華邦電子將在2024年繼續強化其市場地位，通過技術創新和市場適應力，在全球存儲解決方案市場保持領先。

成立于 1987 年的華邦電子，是全球領先的半導體存儲解決方案提供商。華邦電子的主要產品線包括利基型動態隨機存取內存(DRAM)、行動內存、編碼型閃存和 TrustME 安全閃存，廣泛應用于通訊、消費性電子、工業以及車用電子和計算機周邊領域。

華邦電子 DRAM 產品市場地位，來源：Omida

專注利基市場

NOR Flash 全球排名第一

華邦電子擁有自己的制程、產能和晶圓廠，是一家真正的 IDM 內存企業。Flash 產品主要為 Code Storage 類別，其中 NOR Flash 全球排名第一。與三星、美光等全球頭部存儲廠商相比，華邦電子在市場上主要聚焦中小容量利基型存儲。根據 Omdia 的數據，截至 2022 年第四季度，華邦電子在全球小于等于 1Gbit 容量市場中份額最高，其中 1Gbit 市占份額達 33%，小于等于 512bit 市場的份額達 47%。公司的新晶圓廠產能擴充為其在更大容量市場上爭取更高份額奠定了基礎，特別是在看重品質和供應的 KGD 合封市場中全球領先。

第三方調研機構數據顯示，華邦在全球 NOR Flash 市場中排名第一，2021 年市場占比近 30%。此外，華邦電子約三成營收來自中國大陸市場，顯示其在中國大陸的業務布局和深耕程度。

華邦的 NOR Flash 產品目前市占率全球第一，正從 5V、3V 演進至 1.2V，以適應低功耗需求。華邦還在 NAND Flash 領域創新，推出了 OctalNAND 新產品系列，特別適用于汽車車機系統和可穿戴設備，提供高帶寬和快速啟動速度。華邦電子產品中的 NOR Flash，雖不主攻如 AI 服務器、數據中心等存儲市場，卻在 PCB 板上的小容量存儲領域占有顯著市場份額。

此外，華邦電子在支持客戶對 8Mb Serial Flash 需求方面擁有豐富經驗，其產品應用領域包括儀器儀表、聯網設備、PC、打印機、車用及游戲設備。W25QxxRV 的推出，進一步支持了更多新興應用和用例，例如利用 KGD 和 WLCSP 解決方案在先進技術中實現無線連接性，并采用更小的引腳封裝。

近日，華邦電子產品總監朱迪接受了與非網記者的專訪，在詳細介紹了華邦電子的產品線及技術路線之外，也對 2022 年及 2023 年的存儲產業進行了回顧和展望。

華邦的 DRAM 產品以小尺寸、低功耗和低引腳數封裝等特點著稱，可簡化器件互連并節省 PCB 成本，是嵌入式設備的理想選擇。今年三月，華邦電子宣布與全球頂級半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics) 達成合作，將華邦的利基型內存芯片和內存模塊集成到意法半導體的 STM32 系列微控制器 (MCU) 和微處理器 (MPU) 中。這次合作旨在優化集成和性能，確保雙方設備的長期可用性，滿足工業市場客戶的需求。

STM32 系列是基于 Arm Cortex 內核的 32 位 MCU 和 MPU 產品，融合高性能、高能效、超低功耗和先進外設等優點，與 STM32 的廣泛生態系統完美對接，簡化并加速開發進程。意法半導體的 STM32MPU 生態系統產品營銷經理 Kamel Kholti 強調了與華邦電子建立密切合作伙伴關系的重要性，尤其是在將 STM32 系列擴展到 MPU 領域時。

HYPERRAM: MCU 外部 RAM 的理想選擇

來源：華邦電子

重點合作內容包括將華邦的 DDR3 內存與意法半導體的 STM32MP1 系列微處理器相結合，以支持工業網關、智能電表、條形碼掃描器等需要高性能和先進安全性的應用。華邦還引入 HYPERRAM 產品為意法半導體新推出的基于 Cortex-M33 內核的 STM32U5 MCU 提供支持。HYPERRAM 的低功耗和高性能特點，使其成為 STM32U5 的理想內存解決方案，支持智能工業和消費級應用的發展。

滿足新需求

HYPERRAM 成新興 IoT 理想選擇

HYPERRAM主要應用，來源：華邦電子

隨著 MCU 的制程節點從 55nm、40nm 朝 28nm 甚至 16nm 轉移，雖然尺寸符合 IoT 微型化趨勢，但應用對運算能力的高要求使得需要新一代外部內存作為數據緩沖。傳統 SDRAM 和 pSRAM 無法滿足這些新興 IoT 應用的需求，故華邦推出采用 38nm 制程的 HYPERRAM，并計劃向 25nm 制程轉移。這一先進制程不僅適應了車用和工規應用的長期供貨需求，還使 HYPERRAM 成為新興 IoT 裝置的理想選擇。

HYPERRAM 性能優勢，來源：華邦電子

HYPERRAM 技術是一種適用于需要擴充記憶體以用于暫存或緩沖的高性能嵌入式系統的高速、低引腳數、低功耗 pseudo-SRAM。這項技術最早由英飛凌推出，現已獲得多家 MCU、MPU 和 FPGA 合作伙伴及客戶的認可與支持，生態系統日益成熟。HYPERRAM 的三大特性主要包括：低腳數、低功耗、易于應用設計，這些特性顯著提升了終端裝置的效能。與傳統 SDRAM 相比，HYPERRAM 在待機功耗和封裝尺寸上都具有明顯優勢。其簡化控制接口，基于 pSRAM 架構，并具有自我刷新功能，使得系統端的內存使用更為簡便，簡化了固件和驅動程序的開發。

已有多家公司推出了優化的 HyperBus 記憶體控制IP。目前，包括 NXP、Renesas、ST、TI 等領先業者已支持 HyperBus 接口的 MCU，并將繼續支持其新產品?？刂平涌陂_發平臺已就緒，Cadence、Synopsys 及 Mobiveil 已提供HyperBus內存控制 IP，加速芯片業者設計時程。HYPERRAM 將納入 JEDEC 標準規范，成為兼容技術。華邦作為 HYPERRAM 的供應商之一，提供客戶更多選擇?，F已成為高性能嵌入式系統中額外 RAM 需求的理想解決方案。新一代 HYPERRAM 3.0 產品在 1.8V 下能達到 200MHz的最高工作頻率，數據傳輸率高達 800MBps。

據介紹，目前華邦電子的 HYPERRAM 產品線包括32Mb、64Mb、128Mb 和 256Mb 等多種容量，提供多種封裝選項，如 24BGA、49BGA 和 15BGA WLCSP 封裝，適用于不同的市場需求，包括汽車、工業應用和消費性產品。恩智浦的 i.MX RT 系列 MCU已全面支持 HYPERRAM 接口，以適應不同應用場景的需求。對于穿戴式產品，RT500/700 搭配 WLCSP 封裝的 HYPERRAM 提供低功耗和小封裝優勢。而在工業和汽車類應用中，RT1170/1180 與 BGA 封裝的 HYPERRAM 結合，實現少引腳和高可靠性。華邦已將 HYPERRAM 產品容量擴展至 256Mb 和 512Mb，采用 25nm 制程，低至 35μW 的待機功耗在混合睡眠模式下優化了性能。

華邦電子產品總監朱迪對與非網記者表示，“HYPERRAM 是一個 8 位串行接口產品，具備功耗低、引腳少、占用空間小等特點，非常適合中小容量市場，是未來發展的趨勢。”隨著 HYPERRAM 技術的發展，華邦電子提供了多樣化的產品線和封裝選項，為不同應用場景提供解決方案，如車用電子、工業電子、智能家居以及穿戴裝置等。預計隨著市場的不斷增溫，將有更多客戶采用這一新世代內存技術。

從 KGD 到 CUBE華邦如何應對邊緣 AI 新挑戰？

作為利基型內存領域的領先企業，華邦電子專注于 KGD (良品裸晶圓) 技術的應用，區別于市場上普遍的普通封裝產品。華邦電子的 KGD 解決方案已超過十年，產品成熟且經過嚴格測試，與封裝產品具有同等的可靠性水平。

據介紹，華邦 KGD 2.0 產品采用的 TSV (Through-Silicon Via) 技術在深寬比 (aspect ratio) 能力上表現出色，能達到 1:10 的比例，目前可以實現 50 微米的深度，相當于需要將芯片打磨至 2 mil。通過 Hybrid Bonding 工藝，華邦有望進一步實現更高的精度和更低的功耗。KGD 2.0 的信號完整性/電源完整性 (SI/PI) 表現優異，且功耗低于 LPDDR4 的四分之一，同時帶寬可實現 16-256GB/s，為客戶在 AI-ISP 和 CPU 設計中提供了高效的替代方案。

華邦電子致力于設計創新和差異化的 Serial Flash KGD 和 WLCSP 解決方案。這些解決方案適用于需要 MCU 和 So C的小尺寸與非易失性存儲的特殊應用。通過其先進的 KGD 2.0 產品和 3DCaaS 服務平臺，華邦電子為客戶提供從 DRAM 到封裝測試再到 IP 的完整一站式解決方案，不斷推動行業技術的發展和創新。

在加入 UCIe (Universal Chiplet Interconnect Express) 聯盟時，華邦就宣布將提供 3DCaaS (3D CUBE as a Service) 一站式服務平臺，為客戶提供包括 3D TSV DRAM (CUBE) KGD 內存芯片在內的領先標準化產品解決方案。此外，華邦通過其平臺合作伙伴提供的技術咨詢服務，讓客戶能夠全面享受 CUBE 產品支持，以及 Silicon-Cap、Interposer 等技術的附加服務。憑借在 KGD 技術上的深厚經驗，華邦成功將其應用于 CUBE 產品中，推出了 KGD 2.0 產品。這一步驟標志著華邦在內存技術和封裝領域的重要進展。

華邦電子產品總監朱迪深入分析了 HBM (高帶寬內存) 的崛起及其與 AI 發展的緊密聯系。他指出，盡管整個內存市場不景氣，但 HBM 市場卻因 ChatGPT 應用而快速增長。他預計，未來 3-5 年內，HBM 在 DRAM 市場的占比將從 1% 增長至 5%-7% 左右。朱迪認為，HBM 的毛利比較高，這在財務方面對頭部大廠非常有利。朱迪進一步討論了端側 AI 對 HBM 需求的影響，他認為，端側 AI 和云端計算是相輔相成的關系。云端計算需要 HBM 和大算力 GPU 進行計算和訓練，而終端設備依賴于中小容量的內存需求，例如 HYPERRAM 和華邦新推出的 CUBE 產品。

華邦的 CUBE (Customized Ultra-Bandwidth Elements) 是一種針對 SoC (System on Chip) 在 DRAM 合封上遇到的挑戰所設計的創新內存產品。這種緊湊超高帶寬 DRAM 專為邊緣計算領域設計，通過將 SoC 裸片置于 DRAM 裸片上方，CUBE 技術能夠在不采用 SoC 的 TSV (Through-Silicon Via) 工藝的同時，達到降低成本和尺寸的目的。此外，它還改進了散熱效果，并特別適用于對低功耗、高帶寬以及中低容量內存有需求的應用場景。作為一種半定制化的緊湊超高帶寬 DRAM，CUBE 技術是針對當前 SoC 在 DRAM 合封上遇到的挑戰而設計的創新產品。這種技術為邊緣計算和 AI 應用領域提供了革新性的解決方案，標志著華邦在內存技術方面的重要進步。

CUBE 利用了 3D 堆棧技術和異質鍵合技術，優化了在混合云和邊緣云應用中運行生成式 AI 的性能。它的設計目標是滿足邊緣 AI 計算設備日益增長的需求，提供單顆 256Mb 至 8Gb 的高帶寬低功耗內存。CUBE 還利用 3D 堆棧技術強化帶寬，降低數據傳輸時的電力需求。

它支持包括 chip-on-wafer、wafer-on-wafer 以及 2.5D/3D chip-on-Si-interposer 在內的封裝技術。這些技術增強了前端 3D 結構的性能，并提供了后端基板和扇出解決方案。CUBE 的設計目標是滿足邊緣 AI 計算設備日益增長的需求，提供單顆 256Mb 至 8Gb 的高帶寬低功耗內存解決方案。

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CUBE 的主要特性包括：

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節省電耗：CUBE 提供卓越的電源效率，功耗低于 1pJ/bit，延長運行時間并優化能源使用。

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卓越性能：其帶寬范圍在 32GB/s 至 256GB/s，遠高于行業標準。

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較小尺寸：基于 20nm 標準，提供每顆芯片 256Mb-8Gb 容量，2025 年預計將有 16nm 標準。

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高經濟效益、高帶寬：IO 速度可高達 2Gbps，與成熟工藝 SoC 集成時，帶寬可達 32GB/s 至 256GB/s。

CUBE 的推出是華邦電子實現跨平臺與接口無縫部署的重要一步，適用于包括可穿戴設備、邊緣服務器設備、監控設備、ADAS 以及協作機器人等高級應用。華邦電子的創新和合作承諾有望推動各行業的發展，并通過 3DCaaS 平臺進一步發揮 CUBE 的潛力。結合現有技術，華邦能夠為行業提供尖端解決方案，支持企業在 AI 驅動轉型的關鍵時代蓬勃發展。

華邦電子產品總監朱迪對與非網記者介紹了 CUBE 的應用場景及其特點。他指出：“華邦 CUBE 的應用場景主要集中在邊緣計算領域，如 AR、VR 這類輕薄、尺寸小且需大量數據傳輸的產品。此外，攝像頭等智能設備也是 CUBE 的重要應用領域，未來這些設備將進化得更智能、高清，并容納更多算法?！?/p>

關于 CUBE 的大模型應用，朱迪補充道：“CUBE 也適用于大模型，特別是邊緣計算中的系統訓練任務。隨著本地化計算需求增加，對內存和存儲的需求、算力和帶寬需求也相應提高。CUBE 在這方面提供了高效的解決方案?！?/p>

CUBE 的架構不僅將 SoC 裸片置于 DRAM 裸片上方，從而減小 SoC 尺寸、降低成本，還通過華邦的 DRAM TSV 工藝將 SoC 的信號引至外部。這一設計提供了低功耗、高集成度等優勢。

CUBE 的推出也標志著華邦在制造和封裝領域的獨特能力。朱迪指出：“華邦在封裝領域與封裝廠合作，并提供 Die 的 TSV 穿孔技術和 Interposer，有效地幫助 3D 封裝實現更低的功耗和更高的集成度。”

CUBE 被視為一種服務而非單一產品，因為它不僅包括存儲功能，還涵蓋 TSV 穿孔、硅中介層、硅電容等。朱迪解釋：“CUBE 是一套整體的解決方案，‘一站式服務’，而非單獨銷售的一個產品?！?/p>

華邦電子在 CUBE 技術上的創新，不僅是對內存技術的重要貢獻，也是對邊緣計算和 AI 領域的重大推動。CUBE 的發展契機在于其與邊緣側芯片性能的強大配合，提供非常規的內存產品以支持這些強大的邊緣設備。華邦電子的 CUBE 架構有望在未來的技術發展中發揮關鍵作用，推動邊緣計算和 AI 的發展。

華邦電子產品總監朱迪表示，CUBE 是基于華邦多年芯片級合封技術的發展。過去的 Die-to-Die 合封技術逐漸演變為現在的 2.5D/3D 封裝技術，如 Chip on Wafer 或 Wafer on Wafer。這些技術使得 SoC 和內存之間可以通過數千個 Microbump 進行高速、高帶寬的數據交換。CUBE 的 SoC 裸片置上、DRAM 裸片置下的設計，提供了更好的散熱效果和更優化的封裝效果。朱迪對與非網記者介紹，“CUBE 技術可以理解為Chiplet，HBM 的本質也是一樣的，它們都算是Chiplet 下面的子集。華邦在今年 2 月份加入了UCIe 這個 Chiplet 聯盟，并且華邦在這個聯盟中是一個獨特的存在，也是聯盟內唯一一個提供 CUBE 產品的?！?/p>

華邦電子與 UCIe 產業聯盟

隨著摩爾定律的放緩，芯片行業面臨性能提升的挑戰，其中 Chiplet 技術成為一個焦點。然而，不是所有的集成芯片都需要使用極先進的制程，如 5 納米或 3 納米。Chiplet 允許不同功能的芯片采用不同制程，例如運算核心使用 5 納米，而 IO 芯片可能使用 7 納米或 12 納米，這種方法能有效降低 SoC 的成本結構。Chiplet 的推廣和存在的價值在于，它使得不同制程的芯片能夠有效結合在一起，但如何連接這些不同制程的芯片成為關鍵問題，正是 UCIe 聯盟致力于解決的難題。

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作為 DRAM 供應商的行業領導者，華邦從 DRAM 的角度為 Chiplet 技術的普及做出了獨特貢獻。Chiplet 技術面臨的挑戰包括封裝技術、連接設計和熱管理。2.5D/3D 垂直堆疊方式對封裝技術提出了更高要求，需要在更小的封裝空間內封裝尺寸更小的芯片。同時，芯片堆疊的順序和走線方式的優化設計是降低整體風險的關鍵。另外，散熱問題在芯片堆疊后變得更加復雜，需要采用尖端的散熱技術來保證芯片性能和壽命。

華邦電子不僅加入 UCIe 聯盟，還提供 3DCaaS (3D CUBE as a Service） 一站式服務平臺，為客戶提供 3D TSV DRAM (CUBE) KGD 內存芯片和優化多芯片設備的 2.5D/3D 后段工藝，如 CoW/WoW 技術。此外，華邦的合作伙伴還提供技術咨詢服務，使客戶可以輕松獲得完整的 CUBE 產品支持，并享受 Silicon-Cap、Interposer 等技術的附加服務。2.5D/3D 封裝技術能進一步提升芯片性能，滿足嚴格的前沿數字服務要求。隨著 UCIe 規范的普及，2.5D/3D 技術在云端到邊緣端的人工智能應用中將發揮更重要的作用。華邦電子產品總監朱迪對此表示：“華邦在 UCIe 中是一個比較獨特的存在，CUBE 的概念對聯盟里的一些廠家非常具有吸引力，包括封測、主控等企業，未來合作的機會非常大，甚至現在既有的客戶也是這些伙伴。相信華邦能夠在這個聯盟里面發揮自己的獨特作用，能夠帶來一些新的產品和新的形態出現。”

積極開拓 AIoT、汽車新興市場

回顧2023

華邦電子產品總監朱迪對與非網記者表示，疫情期間家用電子產品需求增加，但隨著疫情緩解，需求開始下降。新興應用領域如服務器、數據中心、電動汽車及工業數字化轉型對存儲的需求仍然強勁。盡管市場部分電源相關組件交貨延遲，但多數存儲芯片供應和交付時間已恢復正常。全球經濟通脹導致存儲市場供應過剩，影響消費者和企業需求。

在 2023 年的業務表現中，盡管面臨全球經濟不確定性和疫情余波，但華邦電子在 DRAM、NAND Flash 和 NOR Flash 市場中穩定發展。隨著物聯網的擴張，華邦的 3V 8Mb Serial NOR Flash 產品在汽車和物聯網領域顯示出巨大潛力。由于多家廠商減產，市場出現漲價趨勢。2023 年第四季度預計為市場反彈期，庫存水位正?；髮⑦M行市場修正。

展望2024

展望未來，華邦電子市場策略受歐盟通脹、美國加息和地緣政治等因素影響，預計在動蕩市場環境中保持穩定發展。華邦電子產品總監朱迪預測，未來市場趨勢將受多方面綜合影響，總體看宏觀經濟狀態和大環境。公司將從 25nm 和 25Snm 制程演進到 20nm，專注于中小容量產品的先進制程。華邦將關注宏觀經濟狀態，適應市場需求變化，致力于技術創新和市場拓展，尤其在 AIoT 和電動汽車等新興市場。

據介紹，華邦電子積極適應市場變化，2023 年在汽車領域取得不小成績。華邦電子獲得 ISO/SAE 21434 道路車輛網絡安全管理體系認證，展現其在汽車網絡安全領域的領先地位。該認證涵蓋汽車設計、開發、生產到使用和報廢的整個生命周期，強調信息安全在抵御網絡攻擊中的重要性。華邦的 TrustME W77Q 安全閃存已獲多項安全認證，滿足汽車系統的人車安全和網絡安全需求。2024 年，華邦電子計劃進行關鍵技術升級，將 NOR Flash 產品從 58nm 升級到 45nm，并在高雄廠量產 20nm 大容量 DDR4 產品。公司還將發展 2Gbit 和 4Gbit 高容量 Flash 產品，豐富 1.2V 產品線。面對 DDR3 停產情況，華邦將繼續生產并計劃 2025 年升級至 16nm。

綜上，華邦電子預計在 2024 年將繼續強化其市場地位，通過技術創新和市場適應力，在全球存儲解決方案市場保持領先。