2024年6月6日 - 數(shù)據(jù)中心的人工智能計算需求日益增長，能耗隨之變大。因此，如何提升其能效成為了關(guān)鍵挑戰(zhàn)。針對此問題，安森美推出了全新一代T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V MOSFET的強大組合，為數(shù)據(jù)中心帶來高效能和優(yōu)異散熱性能的完美解決方案。

相較于普通搜索引擎，配備人工智能的引擎需消耗多出10倍的電力。據(jù)預測，未來兩年內(nèi)，全球數(shù)據(jù)中心的電力需求將高達約1，000太瓦時（TWh）。電力需經(jīng)由電網(wǎng)至處理器進行四次轉(zhuǎn)換，其中約有12%的電力會被浪費。然而，采用T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V解決方案后，數(shù)據(jù)中心的電力損耗可降低約1%。若全球數(shù)據(jù)中心都采納這一方案，每年可節(jié)省約10太瓦時的能源消耗，相當于為近百萬戶家庭提供全年用電。

EliteSiC 650V MOSFET具備出色的開關(guān)性能及更低的器件電容，能在數(shù)據(jù)中心和儲能系統(tǒng)中實現(xiàn)更高效率。與前代產(chǎn)品相比，新一代碳化硅（SiC） MOSFET的柵極電荷減半，輸出電容（Eoss）和輸出電荷（Qoss）中的能量分別減少了44%。與超級結(jié) （SJ） MOSFET相比，其關(guān)斷時無拖尾電流，高溫下表現(xiàn)更為優(yōu)秀，能大幅降低開關(guān)損耗。這使得客戶在提高工作頻率的同時，系統(tǒng)元件尺寸得以縮小，進而降低整體系統(tǒng)成本。

此外，T10 PowerTrench系列專為處理DC-DC功率轉(zhuǎn)換級的大電流而設計，以緊湊的封裝尺寸提供高功率密度和優(yōu)良散熱性能。其采用屏蔽柵極溝槽設計，擁有超低柵極電荷和小于1毫歐的導通電阻RDS（on）。同時，軟恢復體二極管和較低的Qrr有效降低了振鈴、過沖和電氣噪聲，保證了在高壓環(huán)境下的最佳性能、可靠性和穩(wěn)定性。T10 PowerTrench系列還符合汽車應用所需的嚴苛標準。

值得一提的是，該組合解決方案完全符合超大規(guī)模運營商所要求的開放式機架V3 （ORV3）基本規(guī)范，支持下一代大功率處理器。

“人工智能和電氣化正改變著我們的生活，電力需求猛增。安森美的責任就是通過不斷創(chuàng)新，提升功率半導體的能效，推動這些科技發(fā)展。”安森美電源方案分部總裁Simon Keeton表示，“我們的最新解決方案能顯著降低能量轉(zhuǎn)換過程中的功率損耗，對下一代數(shù)據(jù)中心的需求產(chǎn)生積極影響。”