引言

在當今快節(jié)奏的科技生活中，隨著便攜式電子設備已成為我們日常不可或缺的一部分，這些設備對鋰電池續(xù)航能力和安全性的要求也越來越高，《便攜式電子產品用鋰離子電池和電池組―安全要求》（GB 31241-2014）中明確強調了溫度保護和精準的過流保護的重要性。深圳市德微辰芯技術有限公司立足于最新的市場需求，由原TI技術專家、現(xiàn)德微辰芯CTO帶隊與晶圓廠共同合作，通過不斷的技術創(chuàng)新，已成功設計并量產出兩款能助力電池符合國標（GB31241-2022），帶溫度保護的單節(jié)鋰電池保護芯片——DV6011（過流精度為±0.5mv，精密電阻檢流型）、DV6205（MOS內阻檢流型）。產品可應用于智能手機、數(shù)碼產品、智能穿戴、便攜式設備等市場。

“集頂尖科技，性能至上”——DV6011（精密電阻檢流型）

核心亮點

• 高精度高低溫保護 ：DV6011特別設計了精準的溫度監(jiān)測機制，可實現(xiàn)高溫充電保護、高溫充放電保護、低溫充電保護、低溫充放電保護，保護精度已達業(yè)內頭部水平± 3℃ 。
• 超高精度的過流檢測： DV6011創(chuàng)新性的開發(fā)一種新型的低電壓檢測技術，內部增加補償電路，使過流精度一直處于±0.5mv范圍內 （ 精度較日系競品提升30% ） ，極大降低了LPS等項目設計難度。低檢測電壓可使用更低的檢流電阻，解決快充的發(fā)熱問題。
• 超低功耗： DV6011采用業(yè)內先進的“亞閾值”控制技術，典型耗電僅為 2uA， 保證內部模塊功能前提下降低耗電，從而減少了整個芯片的功耗，已達到行業(yè)領先水平。
• 雙IC方案： DV6011可實現(xiàn)雙IC保護（主、次保護）方案，在快速充電過程中更安全、更全面守護電池安全。
• ESD防護強： DV6011通過優(yōu)化ESD泄放管結構實現(xiàn)了性能與面積的最佳平衡，同時在“ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2017”ESD測試標準下，DV6011的 HBM模式可達±4kV（Class 3A） ，遠超消費品±2kV的標準，極大降低生產時因ESD損壞的概率，提高產線良率。
• 外部控制： DV6011提供外部控制引腳CTL，可以通過在CTL上添加不同的信號進行充放電控制，極大方便用戶進行產品調試和產品特色設計（細節(jié)需查閱最新DV6011規(guī)格書）。

“DV6011青春版”——DV6205（MOS內阻檢流型）

核心亮點

• DV6025 在保留DV6011高精度高低溫保護、超低功耗、ESD防護核心亮點基礎上，根據(jù)客戶需求增加了船運控制功能，并通過改良工藝解決了實際生產中常遇到的休眠問題。
• 船運功能： DV6205提供的“船運功能”，可有效降低運輸中的整體消耗電流，非常利于小容量鋰電池和需長途運輸?shù)膽铆h(huán)境。同時，DV6205 的船運功能增加了防誤觸發(fā)的判斷機制，可以極大概率避免產線生產時誤進入船運模式的情況。
• 解決生產問題:DV6205通過在芯片內部添加防護層和優(yōu)化芯片生產制造工藝，極大降低了生產時芯片異常休眠概率，根本上解決了產線生產中因測試、高溫等環(huán)境下產生的過充精度漂移問題。
  

名詞解釋：

亞閾值： 指MOSFET的一種工作狀態(tài)。我們一直假設：當柵源電壓Vgs下降到低于Vth時器件會突然關斷。實際上當MOSFET的Vgs≈Vth，一個“弱”的反型層仍然存在，并有一些源漏電流①。該種工作狀態(tài)使得MOSFET獲得更大的增益，非常利于低電壓，低功耗的應用。

參考文獻

[1]畢查德?拉扎維. 模擬CMOS集成電路設計[M]. 西安: 西安交通大學出版社, 2003

審核編輯 黃宇