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米客方德SDNAND掉電測試與可靠性驗證

AMY ? 來源:jf_10547009 ? 作者:jf_10547009 ? 2024-09-19 17:19 ? 次閱讀

SD NAND異常上下電測試的作用

SD NAND異常上下電測試是一項關鍵的測試步驟,對確保SDNAND在不同電源條件下的穩定性和可靠性至關重要。

通過模擬正常和異常電源情況,測試可以驗證設備的電源管理功能、檢測潛在錯誤和異常行為,并評估設備在電源波動或突然斷電時的表現。此外,測試還有助于驗證SD NAND在關鍵時刻的數據保存和恢復能力,防止數據損壞或丟失。

這項測試不僅有助于提高產品的質量和可靠性,還確保SD NAND符合制造商規定的性能標準,滿足用戶對數據完整性和設備穩定性的需求。總體而言,SD NAND異常上下電測試是保障存儲設備正常運行的不可或缺的環節。

SD NAND異常上下電測試電路的搭建

在測試SD NAND的可靠性時,可以自己搭建一個簡單的電路來對SD NAND進行異常上下電測試,
下面是以MK-米客方德工業級SD NAND芯片MKDV1GIL-AS為例搭建的建議測試電路。

wKgaombr7DuAb66wAAAi_I5F7Kg231.pngwKgZombr7BGARtuKAAZJ7iJoPAg239.png

以正點原子的STM32F103ZET6開發板作為控制信號輸出,只需要STM32的一個IO口作為信號控制引腳,即可讓接在繼電器的負載端的SD NADN工作電路在工作時異常掉電。

這個方案是SD NAND直接接在讀卡器上的,還可以設計成SD NAND接在單片機上的,這種需要兩個單片機開發板,一個用來控制,一個用來正常工作,這種方案會更方便,也能實現更多的功能。

審核編輯 黃宇

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