碲化鉍（Bi?Te?）是一種具有層狀范德華結(jié)構(gòu)的二維材料，歸因于拓?fù)浣^緣體的特性，其載流子遷移率較高。同時(shí)作為一種性能優(yōu)異的熱電材料，其Seebeck系數(shù)較大（-170 μV/K），而熱導(dǎo)率很低（約1.4 W·m?1·K?1）， 且其在較大的光波范圍內(nèi)均存在有效的自由載流子吸收，因此Bi?Te?是開(kāi)發(fā)光熱電探測(cè)器的有希望的候選者。研究Bi?Te?光電探測(cè)器在長(zhǎng)波紅外波段的響應(yīng)機(jī)制及性能提升策略對(duì)光電探測(cè)的發(fā)展具有重要意義。

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近期，中國(guó)科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所催化基礎(chǔ)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和中國(guó)科學(xué)院大學(xué)的科研團(tuán)隊(duì)在《半導(dǎo)體材料與器件》期刊上發(fā)表了以“基于碲化鉍納米線的長(zhǎng)波紅外光熱電探測(cè)器”為主題的文章。該文章第一作者為曹曉鵬，通訊作者為陸曉偉副研究員和姜鵬研究員。

本文研究了Bi?Te?納米線光電探測(cè)器在長(zhǎng)波紅外（10.6 μｍ）波段的響應(yīng)機(jī)制及性能提升策略。首先探索了在化學(xué)氣相沉積中如何實(shí)現(xiàn)納米線的可控生長(zhǎng)；接著利用微納加工工藝制造并探索了Bi?Te?納米線光電探測(cè)器在長(zhǎng)波紅外波段的響應(yīng)機(jī)制；最后研究了電極材料和調(diào)制頻率對(duì)Bi?Te?納米線光熱電探測(cè)器性能的影響。

探測(cè)器制備及測(cè)試方法

Bi?Te?納米線的合成

采用化學(xué)氣相沉積法在石英管式爐內(nèi)生長(zhǎng)Bi?Te?納米結(jié)構(gòu)，生長(zhǎng)過(guò)程示意圖如圖1（a）所示。對(duì)于化學(xué)氣相沉積合成納米結(jié)構(gòu)而言，生長(zhǎng)區(qū)的溫度可控制其形貌演變。同樣的情形在Bi?Te?納米結(jié)構(gòu)的合成中被觀察到，如圖1（b）和（c）所示，在不同的生長(zhǎng)溫區(qū)內(nèi)其形狀發(fā)生了明顯的變化，從納米片轉(zhuǎn)變?yōu)榧{米線。

圖1 化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng)的Bi?Te?納米結(jié)構(gòu)

Bi?Te?納米線光電探測(cè)器的制備

Bi?Te?納米線光電探測(cè)器的制備方法為：使用Si/SiO?（200 nm）作為襯底，首先依次用丙酮、異丙醇、去離子水擦拭襯底，去除表面的雜質(zhì)，然后采用對(duì)貼法將生長(zhǎng)襯底上的納米線轉(zhuǎn)移到Si/SiO?表面。接著將轉(zhuǎn)移之后的結(jié)構(gòu)進(jìn)行預(yù)烘，去除表面的水分，再依次進(jìn)行光刻膠旋涂、曝光、顯影工藝，將掩模版圖形轉(zhuǎn)移到襯底上。最后使用磁控濺射生長(zhǎng)電極，再通過(guò)丙酮浸泡去除冗余結(jié)構(gòu)，即可得到所需的Bi?Te?納米線，其結(jié)構(gòu)示意圖如圖2（a）所示，電極材料位于Bi?Te?納米線的上方。使用原子力顯微鏡（AFM）掃描樣品，結(jié)果如圖2（b）和（c）所示，表明成功制備了Bi?Te?納米線光電探測(cè)器，納米線長(zhǎng)度為60 μm、寬度為650 nm、高度為40 nm，電極材料為Ni，通道長(zhǎng)度為20 μｍ。受限于磁控濺射加工工藝，生長(zhǎng)電極與Bi?Te?納米線界面處存在一定程度的卷邊。

圖2 Bi?Te?納米線光電探測(cè)器的制備

Bi?Te?納米線光電探測(cè)器的性能測(cè)試

在光熱電響應(yīng)測(cè)試過(guò)程中，使用CO?激光作為紅外光源，將激光波長(zhǎng)調(diào)整為10.6 μm，經(jīng)光路調(diào)節(jié)聚焦后，光斑大小約為30 μm。對(duì)Bi?Te?納米線光電探測(cè)器在黑暗和光照條件下的Ｉ?Ｖ曲線進(jìn)行測(cè)試，采用Keithley 2450數(shù)字源表測(cè)試數(shù)據(jù)。

結(jié)果與討論

Bi?Te?納米線光電探測(cè)器在長(zhǎng)波紅外波段的響應(yīng)

首先測(cè)試了在黑暗和10.6 μm 波長(zhǎng)激光照射下Bi?Te?納米線光電探測(cè)器的Ｉ?Ｖ曲線，如圖3（a）所示，線性的Ｉ?Ｖ曲線表明Bi?Te?納米線與Ｎｉ電極之間為歐姆接觸而無(wú)肖特基勢(shì)壘。當(dāng)激光照射在器件左側(cè)（連接源表正極） 時(shí)，左側(cè)吸收熱量導(dǎo)致左右兩側(cè)產(chǎn)生溫差；由于Seebeck效應(yīng)，熱量驅(qū)使載流子移動(dòng)，從而輸出電信號(hào)。光照條件下的Ｉ?Ｖ曲線向下平移，符合Bi?Te?納米線的n型半導(dǎo)體特性。另外，同時(shí)產(chǎn)生極性相反的響應(yīng)電壓和響應(yīng)電流，且電阻值沒(méi)有明顯變化，證明該響應(yīng)機(jī)制為典型的光熱電轉(zhuǎn)換過(guò)程。

圖3 Bi?Te?納米線光電探測(cè)器在長(zhǎng)波紅外波段的響應(yīng)

進(jìn)一步測(cè)試響應(yīng)電壓隨激光功率的變化，如圖3（b）所示，當(dāng)激光功率P增加時(shí)，響應(yīng)電壓隨之變大。對(duì)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)擬合結(jié)果表明，響應(yīng)電壓與對(duì)應(yīng)的激光功率呈線性正相關(guān)。

隨后在無(wú)外加偏壓條件下，對(duì)Bi?Te?納米線光熱電探測(cè)器在光照條件下隨位置變化的響應(yīng)電流進(jìn)行掃描響應(yīng)電流成像，如圖4（a）所示，其表現(xiàn)出對(duì)稱的光熱電響應(yīng)，響應(yīng)電流可達(dá)15 nA，與Ｉ?Ｖ曲線測(cè)試得到的結(jié)果一致。這歸因于其n型半導(dǎo)體特性，在光照條件下，電子的熱擴(kuò)散產(chǎn)生了響應(yīng)電流。當(dāng)光照射在左側(cè)和右側(cè)界面時(shí)，熱載流子的移動(dòng)方向相反，因此呈現(xiàn)出極性相反的響應(yīng)電流。

圖4 Bi?Te?納米線光熱電探測(cè)器的響應(yīng)電流隨位置的變化

進(jìn)一步地，沿圖4（a）中的白色虛線，提取光響應(yīng)電流在一維尺度上隨位置的變化。如圖4（b）所示，雖然通道長(zhǎng)度只有20 μm，但Bi?Te?納米線光電探測(cè)器在100 μm的長(zhǎng)度范圍內(nèi)均表現(xiàn)出光響應(yīng)。一方面光斑尺寸（30 μm）相較通道長(zhǎng)度較大，另一方面電極存在一定的吸光能力，使得在較大的范圍內(nèi)均能獲得有效的光響應(yīng)信號(hào)，響應(yīng)電流的最大值出現(xiàn)在Bi?Te?納米線與Ni電極的界面附近。結(jié)合以上分析可知，優(yōu)化電極材料或許對(duì)Bi?Te?納米線光電探測(cè)器的性能有所提升。

電極對(duì)Bi?Te?納米線光熱電探測(cè)器性能的影響

首先驗(yàn)證電極厚度對(duì)Bi?Te?納米線光熱電探測(cè)器響應(yīng)電壓的影響。當(dāng)電極材料為Ni時(shí)，測(cè)試了電極厚度分別為20、30、50、70、100 nm時(shí)的響應(yīng)電壓。如圖5（a）所示，隨著電極厚度的增加，其響應(yīng)電壓先增大后減小。對(duì)同一種材料而言，吸光系數(shù)可能隨厚度的增加而增加；與此同時(shí)，歸因于表面積的增大，電極散耗到空氣中的熱量也隨之增加，這意味著電極厚度的增加也會(huì)有一定的散熱作用。因此在使用Ni作為電極時(shí)，其厚度選擇有一個(gè)最優(yōu)解，當(dāng)電極厚度為50 nm時(shí)，響應(yīng)電壓最大為400 μV。

圖5 優(yōu)化電極提高Bi?Te?納米線光熱電探測(cè)器響應(yīng)

接著研究了當(dāng)電極厚度為50 nm時(shí)，具有不同熱導(dǎo)率的電極材料對(duì)Bi?Te?納米線光熱電探測(cè)器響應(yīng)電壓的影響。如圖5（b）所示，隨著電極熱導(dǎo)率的降低，其響應(yīng)電壓也隨之減小。在相同的電極厚度條件下，熱導(dǎo)率的增加使電極具有更強(qiáng)的熱傳導(dǎo)能力，其傳遞給Bi?Te?的熱量也就更多；而相同的表面積使電極向空氣中耗散的熱量變化很小。因此，通過(guò)電極材料的優(yōu)化，Bi?Te?納米線兩側(cè)的溫差得以增加。當(dāng)使用Au作為電極材料時(shí)，響應(yīng)電壓增大至3.4 mV，遠(yuǎn)高于電極材料為Ni時(shí)的響應(yīng)電壓。

對(duì)于微納結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)波紅外與太赫茲光熱電探測(cè)器來(lái)說(shuō)，當(dāng)激光照射在器件中央時(shí)，由于光斑尺寸相較于器件過(guò)大，左右兩側(cè)產(chǎn)生的熱量相近，無(wú)法建立有效的溫差， 阻礙了低維材料光熱電探測(cè)器的應(yīng)用。使用非對(duì)稱電極結(jié)構(gòu)是一種常見(jiàn)的解決方法，由于不同材料熱導(dǎo)率的差異，電極左右兩側(cè)將產(chǎn)生不均勻的熱量吸收，從而存在溫差，輸出電信號(hào)。本文制作了左側(cè)電極為Ni，右側(cè)電極為Au的結(jié)構(gòu)，其掃描響應(yīng)電流成像如圖6（a）所示。由于熱導(dǎo)率的差異，左右兩側(cè)產(chǎn)生了非對(duì)稱的光熱電響應(yīng)，Au電極上的響應(yīng)電流高于Ni電極的，且響應(yīng)面積更大。沿圖6（a）中的白色虛線，提取光響應(yīng)電流在一維尺度上隨位置的變化，如圖6（b）所示，當(dāng)光照射在Bi?Te?納米線中央時(shí)，也能產(chǎn)生有效的光信號(hào)。

圖6 非對(duì)稱電極結(jié)構(gòu)的響應(yīng)電流隨位置的變化

調(diào)制頻率對(duì)Bi?Te?納米線光熱電探測(cè)器性能的影響

最后研究了調(diào)制頻率對(duì)Bi?Te?納米線光熱電探測(cè)器響應(yīng)的影響。如圖7（a）所示，當(dāng)調(diào)制頻率分別為20、200、800 Hz時(shí)，該探測(cè)器均表現(xiàn)出穩(wěn)定的、可重復(fù)的開(kāi)關(guān)響應(yīng)。圖7（b）為探測(cè)器的帶寬分析，描述了響應(yīng)電壓幅值隨調(diào)制頻率的變化，頻率為20 Hz ～ 10 kHz。光響應(yīng)電壓幅值在1 kHz之前變化很小，之后隨著頻率的增加，響應(yīng)電壓幅值呈線性急速下降。結(jié)果顯示，Bi?Te?納米線光熱電探測(cè)器表現(xiàn)出優(yōu)異的綜合性能。

圖7 調(diào)制頻率對(duì)Bi?Te?納米線光熱電探測(cè)器的影響

結(jié)論

通過(guò)控制生長(zhǎng)區(qū)溫度，采用化學(xué)氣相沉積實(shí)現(xiàn)了Bi?Te?納米線的可控合成。制備了Bi?Te?納米線光電探測(cè)器，并研究其在長(zhǎng)波紅外波段的響應(yīng)，確定其響應(yīng)機(jī)制為光熱電效應(yīng)。調(diào)變電極材料與厚度，實(shí)現(xiàn)了高響應(yīng)電壓輸出。進(jìn)一步地，構(gòu)造非對(duì)稱電極結(jié)構(gòu)，解決了在全局光照明下微納光熱電探測(cè)器無(wú)輸出信號(hào)的問(wèn)題。該探測(cè)器在10.6 μm激光照射下表現(xiàn)出優(yōu)異的性能，響應(yīng)度可達(dá)17 V/W，響應(yīng)時(shí)間為53 μs，噪聲等效功率為0.22 nW·Hz-1/2。本文的研究結(jié)果可為開(kāi)發(fā)高性能的二維材料光熱電探測(cè)器提供參考，為小型化集成的長(zhǎng)波紅外探測(cè)器提供新的思路。

審核編輯：劉清