二維過渡金屬硫族化合物（TMDs）半導(dǎo)體材料因其可調(diào)的帶隙和高效的載流子輸運(yùn)而被廣泛應(yīng)用于界面反應(yīng)和電子器件。然而，塊體樣品或堆疊的納米片中缺乏完全暴露的活性位點(diǎn)限制了它們的性能。

基于此，東南大學(xué)任元副研究員、陶立教授（共同通訊作者）報(bào)道了通過一步熱硫化（硒化/碲化）具有有序介觀結(jié)構(gòu)兩親性嵌段共聚物/多金屬氧酸鹽簇（BCPs/POMs）納米復(fù)合材料，來構(gòu)建有序介孔TMDs/金屬氧化物（OM-TMDs/MOs）半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)的通用方法，包括WS2/WO3、WSe2/WO3、WTe2/WO3、MoS2/MoO3和V3S4/V2O3。OM-TMDs/MOs具有高度有序的介孔結(jié)構(gòu)，具有高比表面積、大孔徑和異質(zhì)結(jié)構(gòu)框架中豐富的活性邊緣位點(diǎn)。基于OM-WS2/WO3的化學(xué)電阻式氣體傳感器在室溫下表現(xiàn)出優(yōu)異的NO2傳感性能，具有高靈敏度、超高選擇性（SNO2/Sgas>20）和快速響應(yīng)速度（6 s）。理論研究表明，WS2/WO3異質(zhì)結(jié)構(gòu)和WS2邊緣位點(diǎn)對NO2分子的強(qiáng)吸附能力以及它們之間的高電荷轉(zhuǎn)移有助于傳感器的高選擇性和靈敏度。這種通用方法為有序介孔TMDs基納米材料的合成提供了新的策略，在電子器件、催化、儲(chǔ)能和轉(zhuǎn)化等各種應(yīng)用中顯示出巨大的潛力 。

成果發(fā)表于Small Structures (IF=13.9), 第一作者是東南大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院2022級碩士李振良。

文章鏈接：

https://doi.org/10.1002/sstr.202400376

圖1.（a）通過BCPs和POMs團(tuán)簇的共組裝結(jié)合TAC工藝合成有序介孔TMDs/MOs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的示意圖，（b）TAC工藝圖。

圖2.有序介孔WS2/WO3的結(jié)構(gòu)表征。（a-c）OM-WS2/WO3-500、（d-f）OM-WS2/WO3-600、（g-i）OM-WS2/WO3-700。

圖3.有序介孔WS2/WO3的結(jié)構(gòu)表征。

圖4.OM-WS2/WO3在室溫下的氣敏性能。

圖5.氣敏機(jī)理研究。

圖6.通過BCPs和POMs的共組裝合成OM-TMDs/MOs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的普適性。

來源：材料科學(xué)與工程

聲明：轉(zhuǎn)載此文是出于傳遞更多信息之目的，若有來源標(biāo)注措誤或侵犯了您的合法權(quán)益，請與我們聯(lián)系，我們將及時(shí)更正、刪除，謝謝。