TEOS-28和TEOS-40及其配比對(duì)SiO2氣凝膠結(jié)構(gòu)和 性能的影響研究
HS-DR-5瞬態(tài)平面熱源法熱導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀的核心部件就是超薄膜式探頭，探頭的材料是由刻蝕后的電熱金屬鎳絲，其結(jié)構(gòu)是由多圈雙螺旋構(gòu)成，同時(shí)做為加熱和傳感器，探頭用聚酰亞胺薄膜封裝，一方面可以防止電熱鎳絲被腐蝕，另一方面可以防壓保護(hù)探頭不會(huì)變形。在實(shí)驗(yàn)時(shí)，探頭被緊密夾在二塊被測(cè)樣品之間，測(cè)量電路是由探頭和標(biāo)準(zhǔn)電阻串聯(lián)，給該電路提供恒定電壓，使探頭產(chǎn)生熱量，溫度升高引起探頭的電阻變化，根據(jù)探頭電阻的變化可以精確求出其近表面的溫升曲線，再依據(jù)溫升曲線對(duì)傳熱模型進(jìn)行擬合，就可求出材料的導(dǎo)熱系數(shù)和熱擴(kuò)散系數(shù)。
TEOS-28和TEOS-40及其配比對(duì)SiO2氣凝膠結(jié)構(gòu)和 性能的影響研究【1、中建材科創(chuàng)新技術(shù)研究院（山東）有限公司 2、山東省無(wú)機(jī)功能材料與智能制造重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，張忠倫； 蘇詩(shī)戈； 溫立玉；王明銘； 侯建業(yè)； 董鳳新；劉振森】
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
測(cè)試儀
+關(guān)注
關(guān)注
6文章
3951瀏覽量
56751
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
石墨烯增強(qiáng)生物基凝膠導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能研究
域的研究開(kāi)發(fā)、工藝優(yōu)化與質(zhì)量監(jiān)控.石墨烯增強(qiáng)生物基凝膠導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能研究【1、長(zhǎng)春工業(yè)大學(xué)化學(xué)與生命科學(xué)學(xué)院2、長(zhǎng)春工業(yè)大學(xué)化學(xué)工程學(xué)院3、
齊魯工業(yè)大學(xué)：研究聚苯胺改性細(xì)菌纖維素基水凝膠柔性傳感器
? 水凝膠傳感器在柔性傳感特別是醫(yī)療檢測(cè)領(lǐng)域受到了廣泛專(zhuān)注。當(dāng)前水凝膠在機(jī)械和導(dǎo)電性能影響方面往往無(wú)法兼顧，且廢棄后的水凝膠會(huì)作為電子垃圾污染生活環(huán)境。生物質(zhì)材料來(lái)源于自然并且可以重復(fù)
水凝膠拉伸試驗(yàn)機(jī)：材料性能的洞察者
水凝膠，作為一種神奇的親水性聚合物材料，能吸收大量水分，呈現(xiàn)出柔軟、透明且富有彈性的凝膠狀。因其獨(dú)特性能，在生物醫(yī)學(xué)、組織工程、藥物輸送、柔性電子等諸多前沿領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大應(yīng)用潛力。而深入探究水
一種在線式熒光法溶解氧傳感器原理
的重要條件之一，同時(shí)也是用來(lái)衡量水質(zhì)是否受污染的重要指標(biāo)之一。我們可以通過(guò)監(jiān)測(cè)和研究水中溶解氧的多少及其變化規(guī)律來(lái)判斷水體的健康程度以及水體的自?xún)裟芰?。例如，在水質(zhì)監(jiān)測(cè)過(guò)程中，如果溶解氧含量過(guò)高，則會(huì)導(dǎo)致
發(fā)表于 04-21 15:01
【「芯片通識(shí)課：一本書(shū)讀懂芯片技術(shù)」閱讀體驗(yàn)】芯片怎樣制造
個(gè)SiO2薄層。
接下來(lái)進(jìn)行光刻。第一步是在SiO2薄層上均勻涂布正性光刻膠層；第二步是隔著光掩膜版向下面的正性光刻膠層曝光；第三步是對(duì)光刻膠層進(jìn)行定影和后烘固化；第四步是顯影，即腐蝕溶解掉感光區(qū)域
發(fā)表于 04-02 15:59
一種分段氣隙的CLLC變換器平面變壓器設(shè)計(jì)
一種路徑，采用磁集成方法，對(duì)1MHz雙向CLLC變換器的變壓器進(jìn)行研究、設(shè)計(jì)與測(cè)試，通過(guò)優(yōu)化PCB繞線方法、進(jìn)行仿真優(yōu)化，提出了一種分段氣隙的變壓器結(jié)構(gòu)，通過(guò)Maxwell瞬態(tài)場(chǎng)、渦流場(chǎng)求解器仿真
發(fā)表于 03-27 13:57
DS28C40 adi
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)DS28C40相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有DS28C40的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，DS28C40真值表，DS28C40管腳等資
發(fā)表于 03-10 18:56
混合式氮化鎵VCSEL的研究
Ta2O5/SiO2氧化物DBR?所實(shí)現(xiàn)如圖?7-12，其特點(diǎn)為在共振腔中插入了AlGaN?電流阻擋層且將?ITO?厚度減薄至30奈米。2011年，為了達(dá)到更好的電流局限效果以及降低ITO的吸收，本研究團(tuán)隊(duì)
VirtualLab Fusion應(yīng)用：氧化硅膜層的可變角橢圓偏振光譜（VASE）分析
al., Proc. SPIE 10294, 1029402 (1999)
仿真結(jié)果與參考文獻(xiàn)的比較
被研究的SiO2層厚度變化為1埃時(shí)，?和?的差異。
發(fā)表于 02-05 09:35
SiO2薄膜的刻蝕機(jī)理
本文介紹了SiO2薄膜的刻蝕機(jī)理。 干法刻蝕SiO2的化學(xué)方程式怎么寫(xiě)？刻蝕的過(guò)程是怎么樣的？干法刻氧化硅的化學(xué)方程式？ 如上圖，以F系氣體刻蝕為例，反應(yīng)的方程式為： ? SiO2(s)+ CxFy
sio2薄膜在集成電路中的作用
SiO?薄膜在集成電路中扮演著至關(guān)重要的角色，其作用主要包括以下幾個(gè)方面： 絕緣層 ：SiO?薄膜作為良好的絕緣材料，被廣泛應(yīng)用于集成電路中作為絕緣層。它能夠有效地隔離金屬互連線和晶體管等器件，防止
sio2薄膜的厚度量測(cè)原理
SiO?薄膜的厚度量測(cè)原理主要基于光的干涉現(xiàn)象。具體來(lái)說(shuō)，當(dāng)單色光垂直照射到SiO?薄膜表面時(shí)，光波會(huì)在薄膜表面以及薄膜與基底的界面處發(fā)生反射。這兩束反射光在返回的過(guò)程中會(huì)發(fā)生干涉，即相互疊加，產(chǎn)生
sio2膜層鍍膜如何解決膜裂
SiO?膜層鍍膜過(guò)程中出現(xiàn)的膜裂問(wèn)題，可以通過(guò)多種方法來(lái)解決。以下是一些主要的解決策略： 1. 優(yōu)化鍍膜工藝 蒸發(fā)速度控制 ：蒸發(fā)速度的設(shè)置對(duì)膜層厚度有直接的影響，進(jìn)而影響膜層的應(yīng)力和均勻性。需要
Soundcheck 自動(dòng)比對(duì)程序 標(biāo)準(zhǔn)品比對(duì)
Soundcheck 是聲學(xué)測(cè)試中比較標(biāo)準(zhǔn)化的軟件，有很強(qiáng)的二次開(kāi)發(fā)性，A產(chǎn)品體系下指定的聲學(xué)測(cè)試軟件，涉及到測(cè)試的部分就離不開(kāi)定期的標(biāo)準(zhǔn)品點(diǎn)檢，而聲學(xué)曲線的比對(duì)比常規(guī)的電測(cè)、光學(xué)量測(cè)等的標(biāo)準(zhǔn)品比對(duì)
發(fā)表于 06-27 22:09
MOS管和IGBT的結(jié)構(gòu)區(qū)別
。 MOS管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)： 基本構(gòu)造：MOS管主要由四部分組成：柵極（Gate）、源極（Source）、漏極（Drain）和基底（Body）。柵極通過(guò)一層薄的氧化物（SiO2）與基底相隔，形成一個(gè)電容結(jié)構(gòu)，用以控制流過(guò)器件的電流。
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論