概念

時(shí)鐘振蕩器，一個在電子領(lǐng)域中不可或缺的專業(yè)術(shù)語。它利用晶體的諧振特性來產(chǎn)生穩(wěn)定的電信號。其包括一個晶體以及諧振電路來驅(qū)動晶體，使其產(chǎn)生特定頻率的振蕩。如同人體的心臟，為各種電子設(shè)備提供穩(wěn)定而準(zhǔn)確的時(shí)間基準(zhǔn)。時(shí)鐘振蕩器產(chǎn)生周期性的電波信號，這些信號被用來同步數(shù)字邏輯電路中的數(shù)據(jù)傳輸和處理。

電氣參數(shù)

標(biāo)稱頻率

時(shí)鐘振蕩器最重要的參數(shù)之一。頻率表示的是單位時(shí)間內(nèi)振蕩的次數(shù)，通常單位用KHz、MHz表示。

工作電壓

時(shí)鐘振蕩器能夠正常工作的電壓范圍。在這個范圍內(nèi)，晶振能夠提供穩(wěn)定的振蕩信號。超出這個范圍，振蕩器的頻率穩(wěn)定度會受到電源電壓變動和負(fù)載變動的影響，甚至可能無法正常工作，通常以[V]為單位。

封裝

時(shí)鐘振蕩器的尺寸大小。

提供SMD2016/2520/3225/5032/7050等片式封裝，插件分為PXO-8和PXO-14等。

常溫頻差

時(shí)鐘振蕩器在實(shí)際工作中的頻率與標(biāo)稱頻率在25℃±2℃溫度下之間的頻率偏差。通常以[ppm]為單位。

溫度頻差

時(shí)鐘振蕩器在不同溫度下諧振工作穩(wěn)定的頻率與25℃下的最大偏差值。這一特性是衡量晶振在溫度變化時(shí)頻率變化程度的指標(biāo)。較低的頻率溫度穩(wěn)定度意味著晶振在不同溫度條件下更為穩(wěn)定，對于一些對頻率精確性要求較高的應(yīng)用，如通信、導(dǎo)航、精密測量等，這是一個重要的性能指標(biāo)。通常以[ppm]為單位。

消耗電流

時(shí)鐘振蕩器在指定工作電壓下穩(wěn)定工作時(shí)消耗的電流。對功耗有嚴(yán)格要求的應(yīng)用中，電流消耗是一個關(guān)鍵參數(shù)。通常以[μA 或mA]為單位。

輸出波形

時(shí)鐘振蕩器在電路中的輸出波形。常見的輸出波形模式有方波CMOS、差分信號輸出LVPECL、LVDS、HCSL、CML等。

工作溫度范圍

時(shí)鐘振蕩器能正常工作的溫度范圍。

通常在-40℃~+85℃，-40℃~+105℃，-40℃~+125℃。

存儲溫度范圍

時(shí)鐘振蕩器在未使用的情況下，存儲的溫度范圍。通常在-55℃~+125℃。

占空比

在一個頻率周期內(nèi)高低電平所占的比例。單位用[%]表示。

上升/下降時(shí)間

時(shí)鐘振蕩器輸出電平10% / 90%VDD所需要的時(shí)間，單位用[nS]表示。

起振時(shí)間

時(shí)鐘振蕩器從上電到振蕩工作時(shí)所需要的時(shí)間。起振時(shí)間主要由晶體的諧振電阻與負(fù)性阻抗共同決定，同頻率晶體的體系越小，諧振電阻就越大；負(fù)性阻抗大小由振蕩IC和負(fù)載電容CL值決定，負(fù)載電容與負(fù)性阻抗大小成反比。需快速工作的產(chǎn)品要求振蕩器的起振時(shí)間越小，起振時(shí)間是一項(xiàng)重要參數(shù)，單位用[mS]表示。

使能控制

使能腳可以控制時(shí)鐘振蕩器的頻率輸出。輸出使能OE是高電平1或者懸空，頻率輸出；輸出使能OE是低電平0，則無頻率輸出。

年老化率

在所有其它條件都恒定不變的情況下，時(shí)鐘振蕩器的頻率仍會隨著時(shí)間推移而發(fā)生的漂移，這種長期漂移是由晶體元件和振蕩電路的其它元器件緩慢變化造成的，即晶振隨時(shí)間變化而引起的頻率變化量。可用日老化(ppb/天)和年老化(ppm/年)表示。

審核編輯：劉清