A501是一款基于 BCDMOS技術(shù)設(shè)計(jì)的霍爾開關(guān)傳感器。傳感器包括溫度補(bǔ)償、比較器和輸出驅(qū)動(dòng)器。該芯片為電壓輸出，輸出驅(qū)動(dòng)器分別是漏極開路 MOSFET。比較器將實(shí)際磁通量與固定參考值（開關(guān)點(diǎn)）進(jìn)行比較，控制輸出 MOSFET導(dǎo)通或截止。有源失調(diào)補(bǔ)償可在電源電壓和溫度范圍內(nèi)產(chǎn)生恒定的磁特性。此外，機(jī)械應(yīng)力對(duì)磁性參數(shù)影響很小。

該系列芯片傳感器適用于工業(yè)環(huán)境和汽車應(yīng)用，環(huán)境溫度范圍為-40℃至 150℃，電源電壓范圍為 2.7-30V。A501有兩種封裝形式：TO92S和 SOT23-3L。

特征

1、封裝：SOT23-3L和 TO92S

2、低功耗：2.5mA

3、工作電壓：2.7 V到 30 V

4、防靜電高達(dá)±12KV

5、三線應(yīng)用短路保護(hù)，開漏輸出和過溫保護(hù)

6、有較強(qiáng)的抗機(jī)械應(yīng)力特性

7、在寬的電壓和溫度范圍內(nèi)具有恒定開關(guān)點(diǎn)

8、溫度范圍：-40℃到 150℃

9、溫度升高引起的磁通密度的降低可由內(nèi)置負(fù)溫度系數(shù)來補(bǔ)償

10、電源引腳具有反向電壓保護(hù)

11、適用于汽車和工業(yè)

12、符合 AEC-Q100汽車電子行業(yè)測試標(biāo)準(zhǔn)

典型應(yīng)用

1、速度和 RPM傳感器

2、轉(zhuǎn)速表傳感器

3、流量傳感器

4、直流電動(dòng)機(jī)

5、電機(jī)和風(fēng)扇控制

6、機(jī)器人控制

7、近距離傳感器

8、位置傳感器

9、安全扣帶

10、引擎蓋/后備箱門鎖

11、天窗/活頂/后擋板/提升門啟動(dòng)

12、剎車/離合器踏板

13、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)（EPS)

14、變速器換擋

15、刮水器電機(jī)

三線制雙極鎖存開關(guān)概述

該系列中的類型根據(jù)磁開關(guān)點(diǎn)的磁通密度值、磁開關(guān)點(diǎn)的溫度狀態(tài)、開關(guān)模式、引腳數(shù)和平均電流而有所不同。

輸出狀態(tài)

TO92S封裝的印章側(cè)施加南極磁場，輸出變?yōu)榈碗娖?，而印章?cè)施加北極磁場，則輸出變?yōu)楦唠娖健Ｐ酒醮紊想姇r(shí)，如果磁場處在 Bop和 Brp之間，輸出狀態(tài)會(huì)處于未定義的狀態(tài)（高電平或低電平）。SOT23-3L封裝工作點(diǎn)與釋放點(diǎn)的磁場極性反之。絕對(duì)最大額定值

功能描述

A501傳感器是一種單片集成電路。如果將垂直于敏感區(qū)域的磁通線的磁場施加到傳感器上，偏置使霍爾電壓與磁場成正比。

霍爾電壓與比較器中的實(shí)際閾值電平進(jìn)行比較。如果磁場超過閾值水平，則輸出開關(guān)到適當(dāng)?shù)臓顟B(tài)。內(nèi)置的回差消除了振蕩，并提供了鎖存的輸出開關(guān)狀態(tài)。通過使用斬波補(bǔ)償技術(shù)可以補(bǔ)償由機(jī)械應(yīng)力引起的偏移。內(nèi)置反向電壓保護(hù)，無需電源線上的串聯(lián)電阻或二極管。

在以下任何一種故障情況下，漏極開路輸出都被強(qiáng)制進(jìn)入安全的高阻抗?fàn)顟B(tài)：過熱和欠壓。另外，輸出電流受到限制（短路保護(hù)）。

絕對(duì)最大值

絕對(duì)最大額定值是應(yīng)用芯片時(shí)的極限值，超過該值可能會(huì)損壞芯片。盡管在超過該值時(shí)芯片的功能不一定受到損害，但是如果在一定時(shí)間內(nèi)超過該值，則芯片的可靠性可能會(huì)受到影響。

推薦操作條件

當(dāng)該芯片的功能運(yùn)行超出本規(guī)范“建議的運(yùn)行條件”中所述的范圍，可能會(huì)導(dǎo)致芯片工作異常，并可能降低可靠性和使用壽命。

參數(shù)

測試條件，VCC=3.0V至 24V， Ta= -40℃至 150℃。

磁特性概述

推薦使用條件，VCC=3.0V至 24V， Ta= -40℃至 150℃。

應(yīng)用電路

典型應(yīng)用電路轉(zhuǎn)換特性

對(duì)于電源線上有干擾或輻射干擾的應(yīng)用，建議串聯(lián)一個(gè)電阻 RV以及兩個(gè)電容 CP和 CL都放置在傳感器附近（見示例 3線應(yīng)用電路 2）。例如：RV=100 ?，CP=4.7 nF，CL=1 nF。

審核編輯：湯梓紅