硅（Si）晶體管是現(xiàn)代電子技術(shù)的基石，廣泛應(yīng)用于從微小的微控制器到強(qiáng)大的計(jì)算機(jī)服務(wù)器的各種設(shè)備。硅作為半導(dǎo)體材料的優(yōu)勢主要在于其豐富的資源、成熟的加工技術(shù)以及相對(duì)低廉的成本。

雙極晶體管（以NPN型為例）由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，其工作原理是通過給基極注入電流來控制集電極與發(fā)射極之間的電流。如前文所述，在驅(qū)動(dòng)這種晶體管時(shí)，需要根據(jù)放大系數(shù)和集電極電流的關(guān)系來調(diào)整基極的電流。這與MOSFET的一個(gè)顯著不同在于，用于放大或控制導(dǎo)通/關(guān)斷的偏置電流需要流經(jīng)雙極晶體管的基極。

在MOSFET中，一個(gè)稱為“導(dǎo)通電阻”的參數(shù)特別重要，尤其是在處理大功率應(yīng)用時(shí)。然而，在雙極晶體管中，通常不討論“導(dǎo)通電阻”這一概念。

值得注意的是，世界上最早出現(xiàn)的晶體管是雙極型的，因此有些人可能會(huì)認(rèn)為提到雙極晶體管應(yīng)在MOSFET之前，但近年來，特別是在電源電路中，MOSFET已成為主流，許多人可能首先接觸并使用MOSFET。

現(xiàn)在回到主題。在雙極晶體管中，與導(dǎo)通電阻相對(duì)應(yīng)的參數(shù)是集電極-發(fā)射極飽和電壓（VCE（sat））。這是指在既定的集電極電流流過時(shí)，即晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)的電壓降。因此，可以通過這個(gè)值來計(jì)算晶體管導(dǎo)通時(shí)的電阻。

硅晶體管的這些特征使其在模擬和數(shù)字電路設(shè)計(jì)中都極為重要。隨著技術(shù)的發(fā)展，硅晶體管的性能不斷提升，同時(shí)也在探索新的材料和結(jié)構(gòu)，以滿足未來電子技術(shù)的需求。