破摩爾定律的限制，該定律預(yù)測(cè)集成芯片中的晶體管數(shù)量將每?jī)赡攴丁ｈb于當(dāng)前最先進(jìn)的處理器已在單個(gè)芯片上集成了超過(guò)1000億個(gè)晶體管，業(yè)界急需進(jìn)一步推動(dòng)EUV光刻技術(shù)的發(fā)展，以在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的晶體管密度。

目前，全球范圍內(nèi)僅有荷蘭的ASML公司能夠生產(chǎn)用于制造最新一代芯片所需的高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV設(shè)備。