女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

stm32 flash寫數(shù)據(jù)怎么存儲的

工程師鄧生 ? 來源:未知 ? 作者:劉芹 ? 2024-01-31 15:46 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

stm32 flash寫數(shù)據(jù)怎么存儲的

STM32是一款廣泛應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)開發(fā)的微控制器,它的Flash存儲器是其中一個(gè)重要的組成部分。在本文中,我將詳細(xì)介紹STM32 Flash的存儲機(jī)制,包括其結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)以及如何寫入數(shù)據(jù)。

一、STM32 Flash的結(jié)構(gòu)

STM32 Flash存儲器通常被分為多個(gè)扇區(qū),每個(gè)扇區(qū)大小為2KB到256KB不等,根據(jù)不同的型號有所不同。每個(gè)扇區(qū)可以獨(dú)立進(jìn)行擦除和寫入操作,這使得STM32 Flash存儲器非常靈活和易于使用。

Flash存儲器的每個(gè)單元通常被稱為“頁”,一個(gè)頁大小通常為1KB到2KB。這些頁可以獨(dú)立進(jìn)行寫入操作,并且無需進(jìn)行整個(gè)扇區(qū)的擦除。這個(gè)特性使得STM32 Flash在實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)存儲和更新方面更加高效。

二、STM32 Flash的特點(diǎn)

1.快速擦除和編程速度:STM32 Flash具有快速的擦除和編程速度,可以高效地進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲和更新操作。

2.耐久性和可靠性:STM32 Flash的存儲器具有良好的耐久性和可靠性,可以進(jìn)行大量的擦除和編程操作,而不會影響存儲器的壽命。

3.可擦除性:STM32 Flash存儲器可以進(jìn)行扇區(qū)或頁級別的擦除操作,而無需將整個(gè)存儲器擦除。這使得數(shù)據(jù)更新更加方便和高效。

4.數(shù)據(jù)保護(hù):STM32 Flash存儲器提供了可靠的數(shù)據(jù)保護(hù)機(jī)制,包括寫保護(hù)和讀保護(hù)功能,以確保數(shù)據(jù)的安全性和完整性。

三、STM32 Flash的寫入操作

STM32 Flash的寫入操作需要使用特定的函數(shù)來實(shí)現(xiàn)。以下是一些常用的寫入函數(shù):

1.寫入單個(gè)字節(jié):使用HAL庫中的函數(shù)HAL_FLASH_Program()可以將單個(gè)字節(jié)寫入到Flash存儲器中。例如,要將值0xAA寫入地址0x08008000的Flash存儲器中,可以使用以下代碼:

```c
HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_BYTE, 0x08008000, 0xAA);
```

2.寫入半字(16位):使用HAL_FLASH_Program()函數(shù)可以將半字(16位)數(shù)據(jù)寫入Flash存儲器中。例如,要將值0x55AA寫入地址0x08008000的Flash存儲器中,可以使用以下代碼:

```c
HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD, 0x08008000, 0x55AA);
```

3.寫入字(32位):使用HAL_FLASH_Program()函數(shù)可以將字(32位)數(shù)據(jù)寫入Flash存儲器中。例如,要將值0x11223344寫入地址0x08008000的Flash存儲器中,可以使用以下代碼:

```c
HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, 0x08008000, 0x11223344);
```

4.扇區(qū)擦除:使用HAL_FLASH_Erase_Sector()函數(shù)可以擦除Flash存儲器的指定扇區(qū)。例如,要擦除地址范圍為0x08008000到0x08008FFF的Flash存儲器,可以使用以下代碼:

```c
FLASH_EraseInitTypeDef erase;
erase.TypeErase = TYPEERASE_SECTORS;
erase.Banks = FLASH_BANK_1;
erase.Sector = FLASH_SECTOR_7;
erase.NbSectors = 1;
erase.VoltageRange = VOLTAGE_RANGE_3;
uint32_t PageError = 0;
HAL_FLASHEx_Erase(&erase, &PageError);
```

通過這些函數(shù),我們可以實(shí)現(xiàn)對STM32 Flash存儲器的寫入操作,從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲和更新。

綜上所述,STM32 Flash存儲器是一種高效、靈活且可靠的數(shù)據(jù)存儲解決方案。在嵌入式系統(tǒng)開發(fā)中,通過了解其結(jié)構(gòu)和特點(diǎn),并使用相應(yīng)的寫入函數(shù),可以輕松地實(shí)現(xiàn)對Flash存儲器的數(shù)據(jù)存儲和更新操作。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • FlaSh
    +關(guān)注

    關(guān)注

    10

    文章

    1678

    瀏覽量

    151786
  • 嵌入式系統(tǒng)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    41

    文章

    3682

    瀏覽量

    131365
  • STM32
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2293

    文章

    11032

    瀏覽量

    364786
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    FLASH模擬EEPROM

    AT32F403A 的扇區(qū)大小為 2K 字節(jié),這個(gè)特性決定了不能簡單的將舊數(shù)據(jù)擦除然后數(shù)據(jù),因?yàn)檫@樣會導(dǎo)致存儲在這個(gè)扇區(qū)內(nèi)的其他數(shù)據(jù)
    發(fā)表于 07-16 15:13

    什么是Flash閃存以及STM32使用NAND Flash

    的控制器技術(shù),對寫入FLASH閃存模塊的方式進(jìn)行管理,確保每個(gè)FLASH閃存單元接收相同的請求。 目前有三種類型的FLASH閃存,耐久性各不相同。單階
    發(fā)表于 07-03 14:33

    關(guān)于CCG5 platform Flash問題,在燒images時(shí),如何保留產(chǎn)線校準(zhǔn)數(shù)據(jù)

    和板卡信息丟失 2. PSoC Programmermer沒法擦除指定flash,都是整個(gè)128K擦除,例如在flash中分配一個(gè)row來存儲產(chǎn)線校準(zhǔn)數(shù)據(jù),如何保證在燒
    發(fā)表于 05-30 07:50

    調(diào)試時(shí)Memory窗口中Flash內(nèi)容不更新的原因和解決辦法

    調(diào)試時(shí)在代碼中對Flash進(jìn)行操作時(shí)(比如Bootloader對Code Flash進(jìn)行升級操作,Application對Data Flash進(jìn)行
    的頭像 發(fā)表于 04-01 09:18 ?493次閱讀
    調(diào)試時(shí)Memory窗口中<b class='flag-5'>Flash</b>內(nèi)容不更新的原因和解決辦法

    存儲技術(shù)探秘 NAND Flash vs NOR Flash:藏在芯片里的&quot;門道之爭&quot;

    非易失存儲:斷電后數(shù)據(jù)不丟失 可重復(fù)編程:支持擦寫操作(需先擦除后寫入) 二進(jìn)制操作:擦除后全為 1,操作將 1 變?yōu)?0 核心差異 一、物理結(jié)構(gòu)對比 NOR 特性 獨(dú)立存儲單元并
    的頭像 發(fā)表于 03-18 12:06 ?522次閱讀

    NAND Flash與SD NAND的存儲扇區(qū)架構(gòu)差異

    NAND Flash?和?SD卡(SD NAND)的存儲扇區(qū)分配表都是用于管理存儲設(shè)備中扇區(qū)的分配信息。它們記錄了哪些扇區(qū)已被使用、哪些是空閑的,以及文件或數(shù)據(jù)與扇區(qū)的對應(yīng)關(guān)系,以便實(shí)
    的頭像 發(fā)表于 03-13 15:20 ?1126次閱讀
    NAND <b class='flag-5'>Flash</b>與SD NAND的<b class='flag-5'>存儲</b>扇區(qū)架構(gòu)差異

    STM32H750內(nèi)部flash讀寫的疑問求解

    請教下,STM32H750XBHx我看資料內(nèi)置flash為128K,并且flash擦除的最小單元也是128K。這樣的話我有數(shù)據(jù)要保存應(yīng)該怎樣處理好呢?
    發(fā)表于 03-12 06:29

    STM32F407 Flash寫入數(shù)據(jù)失敗的原因?怎么解決?

    STM32F407VGT6 標(biāo)準(zhǔn)庫 往Flash中寫入數(shù)據(jù),寫入完成后再次讀取,發(fā)現(xiàn)沒有寫入成功。printf 打印擦除和寫入的步驟發(fā)現(xiàn),返回的 FLASH_Status 都是 7。
    發(fā)表于 03-11 06:08

    【半導(dǎo)體存儲】關(guān)于NAND Flash的一些小知識

    。 []()   NAND Flash 存儲單元尺寸更小,存儲密度更高,單位容量成本更低,塊擦/速度快, 具有更長的壽命,多應(yīng)用于大容量數(shù)據(jù)
    發(fā)表于 12-17 17:34

    programmer燒用戶數(shù)據(jù)flash-v1

    今天有客戶提出怎樣把用戶數(shù)據(jù)寫入到flash的操作,本來以為的programmer都不支持了,但是經(jīng)過多次驗(yàn)證發(fā)現(xiàn)還是可以的,可能之前的驗(yàn)證哪里有點(diǎn)問題吧。 一、通過SPI Active或者SPI
    的頭像 發(fā)表于 11-28 15:13 ?1632次閱讀
    programmer燒<b class='flag-5'>寫</b>用戶<b class='flag-5'>數(shù)據(jù)</b>到<b class='flag-5'>flash</b>-v1

    FLASH數(shù)據(jù)丟失的解決方法

    由于FLASH寫入的特性是先擦后,寫入不會在原來位置重新數(shù)據(jù),一般都是把原位置的數(shù)據(jù)標(biāo)記為無效,再在新位置寫入
    的頭像 發(fā)表于 11-21 16:21 ?1571次閱讀

    鐵電存儲器和Flash的區(qū)別

    鐵電存儲器(Ferroelectric RAM, FRAM)與閃存(Flash)是兩種不同類型的非易失性存儲器,它們在工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場景等方面存在顯著的差異。
    的頭像 發(fā)表于 09-29 15:25 ?3211次閱讀

    物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)存儲方案詳解_SPI NOR Flash

    SPI NOR FLASH存儲器在初始響應(yīng)和啟動時(shí)提供高可靠性,并具有低時(shí)延。這一特性對于物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備至關(guān)重要,因?yàn)槲锫?lián)網(wǎng)設(shè)備通常需要快速啟動并穩(wěn)定運(yùn)行,以確保數(shù)據(jù)的實(shí)時(shí)傳輸和處理。 2、直接執(zhí)行代碼的能力 SPI NOR
    的頭像 發(fā)表于 09-24 14:39 ?1134次閱讀
    物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)<b class='flag-5'>存儲</b>方案詳解_SPI NOR <b class='flag-5'>Flash</b>

    STM32CUBEMX(10)--Flash讀寫

    概述 本例程主要講解如何對芯片自帶Flash進(jìn)行讀寫,用芯片內(nèi)部Flash可以對一些需要斷電保存的數(shù)據(jù)進(jìn)行保存,無需加外部得存儲芯片,本例程采用的是
    發(fā)表于 09-10 15:36

    NAND Flash與其他類型存儲器的區(qū)別

    NAND Flash作為一種基于NAND技術(shù)的非易失性存儲器,具有多個(gè)顯著優(yōu)點(diǎn),這些優(yōu)點(diǎn)使其在數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。以下是對NAND Flas
    的頭像 發(fā)表于 08-20 10:24 ?1316次閱讀