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EAK推出了新的厚膜氮化鋁 （AlN） 電阻器和端接系列，以補充公司現有的產品。傳統上，射頻功率電阻元件采用氧化鈹（BeO）陶瓷材料作為陶瓷基板;然而，由于國際上要求從產品中去除BeO的壓力，AlN等替代材料在無線行業受到廣泛關注。雖然BeO在陶瓷形式下是無害的，但如果吸入足夠量，粉塵或粉末形式可能是有害的。OSHA將BeO粉塵列為有害物質，并可能對人類致癌。法定空氣允許暴露限值 （PEL） 為 0.002 mg/m3平均超過八小時的輪班。AlN材料已成為BeO的主要替代品。

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BeO/AlN陶瓷比較

與BeO陶瓷相比，AlN在許多方面都很接近，由于應用的高功率性質，主要參數是導熱性。表 1 列出了兩種材料的特性。在電氣學上，AlN 的介電常數高于 BeO，這導致電容部分略高。必須采用謹慎的布局和薄膜設計來減輕這種差異。

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應用

AlN 電阻器和端子被設計為當今使用的現有 BeO 產品的直接替代品。然后，這些AlN器件定義了一類通用的非BeO射頻電阻功率產品。應用包括射頻功率放大器、隔離器、吸收濾波器、天線饋電和功率合路器。

AlN 歷史

AlN陶瓷在射頻行業中作為通用的絕緣散熱器和薄膜基板已使用多年。傳統上，AlN電阻器件采用薄膜技術構建;但由于薄膜工藝成本高昂，其應用受到限制。隨著無線行業的興起以及隨之而來的對具有成本效益和安全的BeO替代品的需求，制造商已轉向成本較低的厚膜技術來滿足需求。

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厚膜AlN

氧化鋁厚膜系統（Al2O3）和BeO是多年前開發的，一直是射頻功率電阻行業的主力軍。鋁2O3用于高達約 5 W 的功率水平，而 BeO 用于高達 800 W 的更高功率。然而，厚膜技術向AlN陶瓷的轉移并不是一件簡單的事情。為鋁開發的厚膜電阻器和導體系統2O3和 BeO 不適用于 AlN 陶瓷，因為氧化鉛玻璃鍵合系統發生在厚膜漿料和 Al 之間2O3或BeO陶瓷材料在燒制時，可被AlN陶瓷還原。應用專為 Al 設計的厚膜漿料2O3或 AlN 陶瓷上的 BeO 將實現電阻器和金屬膜對 AlN 陶瓷的不一致粘附，這通常歸因于 AlN 陶瓷材料的不一致。厚膜與陶瓷的粘附力是組件長期可靠性的關鍵。由于無線行業最近對具有成本效益且安全的 BeO 替代品的需求，厚膜漿料制造商最近開發了厚膜 AlN 漿料系統。使用這些漿料系統以及適當制備的 AlN 陶瓷基板，可以在 AlN 陶瓷基板上提供厚膜電阻元件的新產品。

厚膜附著力的另一個關鍵是AlN陶瓷材料的適當制備。在AlN燒結過程中，Al3O3+ Y2O3被驅動到陶瓷表面，這將阻礙厚膜的附著力，必須通過研磨基板來去除。

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對比測試

作為比較的基準，厚膜AlN與行業標準的厚膜BeO和薄膜AlN產品進行了測試。由于薄膜附著力是主要問題，測試的重點是指出這些類型故障的實驗。為了保持一致性，所有三個系統的測試都在同一部件上進行 - 一個150 W，法蘭安裝，50端接。照片中所示的部件是一個 0.250“ x 0.375” 陶瓷芯片，安裝在帶有 SN96 焊料的鍍鎳銅法蘭上。對每種系統類型的多個部件進行了引線拉力測試、剪切測試、熱循環測試、薄膜溫度和電阻飽滿性測試。

引線拉力測試

將 0.050 英寸寬、0.006 英寸厚的銀帶引線焊接到三種類型零件上相同尺寸的導體焊盤上，然后拉至銷毀，平均結果如表 2 所示。這三種系統的水平拉力都非常出色，而薄膜AlN和厚膜BeO的垂直拉力測試似乎更好。

剪切試驗

每種類型的零件都用 SN96 焊料焊接到鍍鎳法蘭上，然后破壞性地剪切掉法蘭，平均結果如表 3 所示。純粹的測試表明，所有體系的初始附著力都非常出色，正如預期的那樣，BeO力更好，厚膜AlN略優于薄膜AlN體系。

熱循環試驗

雖然剪切測試是衡量漿料與陶瓷的初始附著力的良好指標，但零件的熱循環可以很好地衡量長期可靠性。AlN陶瓷和銅法蘭之間的熱膨脹系數（TCE）差異會在材料中產生應力，該應力必須被焊料/厚膜漿料界面吸收。零件的熱循環可作為出色的加速壽命測試。在接近恒定的溫度下，簡單地在零件中耗散功率并不能指示零件的長期可靠性，也不能代表零件的最壞工況。粘附層必須從熱到冷反復受力，才能真正獲得粘附層吸收應力而不失效的有用量度。該測試相當于反復來回彎曲金屬棒，直到金屬棒斷裂。

選擇銅法蘭材料和 SN96 焊料，以比較加速測量厚膜與陶瓷基板的長期粘附力。銅的TCE是AlN的TCE的3.6倍，SN96焊料的抗拉強度接近6000psi。該零件的所有三個版本都用螺栓固定在微處理器控制的冷卻板上，法蘭下方有少量導熱硅脂。這些部件在額定功率 （DC） 的 100% 和最高法蘭溫度下循環。如圖 1 所示，循環曲線旨在提供非常加速和惡劣的環境，以加速故障。結果列于表4中。

所有三個部件在 300 之間都失敗了第和 378第熱循環。由于焊料和/或厚膜中形成微裂紋，這些微裂紋隨著每個額外的熱循環而傳播，從而增加了陶瓷和法蘭之間的熱阻，從而發生了故障。當熱阻增加到整個系統的熱梯度變得足夠大時，就會建立熱失控條件，并且器件會失效。從數據來看，所有三種系統類型都在同一范圍內失敗。

膠片溫度

三個系統中每個系統的部件都安裝在100°C和150 W耗散的受控散熱器上。薄膜溫度測量可以很好地指示端接的熱阻。使用紅外熱探頭進行膠片溫度測量。結果列于表5中。正如預期的那樣，由于陶瓷的熱阻較低，BeO部分表現出較低的薄膜溫度。薄膜和厚膜AlN部分彼此之間的距離在幾度以內。

結論

厚膜AlN陶瓷電阻器件將補充該公司提供的全系列電阻器和端接器。由于圍繞BeO的安全問題，AlN系列將是一個受歡迎的替代方案。厚膜AlN工藝的可靠性和可重復性取決于AlN陶瓷的正確制備以及專門為AlN開發的漿料的使用。所提出的測試表明，為AlN陶瓷設計的厚膜漿料的性能至少與薄膜AlN產品一樣好，并且接近厚膜BeO產品。

?審核編輯 黃宇